MISC

2001年3月28日

高誘電率ゲート絶縁膜/Si界面のフォトレフレクタンス分光法による評価

応用物理学関係連合講演会講演予稿集

寒川雅之
神田浩文
北井聡
上野正人
江利口浩二
藤本晶
金島岳
奥山雅則

巻: 48th
号: 2
開始ページ: 805
終了ページ
記述言語: 日本語
掲載種別

リンク情報

J-GLOBAL: https://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201202116764167649
URL: http://jglobal.jst.go.jp/public/201202116764167649

ID情報

J-Global ID : 201202116764167649

エクスポート: BibTeX RIS

MISCリストへ