論文

査読有り
2022年6月1日

Impact of post-nitridation annealing in CO2 ambient on threshold voltage stability in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Applied Physics Express
  • Takuji Hosoi
    • ,
  • Momoe Ohsako
    • ,
  • Kidist Moges
    • ,
  • Koji Ito
    • ,
  • Tsunenobu Kimoto
    • ,
  • Mitsuru Sometani
    • ,
  • Mitsuo Okamoto
    • ,
  • Akitaka Yoshigoe
    • ,
  • Takayoshi Shimura
    • ,
  • Heiji Watanabe
記述言語
掲載種別
研究論文（学術雑誌）
DOI
10.35848/1882-0786/ac6f42
出版者・発行元
{IOP} Publishing
リンク情報
DOI
https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac6f42
ID情報
  • DOI : 10.35848/1882-0786/ac6f42
  • ORCIDのPut Code : 113499860
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