2002年8月
Characterization of ZrO2 and PrOx Thin Films for high-k Gate Insulator Prepared by Pulsed Laser Deposition
4th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics
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- 記述言語
- 英語
- 会議種別
- ポスター発表
- 開催地
- Osaka, Japan
ZrO2, PrOx高誘電率薄膜をレーザアブレーション法により作製し、微細構造と電気的特性について評価した。リーク電流は400℃の酸素中熱処理で減少したが、容量特性は悪化した。低圧での酸素ラジカル処理により容量特性を維持しつつリーク電流を低減できた。一方、PrOx薄膜ではあまり改善は見られなかった。