2000年3月31日
フォトレフレクタンス分光法によるSiO2/Si界面の歪みの解析
第47回応用物理学関係連合講演会
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- 記述言語
- 日本語
- 会議種別
- 口頭発表（一般）
- 主催者
- 応用物理学会
- 開催地
- 青山学院大学
フォトレフレクタンス分光法を用いてSiO2/Si界面に加わる歪みの計測を行った。Siダイアフラム構造を作製し、それに圧力を加えることで界面に歪みを印加したときの材料力学的に求めた歪みとPRスペクトルのピーク位置との関係を求めた。