レーザアブレーション法で成膜したZrO2、PrOx薄膜の微細構造と電気特性を評価した。400℃以下で成膜したZrO2薄膜は結晶化しない。漏れ電流は成膜温度を上げるに伴い減少したが、静電容量特性から求めたSiO2換算膜厚は大きくなった。400℃で成膜した薄膜のO2中熱処理により漏れ電流は減少したが換算膜厚は増えた。O2ラジカル処理はZrO2の漏れ電流を減らすのに有効であったが、PrOxでは改善効果はわずかであった。