染谷満 (Mitsuru Sometani) - マイポータル

基本情報

所属: 国立研究開発法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター主任研究員
: 大阪大学大学院工学研究科物理学系専攻招へい准教授

研究者番号: 60783644
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0002-8208-8469
J-GLOBAL ID: 202001018659741108
researchmap会員ID: R000011004

研究キーワード

研究分野

経歴

2021年8月 - 現在

大阪大学, 大学院工学研究科物理学系専攻, 招へい准教授
2021年4月 - 現在

国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 主任研究員
2016年4月 - 2021年3月

国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 研究員
2011年4月 - 2016年3月

富士電機株式会社

学歴

- 2011年3月

筑波大学, 数理物質科学研究科博士後期課程

委員歴

2021年4月 - 現在

ワイドギャップ半導体学会, 企画委員会企画幹事
2023年2月 - 2023年12月

応用物理学会先進パワー半導体分科会第10回講演会, 実行委員
2022年10月 - 2023年10月

応用物理学会 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (IWDTF 2023), プログラム委員
2021年1月 - 2021年12月

応用物理学会, 2021年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2021) プログラム委員
2020年11月 - 2021年11月

応用物理学会, 2021 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (IWDTF 2021) プログラム委員総務
2020年1月 - 2021年3月

産学協力研究委員会, ワイドキャップ半導体光・電子デバイス第162委員会企画委員
2020年1月 - 2020年12月

応用物理学会, 2020年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2020) プログラム委員
2018年1月 - 2019年12月

応用物理学会, 2019年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2019) プログラム委員
2016年1月 - 2016年12月

応用物理学会先進パワー半導体分科会, 第３回講演会実行委員

受賞

2024年3月

Outstanding Reviewer Awards 2023 (Japanese Journal of Applied Physics)

Mitsuru Sometani
2014年9月

応用物理学会講演奨励賞, ゲートバイアスストレスによるしきい値電圧変動の緩和挙動と新規測定法の提案, 公益社団法人応用物理学会

染谷満・産総研先進パワエレ

論文

3D Van der Pauw Device for MOS Channel Characterization on 4H-SiC Trench Sidewalls

Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada

IEEE Electron Device Letters 2024年4月査読有り
Impact of water vapor annealing treatments on Al2O3/diamond interface

Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Mitsuru Sometani, Masahiko Ogura, Hiromitsu Kato, Toshiharu Makino, Daisuke Takeuchi, Takao Inokuma, Satoshi Yamasaki, Norio Tokuda

AIP Advances 2024年3月1日査読有り
マルチエピ法及びトレンチ埋め戻しエピ法で作製した1.2 kV耐圧SiC SJ-MOSFETの性能比較

染谷満, 大薗国栄, 紀世陽, 俵武志, 森本忠雄, 加藤智久, 児島一聡, 原田信介

電気学会論文誌C 144(3) 257-262 2024年3月1日査読有り筆頭著者
Characterization of nitrided SiC(1-100) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy

Takuma Kobayashi, Asato Suzuki, Takato Nakanuma, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Materials Science in Semiconductor Processing 175 108251-108251 2024年2月査読有り
Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface

Mitsuru Sometani, Yusuke Nishiya, Ren Kondo, Rei Inohana, Hongyu Zeng, Hirohisa Hirai, Dai Okamoto, Yu-ichiro Matsushita, Takahide Umeda

APL Materials 2023年11月1日査読有り筆頭著者責任著者
Degradation of NO-nitrided SiC MOS interfaces by excimer ultraviolet light irradiation

Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 15(10) 104004-104004 2022年10月1日査読有り
Impact of post-nitridation annealing in CO2 ambient on threshold voltage stability in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Takuji Hosoi, Momoe Ohsako, Kidist Moges, Koji Ito, Tsunenobu Kimoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 2022年6月1日査読有り
Comprehensive physical and electrical characterizations of NO nitrided SiO2/4H-SiC(112̄0) interfaces

Takato Nakanuma, Yu Iwakata, Arisa Watanabe, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 61({SC}) SC1065-SC1065 2022年5月1日査読有り
Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs

Tetsuo Hatakeyama, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada

Journal of Applied Physics 131(14) 145701-145701 2022年4月14日査読有り
Impact of nitridation on the reliability of 4H-SiC(112̄0) MOS devices

Takato Nakanuma, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 15(4) 041002-041002 2022年4月1日査読有り
Investigation of reliability of NO nitrided SiC(1100) MOS devices

Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Yu Iwakata, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 2022年3月
Electrical detection of TV2a-type silicon vacancy spin defect in 4H-SiC MOSFETs

Yuta Abe, Akihumi Chaen, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Yuichi Yamazaki, Takeshi Ohshima, Takahide Umeda

Applied Physics Letters 2022年2月7日査読有り
Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method

Hiroki Sakata, Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Hirohisa Hirai, Shinsuke Harada, Tetsuo Hatakeyama, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro

Japanese Journal of Applied Physics 60(6) 060901-060901 2021年6月1日査読有り
Free carrier density enhancement of 4H-SiC Si-face MOSFET by Ba diffusion process and NO passivation

Shogo Sekine, Masakazu Okada, Teruaki Kumazawa, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Naoya Serizawa, Ryu Hasunuma, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada

Japanese Journal of Applied Physics 60({SB}) 2021年5月1日査読有り
Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method

Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Ukyo Sakurai, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Satoshi Yamasaki, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro …

Carbon 168 659-664 2020年10月査読有り
Insight into Al2O3/B-doped diamond interface states with high-temperature conductance method

Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Ukyo Sakurai, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Mitsuru Sometani, Satoshi Yamasaki, Christoph E. Nebel, Takao Inokuma, Norio Tokuda

Applied Physics Letters 117(9) 2020年8月31日査読有り
Difference in electron mobility at 4H–SiC/SiO2 interfaces with various crystal faces originating from effective-field-dependent scattering

Hirohisa Hirai, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada, Hajime Okumura, Hiroshi Yamaguchi

Applied Physics Letters 117(4) 2020年7月27日査読有り
Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET Based on Temperature-Dependent Hall Effect Measurement

Hironori Takeda, Mitsuru Sometani, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Hiroshi Yano, Heiji Watanabe

Materials Science Forum 1004 620-626 2020年7月
Electrically detected magnetic resonance study on interface defects at nitrided Si-face, a-face, and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces

E. Higa, M. Sometani, H. Hirai, H. Yano, S. Harada, T. Umeda

Applied Physics Letters 2020年4月27日査読有り
Electron-spin-resonance and electrically detected-magnetic-resonance characterization on PbC center in various 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces

T. Umeda, Y. Nakano, E. Higa, T. Okuda, T. Kimoto, T. Hosoi, H. Watanabe, M. Sometani, S. Harada

Journal of Applied Physics 127(14) 145301-145301 2020年4月14日査読有り

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書籍等出版物

次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術

(担当:分担執筆, 範囲:SiC-MOSデバイスのしきい値電圧変動とその評価技術)

S&T出版 2022年7月 (ISBN: 9784907002930)
SiCパワーMOSFETに残された課題

染谷満 (担当:分担執筆, 範囲:SiC-MOSのしきい値電圧変動とその評価法の課題)

公益社団法人応用物理先進パワー半導体分科会 2017年9月 (ISBN: 9784863486393)
SiC酸化膜界面のパッシベーション技術

染谷満 (担当:分担執筆, 範囲:しきい値電圧変動に対するSiC-MOS界面窒化の効果とその評価方法)

公益社団法人応用物理先進パワー半導体分科会 2016年8月 (ISBN: 9784863485846)

講演・口頭発表等

Carbon dangling-bond energy levels at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface determined by EDMR, C–V and first-principles calculation

M. Sometani, Y. Nishiya, R. Kondo, R. Inohana, H. Zeng, H. Hirai, D. Okamoto, Y. Matsushita, T. Umeda

20th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023年9月19日
トレンチ埋め戻しエピ法によるSiC-SJ-MOSFET開発

染谷満

ワイドギャップ半導体学会第12回研究会 2023年7月21日招待有り
SiO2/SiC界面に存在するCダングリングボンド欠陥のエネルギーレベル

染谷満, 西谷侑将, 近藤蓮, 猪鼻伶, 曾弘宇, 平井悠久, 岡本大, 松下雄一郎, 梅田享英

先進パワー半導体分科会第9回講演会 2022年12月21日
Impact of oxidation process on electron scattering and roughness at 4H-SiC non-polar MOS interfaces

M. Sometani, H. Hirai, M. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada

The 19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 2022年9月13日
Comparative Study of Performance of SiC SJ-MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth

Mitsuru Sometani, Kunihide Oozono, Shiyang Ji, Tadao Morimoto, Tomohisa Kato, Kazutoshi Kojima, Shinsuke Harada

IEEE ISPSD 2022 2022年5月25日
4H-SiC非極性面上のMOS界面散乱に対する酸化プロセスの影響

染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介

先進パワー半導体分科会第8回講演会 2021年12月
Comparison of Field Effect Mobility Enhancement by Different Oxidation Processes at 4H-SiC a-face MOS Interface

M. Sometani, H. Hirai, M. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada, H. Okumura, H. Yamaguchi

2020 International Conference on Solid State Devices and Materials 2020年9月
SiC-MOS界面特有の散乱による異常な移動度劣化

染谷満, 細井卓治, 平井悠久, 岡本光央, 畠山哲夫, 矢野裕司, 渡部平司, 原田信介

応用物理学会先進パワー半導体分科会第2回個別討論会 2020年9月招待有り
Wet酸化プロセスによる4H-SiC a面MOS界面の散乱低減

染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 奥村元

先進パワー半導体分科会第6回講演 2019年12月
超低実効pエピ基板を用いて評価した4H-SiC(0001)MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因

染谷満, 細井卓治, 平井悠久, 畠山哲夫, 原田信介, 矢野裕司, 志村考功, 渡部平司, 米澤喜幸, 奥村元

先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018年11月
低不純物濃度4H-SiC(0001)基板上に作製したMOSFETのホール効果移動度に対するNO-POAの影響

染谷満, 細井卓治, 畠山哲夫, 原田信介, 矢野裕司, 志村考功, 渡部平司, 米澤喜幸, 奥村元

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月
Superiority of pure O2-based gate oxidation on Hall effect mobility of 4H-SiC (0001) MOSFET revealed by low-doped epitaxial wafers

M. Sometani, T. Hosoi, T. Hatakeyama, S. Harada, H. Yano, T. Shimura, H. Watanabe, Y. Yonezawa, H. Okumura

2018 European Conference on Silicon Carbide & related Materials 2018年9月
Improved Channel Mobility of 4H-SiC N-MOSFETs by Ultrahigh-Temperature Oxidation with Low-Oxygen Partial-Pressure Cooling Procedure

M. Sometani, Y. Katsu, D. Nagai, H. Tsuji, T. Hosoi, T. Shimura, Y. Yonezawa, H. Watanabe

2017 IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 2017年12月
SiC-MOSのしきい値電圧変動とその評価法の課題

染谷満

先進パワー半導体分科会第8回研究会 2017年9月招待有り
Accurate Evaluation of Fast Threshold Voltage Shift for SiC MOS Devices under Various Gate Bias Condition

Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Yohei Iwahashi, Mariko Hayashi, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, Shinsuke Harada, Yoshiyuki Yonezawa, Hajime Okumura

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials 2017年9月招待有り
Evaluation of Drain Current by AC Gate Bias Stress in Commercially Available SiC MOSFETs

M Sometani, Y Iwahashi, Y Yano, S Harada, Y Yonezawa, H Okumura

29th Inter.national Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2017年5月
超高温酸化と水冷プロセスによるSiC-MOS界面の特性改善

染谷満, 永井大介, 勝義仁, 細井卓治, 志村考功, 武井学, 米澤善幸, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第3回講演会 2016年11月
Impact of Rapid Cooling Process in Ultra-high-temperature Oxidation of 4H-SiC(0001)

Mitsuru Sometani, Daisuke Nagai, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Yoshiyuki Yonezawa, Manabu Takei, Heiji Watanabe

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials 2016年9月
しきい値電圧変動に対するSiC-MOS界面窒化の効果とその評価方法

染谷満

応用物理学会先進パワー半導体分科会第2回個別討論会 2016年8月招待有り
超高温酸化と急速冷却によるSiC-MOS界面特性改善

染谷満, 永井大介, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

2016年第63回応用物理学会春季学術講演 2016年3月

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所属学協会

2021年4月 - 現在

ワイドギャップ半導体学会
2006年 - 現在

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2020年4月 - 2025年3月

藤ノ木享英, 牧野俊晴, 原田信介, 五十嵐信行, 磯谷順一, 染谷満, 松下雄一郎
SiC-MOS界面特有の散乱体の起源検証とその抑制によるチャネル抵抗低減

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2021年4月 - 2024年3月

染谷満

産業財産権

特願2017-037034 半導体装置及び半導体装置の製造方法

渡部平司, 志村考功, 細井卓治, 辻英徳, 寺尾豊, 染谷満
特願2016-040129 半導体装置の製造方法及びこれに用いる半導体製造装置

渡部平司, 志村考功, 細井卓治, 染谷満
特願2016-053685 炭化珪素半導体装置の製造方法

渡部平司, 志村考功, 細井卓治, 染谷満
特許6292667 半導体装置の評価方法および半導体装置の評価装置

染谷満, 武井学, 原田信介

染谷満

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書籍等出版物

講演・口頭発表等

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共同研究・競争的資金等の研究課題

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