重田諭吉 (Yukichi Shigeta) - マイポータル

基本情報

所属: 横浜市立大学生命ナノシステム科学研究科（八景キャンパス）客員教授 (名誉教授)
: 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構研究嘱託

学位: 理学博士(学習院大学大学院)

J-GLOBAL ID: 200901066904949816
researchmap会員ID: 1000054421

外部リンク: http://surface.sci.yokohama-cu.ac.jp/

走査トンネル顕微鏡(STM)および反射高速電子線回折(RHEED)を用い、(1) 結晶表面の構造相転移現象の解明，(2) 結晶成長を利用したナノスケール構造物の形成制御・位置制御, (3) RHEEDによる表面第1層の精密構造解析手法の開発，などナノテクノロジーへの応用を視野に研究を進めている。

研究キーワード

研究分野

経歴

2024年4月 - 現在

国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門先端基礎研究センター, 研究嘱託
2019年4月 - 現在

横浜市立大学, 名誉教授
2019年4月 - 現在

横浜市立大学, 客員教授
2019年4月 - 2024年3月

国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門先端基礎研究センター, 客員研究員
2010年4月 - 2019年3月

横浜市立大学, 副学長
1999年4月 - 2019年3月

横浜市立大学, 教授
2009年4月 - 2010年3月

横浜市立大学生命ナノシステム科学研究科（八景キャンパス）, 研究科長
2006年4月 - 2010年3月

横浜市立大学, 国際総合科学研究科, 研究科長
1988年4月 - 1999年3月

横浜市立大学, 助教授
1976年4月 - 1988年3月

横浜市立大学, 助手

学歴

1972年4月 - 1976年3月

横浜市立大学

委員歴

2006年6月 - 2011年11月

応用物理学会, JJAP編集委員
1992年4月 - 2005年3月

日本真空協会, 編集委員
2002年5月 - 2003年4月

日本物理学会, 表面・界面分科会世話人

主要な論文

Scanning-tunneling-microscopy study of surface morphology at the initial growth stage of Si on a 7×7 superlattice surface of Si(111)

Yukichi Shigeta, Jiroh Endo, Kunisuke Maki

Physical Review B 51(3) 2021-2024 1995年1月15日査読有り筆頭著者

もっとみる

MISC

C12 RHEEDを用いたSic基板研磨表面のダメージ層評価(OS10 班磨技術(3))

小山浩司, 武田秀俊, 会田英雄, 中田淳也, 杉山卓嘉, 戸坂亜希, 重田諭吉

生産加工・工作機械部門講演会 : 生産と加工に関する学術講演会 2012(9) 149-150 2012年10月27日
20aFF-9 化学機械研磨処理したGaN(0001)表面の昇温による構造変化の反射高速電子線回折法による研究(20aFF 領域9,領域10 合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長)

中田淳也, 杉山卓嘉, 小山浩司, 戸坂亜希, 重田諭吉

日本物理学会講演概要集 67(2) 833-833 2012年8月24日
20aFF-10 大気中前処理条件によるα-Al_2O_3(0001)面の構造変化(20aFF 領域9,領域10 合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長)

杉山卓嘉, 小山浩司, 戸坂亜希, 重田諭吉

日本物理学会講演概要集 67(2) 833-833 2012年8月24日
24aCC-4 α-Al_2O_3(0001)表面の構造相転移とステップ形状(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

杉山卓嘉, 小山浩司, 戸坂亜希, 重田諭吉

日本物理学会講演概要集 67(1) 931-931 2012年3月5日
横浜市立大学大学院生命ナノシステム科学研究科ナノシステム科学専攻表面科学研究室

重田諭吉

電気学会論文誌. A, 基礎・材料・共通部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A, A publication of Fundamentals and Materials Society 130(9) 843-843 2010年9月1日
Local electronic states on two-dimensional nanoscale island of Si and Ge fabricated on Si(111) 7 × 7 substrate

Yukichi Shigeta, Ryota Negishi, Masahiko Suzuki

International Journal of Nanoscience 8(6) 595-603 2009年12月
30aRD-3 歪みによるSi/Ge(111)-√<3>×√<3>-Ag表面の電子状態の変化(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

望月出海, 根岸良太, 重田諭吉

日本物理学会講演概要集 64(1) 917-917 2009年3月3日
26aTD-3 Ge/Si(111)-5×5-DAS表面上のAg吸着構造の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)

望月出海, 根岸良太, 重田諭吉

日本物理学会講演概要集 63(1) 903-903 2008年2月29日
シリコンおよびゲルマニュームナノアイランドの微細構造と局所電子状態

重田諭吉, 根岸良太, 鈴木雅彦

真空 51(5) 291-297 2008年
二次元ナノアイランドの形成と局所電子状態

重田諭吉

横浜市立大学論叢, 自然科学系列 57(2) 79-90 2007年3月
20aPS-11 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態と光電子分光(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)

望月出海, 根岸良太, 重田諭吉

日本物理学会講演概要集 62(1) 897-897 2007年2月28日
30pYB-2 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

望月出海, 根岸良太, 重田諭吉

日本物理学会講演概要集 61(1) 916-916 2006年3月4日
30aPS-43 二探針STMの作製およびその性能評価(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))

松井敦央, 重田諭吉

日本物理学会講演概要集 61(1) 904-904 2006年3月4日
22aXF-7 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

望月出海, 根岸良太, 重田諭吉

日本物理学会講演概要集 60(2) 783-783 2005年8月19日
22aXF-10 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

鈴木雅彦, 根岸良太, 重田諭吉

日本物理学会講演概要集 60(2) 784-784 2005年8月19日
25aXC-4 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と温度変化(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))

望月出海, 根岸良太, 重田諭吉

日本物理学会講演概要集 60(1) 857-857 2005年3月4日
25aXC-3 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))

鈴木雅彦, 根岸良太, 重田諭吉

日本物理学会講演概要集 60(1) 857-857 2005年3月4日
15aPS-69 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドに特有な局所電子状態(領域 9)

鈴木雅彦, 根岸良太, 重田諭吉

日本物理学会講演概要集 59(2) 839-839 2004年8月25日
30aWP-4 Si(111)表面上のGeナノアイランドの電子状態(ナノ構造量子物性)(領域9)

鈴木雅彦, 根岸良太, 重田諭吉

日本物理学会講演概要集 59(1) 926-926 2004年3月3日
Study of structure changes on the Si surfaces using reflection high-energy electron diffraction

Y Shigeta, Y Fukaya

INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B 18(3) 289-316 2004年1月査読有り招待有り

もっとみる

書籍等出版物

表面科学会編表面分析技術選書計算シミュレーションと分析データ解析

丸善（株） 2007年 (ISBN: 9784621078808)
超高真空実験マニュアル

重田諭吉 (担当:分担執筆, 範囲:圧力測定)

日刊工業新聞社 1991年 (ISBN: 4526029718)

講演・口頭発表等

Fine Analysis of Surface Structure by using Kikuchi Envelope of Reflection High-Energy Electron Diffraction

重田諭吉, 萩原裕人, 樋口森生

15th European Vacuum Conference (EVC-15) 2018年6月20日
菊池エンベロープを用いた表面構造解析

樋口森生, 入内島大貴, 萩原裕人, 戸坂亜希, 重田諭吉

日本物理学会第73回年次大会 2018年3月24日
反射高速電子回折によるα- Al2O3(0001)面の表面構造解析

中島翔太, 戸坂亜希, 重田諭吉

日本物理学会第73回年次大会 2018年3月24日
Si(111) √3×√3-Ag表面に対する菊池パターンの強度計算

萩原裕人, 戸坂亜希, 重田諭吉

日本物理学会第72回年次大会 2017年3月17日
菊池パターンを用いた表面層の精密構造解析

萩原裕人, 戸坂亜希, 重田諭吉

日本物理学会2016年秋季大会 2016年9月13日
反射高速電子回折による菊池パターンを用いたSi(111)表面上のエピタキシャル層の歪み評価

萩原裕人, 戸坂亜希, 重田諭吉

日本物理学会2015年秋季大会 2015年9月19日
Si(111)表面に成長させたGe薄膜の固相エピタキシー成長による形状・表面構造変化

吉田竜馬, 松岡理香, 戸坂亜希, 重田諭吉

日本物理学会2015年秋季大会 2015年9月19日
反射高速電子線回折法によるAl2O3(0001)√31×√31 R9°構造の解析2

戸坂亜希, 杉山卓嘉, 小山浩二, 重田諭吉

日本物理学会2015年秋季大会 2015年9月16日
反射高速電子線回折法によるAl2O3(0001)√31×√31 R9°構造の解析

戸坂亜希, 杉山卓嘉, 小山浩二, 重田諭吉

日本物理学会第70回年次大会 2015年3月21日
反射高速電子回折による菊池線を用いたSi(111)表面歪みの測定

萩原裕人, 戸坂亜希, 重田諭吉

日本物理学会第70回年次大会 2015年3月21日
Si(111)表面上のGe膜の固相エピタキシー成長に伴う形状変化

吉田竜馬, 松岡理香, 戸坂亜希, 重田諭吉

日本物理学会第70回年次大会 2015年3月21日
Quasi-two-dimensional Electron Gas State of Strained Si (111) √3×√3-Ag System

A. TOSAKA, T. ISHII, Y. SHIGETA

13th European Vacuum Congress 2014年9月10日
Measurement of Strain in GaN(0001) Substrate by using Kikuchi line of RHEED

重田諭吉

13th European Vacuum Congress 2014年9月9日
化学機械研磨処理したGaN(0001)表面の菊池線を用いた格子歪み評価

中田淳也, 小山浩司, 戸坂亜希, 重田諭吉

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月20日
歪み制御Si(111)√3×√3-Ag 表面上の金属状態

石井卓也, 戸坂亜希, 重田諭吉

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月20日
Relationship between Strain and Effective Mass in the Metallic Surface State of the √3×√3-Ag Structure on Si(111) epitaxial layer

重田諭吉

19th International Vacuum Congress 2013年9月11日
GaN Substrate for Post-Silicon Power Devices - Surface and Subsurface Damage Evaluation for GaN Substrate Prepared by Chemical Mechanical Polishing-

Koji Koyama, Hideo Aida, Junya Nakata, Takuhiro Sugiyama, Aki Tosaka, Yukichi Shigeta, Hidetoshi Takeda, Natsuko Aota, Toshiro Doi, Tsutomu Yamazaki

The 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials 2012年11月22日
大気中前処理温度条件によるα-Al2O3(0001)面の構造変化

杉山卓嘉, 小山浩司, 戸坂亜希, 重田諭吉

日本物理学会2012年秋期大会 2012年9月20日
化学機械研磨処理したGaN(0001)表面の昇温による構造変化の反射高速電子線回折法による研究

中田淳也, 杉山卓嘉, 小山浩司, 戸坂亜希, 重田諭吉

日本物理学会2012年秋期大会 2012年9月20日
Strain induced intermixing of Ge into Si epitaxial layer

Y. Shigeta, A.Tosaka, I. Mochizuki, R. Negishi

The 29th European Conference on Surface Science (ECOSS-29), 2012年9月5日

もっとみる

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

菊池パターンを利用した表面の構造解析手法の確立

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2020年4月 - 2023年3月

重田諭吉
菊池パターンによる表面層の歪および単原子層構造のその場測定

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2016年4月 - 2019年3月

重田諭吉, 戸坂亜希, 中田淳也, 吉田竜馬, 萩原裕人, 樋口森生, 中島翔太
菊池線による表面歪のその場測定

日本学術振興会科学研究費補助金（基盤研究(C)） 2016年4月 - 2018年3月

重田諭吉
ヘテロエピタキシャル成長における歪みの原子ミキシングへの影響

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(C)) 基盤研究(C) 2012年 - 2014年

重田諭吉, 戸坂亜希
表面弾性波によるナノ構造形成制御技術の開発

共同研究 2004年
Innovation of Fabrication Technology of Nanoscale Structure by Surface Acoustic Wave

Cooperative Research 2004年
1次元収束ビームを用いた電子線回析法による表面構造解析

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(C)) 基盤研究(C) 2000年 - 2001年

重田諭吉
水素ラジカルによって誘起される水素終端Si(111)表面及びSi原子層の構造変化

日本学術振興会科学研究費助成事業重点領域研究 1995年 - 1995年

馬来国弼, 重田諭吉
メゾスコッピク構造形成過程におけるフリーラジカルのネットワーク化と構造緩和

日本学術振興会科学研究費助成事業重点領域研究 1994年 - 1994年

馬来国弼, 重田諭吉
メゾスコピック構造形成過程におけるフリーラジカルのネットワーク化と構造緩和

日本学術振興会科学研究費助成事業重点領域研究 1993年 - 1994年

馬来国弼, 重田諭吉
エピタキシャル成長表面のモルフォロジーと成長機構

日本学術振興会科学研究費助成事業重点領域研究 1992年 - 1992年

馬来国弼, 重田諭吉
赤外線反射スペクトルによるエピタキシ-成長の動的過程の研究

文部科学省科学研究費補助金(一般研究(C)) 一般研究(C) 1991年 - 1991年

重田諭吉
角度分散型電子分光法によるAu(100)面の(5×20)と(1×1)構造の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 1981年 - 1981年

重田諭吉
ナノ構造分析用走査プローブ顕微鏡の試作
電子線回折法による表面の動的構造変化の解明
表面ナノ構造の形成と局所電子状態
Development of new scanning probe microscope
Study of dynamic surface structure change by RHEED

重田諭吉

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

主要な論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

メニュー

共著者の一覧