ペロブスカイト酸化物ヘテロ構造LaSrMnO3/SrTiO3/LaSrMnO3において、15～200 mV程度の極低電圧かつ、0.01 A/cm2という従来の磁化反転方式に必要な電流密度の約8桁小さな電流密度で、磁化を膜面内で90度回転させることに成功した。
オールエピタキシャル強磁性半導体GaMnAs単膜において、電流を流すだけで、磁化を反転できることを明らかにした。さらにGaMnAsの膜厚を変えた一連の試料で同様の測定を行ったところ、膜厚が15 nmの時に、スピントルク磁化反転現象においては世界最小である46,000 A/cm2で磁化を反転できることを示した。