2000年8月28日
Non-Destructive and Contactless Monitoring Technique of Si Surface Stress by Photoreflectance
2000 International Conference on Solid State Devices and Materials
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- 記述言語
- 英語
- 会議種別
- 口頭発表（一般）
- 主催者
- 応用物理学会
- 開催地
- 仙台国際センター
Photoreflectance分光法を用いてSi表面の応力とひずみを調べた。表面ひずみを印加するためにダイアフラム構造を作製した。3.4eV近辺のスペクトルのピークエネルギーは構造解析で求めた表面応力に比例してシフトした。さらに、Si熱酸化膜とSi間の応力の計測を行った。酸化温度が高くなるほど応力は小さくなった。これらの結果からPR分光法はSi表面の日は非破壊非接触のモニタリングに有用であることを示した。
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