星井拓也 (Takuya Hoshii) - マイポータル

基本情報

所属: 東京科学大学工学院

J-GLOBAL ID: 201501077170383603
researchmap会員ID: B000244730

研究キーワード

半導体デバイス

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

経歴

2017年1月 - 現在

東京工業大学, 工学院, 助教
2011年4月 - 2016年12月

東京大学, 先端科学技術研究センター, 助教

学歴

2008年4月 - 2011年3月

東京大学, 工学系研究科, 電気系工学専攻
2006年4月 - 2008年3月

東京大学, 新領域創成科学研究科, 基盤情報学専攻
2002年4月 - 2006年3月

東京大学, 工学部, 電子工学科

委員歴

2015年1月 - 2018年12月

公益社団法人応用物理学会, 2015年国際固体素子・材料コンファレンス論文委員
2012年9月 - 2014年7月

公益社団法人応用物理学会分科会日本光学会, 光学シンポジウム実行委員

論文

Doping-Free Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter Based on N-Type and P-Type Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors With Aluminum-Scandium Alloy and Tungsten Oxide for Source/Drain Contact

Takamasa Kawanago, Ryosuke Kajikawa, Kazuto Mizutani, Sung-Lin Tsai, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

IEEE Journal of the Electron Devices Society 11 15-21 2023年
Minority carrier lifetime extraction methodology based on parallel pn diodes with a field plate

M. Nishizawa, T. Hoshii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, Y. Daigo, I. Mizushima, T. Yoda, K. Kakushima

Japanese Journal of Applied Physics 61(SH) 2022年7月1日
Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V ( dd ) down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs

Takamasa Kawanago, Takahiro Matsuzaki, Ryosuke Kajikawa, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 61(SC) 2022年5月
On the thickness scaling of ferroelectricity in Al0.78Sc0.22N films

Sung-Lin Tsai, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Tien-Kan Chung, Edward Yi Chang, Kuniyuki Kakushima

Japanese Journal of Applied Physics 60 2021年5月1日
Accurate TCAD simulation of trench-gate IGBTs and its application to prediction of carrier lifetime requirements for future scaled devices

M. Watanabe, N. Shigyo, T. Hoshii, K. Furukawa, K. Kakushima, K. Satoh, T. Matsudai, T. Saraya, T. Takakura, I. Muneta …

2021 5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2021 2021年4月
Erratum: Room-temperature deposition of a poling-free ferroelectric AlScN film by reactive sputtering (Applied Physics Letters (2021)118 (082902) DOI: 10.1063/5.0035335)

Sung-Lin Tsai, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Tien-Kan Chung, Edward Y. Chang, Kuniyuki Kakushima

Applied Physics Letters 118(10) 2021年3月8日
A possible origin of the large leakage current in ferroelectric Al1-x Scx N films

Junji Kataoka, Sung-Lin Tsai, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima

Japanese Journal of Applied Physics 60(3) 2021年3月1日
High field-effect mobility with suppressed negative threshold voltage shift in 4H-SiC MOSFET with cerium oxide interfacial layer

Jinhan Song, Atsuhiro Ohta, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima

Japanese Journal of Applied Physics 60(3) 2021年3月1日
Roomerature deposition of a poling-free ferroelectric AlScN film by reactive sputtering

Sung-Lin Tsai, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Tien-Kan Chung, Edward Y. Chang, Kuniyuki Kakushima

Applied Physics Letters 118(8) 2021年2月22日
N-type conduction of sputter-deposited polycrystalline Al0.78Sc0.22N films by Si ion implantation

Junji Kataoka, Sung-Lin Tsai, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima

Applied Physics Express 14(2) 2021年2月1日
3.3 kV back-gate-controlled IGBT (BC-IGBT) using manufacturable double-side process technology

T. Saraya, K. Itou, T. Takakura, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, M. Tsukuda, K. Satoh, T. Matsudai, K. Kakushima …

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2020-December 5.3.1-5.3.4 2020年12月12日
Hall-effect mobility enhancement of sputtered MoS(2)film by sulfurization even through Al(2)O(3)passivation film simultaneously preventing oxidation

Masaya Hamada, Kentaro Matsuura, Takuro Sakamoto, Haruki Tanigawa, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59(10) 2020年10月
Atomic layer deposition of Y2O3 thin films with a high growth per cycle by Ar multiple boost injection

Jinhan Song, Y. Lin, T. Hoshii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima

Japanese Journal of Applied Physics 59 2020年7月1日
Enhancement-mode accumulation capacitance-voltage characteristics in TiN/ALD-Al2O3/sputtered-MoS2 top-gated stacks

Haruki Tanigawa, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 2020年7月
Bipolar Transistor Test Structures for Extracting Minority Carrier Lifetime in IGBTs

Kiyoshi Takeuchi, Munetoshi Fukui, Takuya Saraya, Kazuo Itou, Toshihiko Takakura, Shinichi Suzuki, Yohichiroh Numasawa, Naoyuki Shigyo, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii …

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 33(2) 159-165 2020年5月査読有り
Electrical characterization of sputter deposited AlxSc1-XN thin films

Sunglin Tsai, Kazuki Kusafuka, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima

ECS Transactions 97(3) 45-48 2020年4月1日
Switching dynamics measurement of ferroelectric Y-doped HfO2 M-I-M capacitor

Yuwei Lin, Kazuto Mizutani, Takuya Hoshii, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima

ECS Transactions 97(3) 39-43 2020年4月1日
Impact of structural parameter scaling on on-state voltage in 1200 V scaled IGBTs

Takuya Saraya, Kazuo Itou, Toshihiko Takakura, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 2020年4月
NiSi2 as a Bottom Electrode for Enhanced Endurance of Ferroelectric Y-doped HfO2 Thin Films

Joel Molina-Reyes, Takuya Hoshii, Shun-Ichiro Ohmi, Hiroshi Funakubo, Atsushi Hori, Ichiro Fujiwara, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima

Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 59 2020年2月19日
Electrical characteristics of atomic layer deposited y-silicate dielectrics

Atsuhiro Ohta, J. Song, T. Hoshii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Kakushima

ECS Transactions 98(3) 153-158 2020年

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MISC

103

電源電圧0.5V動作の高ゲインWSe₂CMOSインバータの実証

川那子高暢, 松崎貴広, 梶川亮介, 宗田伊理也, 星井拓也, 角嶋邦之, 筒井一生, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
Si IGBTの3次元デバイス・シミュレーション-物理モデルの検討と実測結果との比較-

執行直之, 渡辺正裕, 角嶋邦之, 星井拓也, 古川和由, 中島昭, 佐藤克己, 末代知子, 更屋拓哉, 高倉俊彦 …

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 120(239(SDM2020 22-34)) 2020年
分極接合基板における2DEG枯渇電圧の解析的導出

松橋泰平, 星井拓也, 沖田寛昌, 中島昭, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
光電子分光ホログラフィーによるAsドープSi中のドーパント複数サイトの原子配列イメージング

筒井一生, 松下智裕, 名取鼓太郎, 室隆桂之, 森川良忠, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 林好一, 松井文彦 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
光電子ホログラフィー法によるシリコン中に高濃度ドープされた活性および不活性な不純物原子の三次元原子配列構造の観測

筒井一生, 松下智裕, 名取鼓太郎, 小川達博, 室隆桂之, 森川良忠, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 林好一 …

電子情報通信学会技術研究報告 119(96(SDM2019 25-35)) 2019年
光電子ホログラフィーによる半導体中の不純物の3D原子イメージング

筒井一生, 松下智裕, 名取鼓太郎, 小川達博, 室隆桂之, 森川良忠, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 林好一 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
トレンチゲート型si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション

渡辺正裕, 執行直之, 星井拓也, 古川和由, 角嶋邦之, 佐藤克己, 末代知子, 更屋拓哉, 高倉俊彦, 伊藤一夫 …

電子情報通信学会技術研究報告 119(273(SDM2019 68-79)) 2019年
TEGを用いたGaN/AlGaNヘテロ成長の2DHG側界面電荷への影響

松橋泰平, 星井拓也, 沖田寛昌, SANYAL Indraneel, CHEN Yu-Chih, JU Ying-Hao, 中島昭, 角嶋邦之, 若林整, CHYI Jen-Inn …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年
TEGを用いたAlGaN/GaNヘテロ成長の2DEG側界面電荷への影響

沖田寛昌, 星井拓也, 松橋泰平, SANYAL Indraneel, CHEN Yu-Chih, JU Ying-Hao, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年
3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage

Saraya, Takuya, Itou, Kazuo, Takakura, Toshihiko, Fukui, Munetoshi, Suzuki, Shinichi, Takeuchi, Kiyoshi, Tsukuda, Masanori, Numasawa, Yohichiroh, Satoh, Katsumi, Matsudai, Tomoko …

2019 31ST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD) 43-46 2019年
Impact of three-dimensional current flow on accurate TCAD simulation for trench-gate IGBTs

Watanabe, Masahiro, Shigyo, Naoyuki, Hoshii, Takuya, Furukawa, Kazuyoshi, Kakushima, Kuniyuki, Satoh, Katsumi, Matsudai, Tomoko, Saraya, Takuya, Takakura, Toshihiro, Itou, Kazuo …

2019 31ST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD) 311-314 2019年
Analyses of 3D atomic arrangements of impurity atoms doped in silicon by spectro-photoelectron holography technique

Kazuo Tsutsui, Tomohiro Matsushita, Takayuki Muro, Yoshitada Morikawa, Kotaro Natori, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Kouichi Hayashi, Fumihiko Matsui …

2018 18th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2018 2018-January 1-6 2018年4月2日
分極接合基板のAlGaN/GaN界面における界面準位

星井拓也, 高山留美, 鶴田脩真, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.19p‐C302‐17 2018年3月5日
立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの貫通転位の低減

濱田拓也, 黒岩宏紀, 高橋言緒, 井手利英, 清水三聡, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋, 筒井一生

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.19p‐C302‐18 2018年3月5日
AlGaN/GaN界面準位が分極接合基板上p-MOSFETの電流特性に与える影響

鶴田脩真, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年
三次元スケーリングによるIGBTのV[CEsat]低減の実験的検証 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

筒井一生, 角嶋邦之, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 若林整, 宗田伊理也, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉 …

電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan 2017(74) 1-6 2017年11月21日
三次元スケーリングによるIGBTのV[CEsat]低減の実験的検証 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

筒井一生, 角嶋邦之, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 若林整, 宗田伊理也, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉 …

電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan 2017(173) 1-6 2017年11月21日
三次元スケーリングによるIGBTのV_CEsat低減の実験的検証

筒井一生, 角嶋邦之, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 若林整, 宗田伊理也, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉 …

電気学会電子デバイス研究会資料 EDD-17(74-86) 1‐6 2017年11月20日
AlGaN/GaN HEMT構造におけるドット形凹凸AlGaN層形成によるコンタクト抵抗低減の検討

渡部拓巳, 久永真之佑, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋, 筒井一生

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.6p‐PA8‐18 2017年8月25日
分極接合基板上PチャネルGaN MOS構造の特性評価

高山留美, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.6p‐PA8‐19 2017年8月25日

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共同研究・競争的資金等の研究課題

高移動度二次元正孔ガスpチャネルGaNトランジスタの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2021年4月 - 2025年3月

星井拓也
選択成長Fin構造による動作形態の異なるGaN系立体チャネルトランジスタの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2019年4月 - 2023年3月

筒井一生, 清水三聡, 星井拓也, 角嶋邦之, 山田永
選択成長法を用いたGaN系立体チャネル型トランジスタの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2015年4月 - 2020年3月

筒井一生, 清水三聡, 星井拓也, 角嶋邦之, 中島昭
Si基板上光学素子作製のための低損失バッファー層の開発と高機能デバイスの実現

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2015年4月 - 2019年3月

星井拓也
半導体中不純物の3D構造制御と低損失・高効率デバイスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2014年7月 - 2019年3月

筒井一生, 武田さくら, 若林整, 角嶋邦之, 佐藤信太郎, 森大輔, 星井拓也, 岩井洋, 川村朋晃
シリコン基板上のIII-V族化合物半導体MISFETの形成とその特性評価

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費特別研究員奨励費 2009年 - 2010年

星井拓也

産業財産権

特開2015-117147 ガラス部材の製造方法及びガラス部材

岡田至崇, 宮野健次郎, 杉山正和, タマヨ・ルイス, エフライン・エドアルド, 渡辺健太郎, 星井拓也, 玉置亮
特許第5499319号半導体デバイス及びその製造方法

高木信一, 竹中充, 星井拓也
特許第5499319号半導体デバイス及びその製造方法

高木信一, 竹中充, 星井拓也

星井拓也

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共同研究・競争的資金等の研究課題

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