我々はこれまで、マイクロカンチレバー構造とNiCrひずみゲージを用いた触覚センサの研究を行ってきた。今回、低消費電力化や出力の安定化のため、圧電体を検知部として用いることを目指し、鉛・アルカリフリーのBiFeO3薄膜をSi基板およびTi基板上に製膜し特性を評価した。いずれの基板の場合でも良好な結晶性と強誘電性が得られたが、Siに比べてTi上では残留分極が1/10以下と小さくなった。