畠山 哲夫

J-GLOBALへ         更新日: 19/05/15 13:14
 
アバター
研究者氏名
畠山 哲夫
 
ハタケヤマ テツオ
URL
http://www.pu-toyama.ac.jp
所属
富山県立大学
部署
工学部 電子・情報工学科
職名
教授
学位
理学博士(東京大学)

プロフィール

富山県立大学 電子・情報工学科 教授
専門:SiCパワーデバイス、SiC材料物性、SiC/SiO2界面物理、パワーエレクトロニクス、TCAD

研究分野

 
 

経歴

 
2018年4月
 - 
現在
富山県立大学 工学部 電子・情報工学科 教授
 
2016年4月
 - 
2018年3月
(国研)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
 
1997年3月
 - 
2016年3月
(株)東芝 研究開発センター
 
1991年4月
 - 
1997年2月
川崎製鉄株式会社
 

学歴

 
1987年4月
 - 
1990年3月
東京大学 大学院理学系研究科 物理学専門課程博士過程
 
1985年4月
 - 
1987年3月
東京大学大学院 理学系研究科 物理学専門課程修士課程
 
1983年4月
 - 
1985年3月
東京大学 理学部 物理学科
 
1981年4月
 - 
1983年3月
東京大学 教養学部 理科一類
 

論文

 
Impact of crystal faces of 4H-SiC in SiO2/4H-SiC structures on interface trap densities and mobilities
Tetsuo Hatakeyama, Takeyoshi Masuda, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, Yoshiyuki Yonezawa and Hajime Okumura
Applied Physics Express   12(2) 021003   2019年3月   [査読有り]
Demonstration and analysis of channel mobility, trapped electron density and Hall effect at SiO2/SiC (0-33-8) interfaces
Takeyoshi Masuda, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano
Jpn. J. Appl. Phys.   58 SBBD04   2019年3月   [査読有り]
Eigo Fujita, Mitsuru Sometani, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe
AIP Advances   8(8) 085305   2018年   [査読有り]
Zhang X, Okamoto D, Hatakeyama T, Sometani M, Harada S, Iwamuro N, Yano H.
Japanese Journal of Applied Physics   57(6)    2018年   [査読有り]
Hayashi M, Sometani M, Hatakeyama T, Yano H, Harada S.
Japanese Journal of Applied Physics   57(4)    2018年   [査読有り]

講演・口頭発表等

 
Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
Xufang Zhang, Dai Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Mitsuru Sometani, Shinsuke Harada , Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano (Univ. of Tsukuba)
電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」 (第24回研究会)   2019年1月25日   
SiO2/SiC 界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
畠山 哲夫
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第 12 回研究会 「SiC MOS 界面の理解」   2018年12月17日   
IIA-23 SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
畠山哲夫,増田健良,染谷満,岡本大,原田信介,矢野裕司,米澤喜幸,奥村元
先進パワー半導体分科会第5回講演会   2018年11月17日   
IIA-22 超低実効pエピ濃度基板を用いて評価した4H-SiC(0001) MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因
染谷満1, 細井卓治2, 平井悠久, 畠山哲夫, 原田信介, 矢野裕司, 志村考功, 渡部平司, 米澤 喜幸, 奥村元
先進パワー半導体分科会第5回講演会   2018年11月17日   
IIA-21 4H-SiC a面およびm面上の窒化n-MOSチャネルにおける Hall効果移動度の温度依存性とそれに基づく キャリア散乱機構に対する考察
平井悠久,畠山哲夫,染谷満,岡本光央,原田信介,奥村元
先進パワー半導体分科会第5回講演会   2018年11月17日   

所属学協会