畠山哲夫 (Tetsuo Hatakeyama) - マイポータル

基本情報

所属: 富山県立大学工学部電気電子工学科教授

学位: 理学博士(1990年3月東京大学)

J-GLOBAL ID: 201801015029357035
researchmap会員ID: B000328349

外部リンク: https://scholar.google.co.jp/citations?user=HDMVl-QAAAAJ&hl=ja

富山県立大学電気電子工学科教授
専門：SiCパワーデバイス、SiC材料物性、SiC/SiO2界面物理、パワーエレクトロニクス、TCAD

研究キーワード

研究分野

経歴

2020年4月 - 現在

富山県立大学, 工学部電気電子工学科, 教授
2018年4月 - 2020年3月

富山県立大学, 工学部電子・情報工学科, 教授
2016年4月 - 2018年3月

（国研）産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター
1997年3月 - 2016年3月

（株）東芝, 研究開発センター
1991年4月 - 1997年2月

川崎製鉄株式会社

学歴

1987年4月 - 1990年3月

東京大学, 大学院理学系研究科, 物理学専門課程博士過程
1985年4月 - 1987年3月

東京大学, 理学系研究科, 物理学専門課程修士課程
1983年4月 - 1985年3月

東京大学, 理学部, 物理学科
1981年4月 - 1983年3月

東京大学, 教養学部, 理科一類

論文

116

TCAD and experimental study of geometric components in charge pumping current for accurate characterization of interface trap density in SiC pMOSFETs

Kazuma Shimura, Dai Okamoto, Yuta Taguchi, Kenta Kimata, Mitsuru SOMETANI, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Tetsuo HATAKEYAMA

Japanese Journal of Applied Physics 2026年4月7日査読有り
Theoretical analysis of 4H-SiC/SiO ₂ interface structures and band alignments: effects of NO annealing

Naoto Ise, Toru Akiyama, Tetsuo Hatakeyama, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama

Japanese Journal of Applied Physics 65(3) 03SP06-03SP06 2026年2月6日査読有り
TCAD-Oriented Physical Modeling of Temperature-Dependent Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs

Tetsuo Hatakeyama, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada

2025 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 1-4 2025年9月24日査読有り
First-principles study for orientation dependence of band alignments at the 4H-SiC/SiO₂ interface

Shun Matsuda, Toru Akiyama, Tetsuo Hatakeyama, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama

Japanese Journal of Applied Physics 63(2) 02SP69-02SP69 2024年1月25日査読有り
Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs

Tetsuo Hatakeyama, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada

Journal of Applied Physics 131(14) 145701-145701 2022年4月14日査読有り筆頭著者
Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method

Hiroki Sakata, Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Hirohisa Hirai, Shinsuke Harada, Tetsuo Hatakeyama, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro

Japanese Journal of Applied Physics 60(6) 060901-060901 2021年6月1日査読有り
On-the-fly Charge Pumping法によるSiC MOSFET NBTI劣化メカニズムの解析

岡本大, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫

「電子デバイス界面テクノロジー研究会」 (第26回研究会) 予稿集 2021年1月
SiC MOS反転層移動度の劣化要因に関する理論的考察

畠山哲夫, 平井悠久, 染谷満, 岡本大, 岡本光央, 原田信介

「電子デバイス界面テクノロジー研究会」 (第26回研究会) 予稿集 2021年1月筆頭著者
Difference in electron mobility at 4H–SiC/SiO2 interfaces with various crystal faces originating from effective-field-dependent scattering

Hirohisa Hirai, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada, Hajime Okumura, Hiroshi Yamaguchi

Applied Physics Letters 117(4) 042101-042101 2020年7月27日査読有り
Iron Loss and Magnetic Hysteresis Properties of Nanocrystalline Ring Core at High and Room Temperatures Under Inverter Excitation

A. Yao, R. Moriyama, T. Hatakeyama

Journal of the Magnetics Society of Japan 44(3) 52-55 2020年5月1日査読有り
Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs

Hiroki Nemoto, Dai Okamoto, Xufang Zhang, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano

Japanese Journal of Applied Physics 59(4) 044003-044003 2020年4月1日査読有り
Iron Losses and Magnetic-Hysteresis Properties Under GaN Inverter Excitation at High-Frequencies

A. Yao, R. Moriyama, T. Hatakeyama

Journal of the Magnetics Society of Japan 2020年査読有り
Electrically detected-magnetic-resonance identifications of defects at 4H-SiC(0001¯)/SiO2 interfaces with wet oxidation

T. Umeda, Y. Kagoyama, K. Tomita, Y. Abe, M. Sometani, M. Okamoto, S. Harada, T. Hatakeyama

Applied Physics Letters 115(15) 151602-151602 2019年10月7日査読有り
Representation of Magnetic Hysteresis Phenomena under Inverter Excitation in a Circuit Simulator using Coupling Analysis of Electricity and Magnetism

A. Yao, T. Funaki, T. Hatakeyama

Journal of the Magnetics Society of Japan 2019年10月査読有り
Mobility-limiting Coulomb scattering in nitrided 4H-SiC inversion channel on 1 1 ¯ 00 m-face and 11 2 ¯ 0 a-face characterized by Hall effect measurements

Hirohisa Hirai, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada, Hajime Okumura

Applied Physics Letters 115(13) 132106-132106 2019年9月23日査読有り
Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channels of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations

Mitsuru Sometani, Takuji Hosoi, Hirohisa Hirai, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Yoshiyuki Yonezawa, Hajime Okumura

Applied Physics Letters 115(13) 132102-132102 2019年9月23日査読有り
Demonstration and analysis of channel mobility, trapped electron density and Hall effect at SiO2/SiC (0-33-8) interfaces

Takeyoshi Masuda, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano

Jpn. J. Appl. Phys. 58 SBBD04 2019年3月査読有り
Impact of crystal faces of 4H-SiC in SiO2/4H-SiC structures on interface trap densities and mobilities

Tetsuo Hatakeyama, Takeyoshi Masuda, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, Yoshiyuki Yonezawa, Hajime Okumura

Applied Physics Express 12(2) 021003-021003 2019年2月1日査読有り
Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model

X., Zhang, D., Okamoto, T., Hatakeyama, M., Sometani, S., Harada, N., Iwamuro, 矢野, 裕司

電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第24回研究会予稿集 221-224 2019年1月
Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明

周, 星炎, 岡本, 大, 畠山, 哲夫, 染谷, 満, 原田, 信介, 岡本, 光央, 張, 旭芳, 岩室, 憲幸, 矢野, 裕司

先進パワー半導体分科会第5回講演会予稿集 101-102 2018年11月

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MISC

4H-SiC/SiO₂界面におけるバンド配列の面方位依存性に関する理論検討

松田隼, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
Iron loss and hysteresis properties under high-temperature inverter excitation

A. Yao, T. Hatakeyama

Journal of the Magnetics Society of Japan 43(3) 46-49 2019年

講演・口頭発表等

4H-SiC UMOSFETのゲートスイッチング時の発光とGSIのモデル

熊谷直樹, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 畠山哲夫

第73回応用物理学会春季学術講演会(2026) 2026年3月16日
4H-SiC/SiO2界面におけるバンド配列の理論解析: NOアニールと界面欠陥の影響の検討

伊勢直斗, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史

第73回応用物理学会春季学術講演会(2026) 2026年3月16日
SiCにおけるショットキー障壁形成と電気伝導機構

黒木伸一郎, 新井学, 畠山哲夫

第3回半導体分野将来基金委員会・研究会（名取研究会）2025 2026年3月14日招待有り
4H-SiC/SiO2界面構造とバンド配列の理論解析：NO アニール処理の影響

伊勢直斗, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史

電子デバイス界面テクノロジー研究会(第31回研究会、2025） 2026年1月29日
TCAD-Oriented Physical Modeling of Temperature-Dependent Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs

Tetsuo Hatakeyama

Asia Pacific Conference on SiC and Related Materials (APCSRM 2025) November 26, 2025 2025年11月26日招待有り
p チャネル SiC MOSFET の Charge Pumping 電流における Geometric Component のメカニズムと抑制条件の TCAD および実験的解析

志村一眞, 岡本大, 田口雄大, 木全健太, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 畠山哲夫

先進パワー半導体分科会第12回講演会(2025) 2025年11月20日
n-SiC MOSFET の Charge Pumping 電流における Geometric Component の TCAD 及び実験的解析

木全健太, 志村一眞, 岡本大, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 畠山哲夫

先進パワー半導体分科会第12回講演会(2025) 2025年11月20日
4H-SiC/SiO2界面構造とバンド配列の理論解析：NO アニール処理の影響

伊勢直斗, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史

先進パワー半導体分科会第12回講演会(2025) 2025年11月19日
3C/4H-SiC ヘテロ構造のデバイス特性に対する影響の TCAD 解析と抑制手法

下條滉太, 畠山哲夫, 長澤弘幸

先進パワー半導体分科会第12回講演会(2025) 2025年11月19日
SiC MOSFET反転層の閉形式温度依存移動度物理モデル

畠山哲夫

シリコン材料・デバイス研究会（SDM）"プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般" 2025 2025年11月14日招待有り
TCAD-Oriented Physical Modeling of Temperature-Dependent Inversion Layer Mobility in SiC MOSFETs

T. Hatakeyama, H. Hirai, M. Sometani, D. Okamoto, M. Okamoto, S. Harada

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 2025) Sep. 24th 2025年9月24日
Modeling of the Physical Properties of 3C-SiC/4H-SiC Heterostructures for TCAD Simulation

T. Hatakeyama, K. Gejo, H. Nagasawa

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025 (ICSCRM 2025),2025,Sep 18th 2025年9月18日
Orientation Dependence of Structural Stability and Band Alignment for N-incorporated 4H-SiC/SiO2 Interfaces: A DFT-Based Approach

Naoto Ise, Toru Akiyama, Tetsuo Hatakeyama, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama

2025 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2025), Sep 17th 2025年9月17日
TCAD and Experimental Study of Geometric Components in Charge Pumping Current for Accurate Characterization of Interface Trap Density in SiC pMOSFET

Kazuma Shimura, Dai Okamoto, Yuta Taguchi, Kenta Kimata, Mitsuru Sometani, Hirohisa Hirai, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama

2025 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2025), Sep 17th 2025年9月17日
"4H-SiC/SiO2界面の構造安定性およびバンド配列の理論解析： NOアニーリングの影響"

伊勢直斗, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史

第86回応用物理学会秋季学術講演会(2025) 2025年9月10日
pチャネルSiC MOSFETのCharge Pumping電流におけるGeometric ComponentのTCADおよび実験的解析

志村一眞, 岡本大, 田口雄大, 木全健太, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 畠山哲夫

第86回応用物理学会秋季学術講演会(2025) 2025年9月10日
n-SiC MOSFETのCharge Pumping電流における幾何学的形状成分のTCAD及び実験的解析

木全健太, 志村一眞, 岡本大, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 畠山哲夫

第86回応用物理学会秋季学術講演会(2025) 2025年9月10日
3C/4H-SiCヘテロ構造のデバイス特性に対する影響のTCAD解析

下條滉太, 畠山哲夫, 長澤弘幸

第86回応用物理学会秋季学術講演会(2025) 2025年9月8日
Ab Initio Study on the Effects of N Atoms on Band Alignments at 4H-SiC/SiO2 Interface

Naoto Ise, Toru Akiyama, Tetsuo Hatakeyama, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama

ISPLasma2025/IC-PLANT2025 2025年3月5日
nチャネルSiC MOSFETに対する高温での周波数依存チャージポンピング特性の評価

矢合志悠, 岡本大, 染谷満, 平井悠久, 岡本光央, 畠山哲夫

令和６年度(2024年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2024年12月7日

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担当経験のある科目(授業)

2026年4月 - 現在

トピックゼミ (富山県立大学)
2024年4月 - 現在

電気電子工学実験２
2022年10月 - 現在

卒業研究Ⅰ
2022年10月 - 現在

パワーエレクトロニクス応用
2022年4月 - 現在

パワーエレクトロニクス基礎
2021年4月 - 現在

パワーデバイス工学
2018年4月 - 現在

プレゼン演習
2018年4月 - 現在

電子物性
2022年9月 - 2023年3月

トピックゼミⅡ
2020年4月 - 2022年3月

電子情報工学実験２
2018年10月 - 2022年3月

パワーエレクトロニクス
2018年10月 - 2021年3月

専門ゼミ
2018年10月 - 2021年3月

電気電子材料
2019年4月 - 2020年9月

パワーエレクトロニクス特論
2019年4月 - 2019年9月

トピックゼミ
2018年4月 - 2018年10月

パワーデバイス工学

所属学協会

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

SiC-MOSFET界面物性と信頼性劣化機構解明による次世代デバイス設計基盤技術の確立

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2026年4月 - 2029年3月

畠山哲夫
SiC-MOS界面移動度の主劣化要因となる散乱体の物理的実体の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2023年4月 - 2026年3月

畠山哲夫
SiC MOS界面の反転層移動度の散乱機構の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2019年4月 - 2022年3月

畠山哲夫
ホウ素固体の電子構造および物性

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(特別研究員) 1990年 - 1990年

畠山哲夫

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