半導体材料とデバイス構造中に磁性元素や強磁性材料を取り込み、キャリアの電荷輸送に加えて「スピン自由度」をも活用する新しい強磁性半導体および強磁性体/半導体複合構造材料を作製し、様々な物性機能を発現させることに成功した。それらの材料を用いたスピン自由度による機能を有する新しい半導体スピントロニクスデバイス(スピントランジスタ)を提案・作製し、その動作原理を実証した。これらの材料やデバイスの研究開発によって、不揮発性メモリ機能と合わせて再構成可能な論理回路に応用できる道筋を示した。