SiO2、high-k薄膜、強誘電体薄膜とSiの積層構造におけるSi表面応力をフォトレフレクタンス分光法(PRS)を用いて評価した。Si表面の自然酸化によりSi表面の引張応力が増加することがPRSスペクトルのシフトにより分かる。また、PrOx/Si構造では製膜温度により表面応力が異なることが分かった。これは自然酸化と同様にPrOx/Si界面に酸素とSiの反応による酸化膜層ができるためと考えられる。