HfO2薄膜をレーザアブレーション法により作製し、その電気的およびESRによる欠陥評価を行った。欠陥に起因するESRスペクトルのピークは製膜時圧力を下げるかターゲット・基板間距離を短くすることで小さくなる。製膜時に蒸発された粒子の運動エネルギーが小さくなることにより界面欠陥が減少していると考えられる。