吉原拓也 (Takuya Yoshihara) - マイポータル

基本情報

所属: 北海道大学大学院教育推進機構　先端人材育成センター教授 (副機構長、先端人材育成センター長、博士人材育成部長)

学位: 博士(工学）(大阪大学)

J-GLOBAL ID: 201501020797515619
researchmap会員ID: B000245933

外部リンク: http://cofre.synfoster.hokudai.ac.jp

研究分野

その他 / その他 /

委員歴

2025年6月 - 現在

文部科学省中央教育審議会, 臨時委員（大学院部会）

論文

Dual workfunction Ni-silicide/HfSiON gate stacks by phase-controlled full-silicidation (PC-FUSI) technique for 45nm-node LSTP and LOP devices

K Takahashi, K Manabe, T Ikarashi, N Ikarashi, T Hase, T Yoshihara, H Watanabe, T Tatsumi, Y Mochizuki

IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 2004, TECHNICAL DIGEST 91-94 2004年査読有り

MISC

グローバルな知財の調達 (特集グローバルな知的財産戦略)

吉原拓也

知財研フォーラム 93 15-20 2013年
知財ビジネス交渉学(基礎)--交渉学のスゝメ (知財ビジネスアカデミー 2005年度プレコースを終えて)

久保行幸, 中村正之, 吉原拓也

パテント 59(4) 93-95 2006年4月
授業法基礎:大学で知財を教える人への必須科目--考え抜く力 (知財ビジネスアカデミー 2005年度プレコースを終えて)

吉原拓也

パテント 59(4) 96-98 2006年4月
相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価

高橋健介, 間部謙三, 五十嵐多恵子, 五十嵐信行, 長谷卓, 吉原拓也, 渡部平司, 辰巳徹, 望月康則

電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2005(22) 31-35 2005年6月3日
Fully silicided NiSi gate electrodes on HNON gate dielectrics for low-power applications

K Manabe, K Takahashi, T Ikarashi, A Morioka, H Watanabe, T Yoshihara, T Tatsumi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44(4B) 2205-2209 2005年4月
High-mobility dual metal gate MOS transistors with high-k gate dielectrics

K Takahashi, K Manabe, A Morioka, T Ikarashi, T Yoshihara, H Watanabe, T Tatsumi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44(4B) 2210-2213 2005年4月
Formation of nickel self-aligned silicide by using cyclic deposition method

K Terashima, Y Miura, N Ikarashi, M Oshida, K Manabe, T Yoshihara, M Tanaka, H Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44(4B) 2235-2239 2005年4月
組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

高橋健介, 間部謙三, 五十嵐多恵子, 五十嵐信行, 長谷卓, 吉原拓也, 渡部平司, 辰巳徹, 望月康則

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 104(577) 21-24 2005年1月14日
Fully Silicided NiSi Gates on HfSiON Gate Dielectrics for Low Power Application

MANABE Kenzo, TAKAHASHI Kensuke, IKARASHI Taeko, MORIOKA Ayuka, WATANABE Heiji, YOSHIHARA Takuya, TATSUMI Toru

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2004 18-19 2004年9月15日
High Mobility Dual Metal Gate MOS Transistors with High-k Gate Dielectrics

TAKAHASHI Kensuke, MANABE Kenzo, MORIOKA Ayuka, IKARASHI Taeko, YOSHIHARA Takuya, WATANABE Heiji, TATSUMI Toru

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2004 22-23 2004年9月15日
Formation of Nickel Self-Aligned Silicide by Using Cyclic Deposition Method

TERASHIMA Koichi, MIURA Yoshinao, IKARASHI Nobuyuki, OSHIDA Makiko, MANABE Kenzo, YOSHIHARA Takuya, TANAKA Masayasu, WAKABAYASHI Hitoshi

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2004 182-183 2004年9月15日
X-ray mask distortion induced in back-etching preceding subtractive fabrication: Resist and absorber stress effect

S Tsuboi, Y Yamashita, T Matsuo, T Ohta, T Shoki, T Yoshihara, T Taguchi, S Mitsui, S Noda, K Suzuki …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 35(5A) 2845-2850 1996年5月

書籍等出版物

事業戦略と知的財産マネジメント

工業所有権情報研修館, 工業所有権情報, 研修館, 経済産業省特許庁

発明協会 2010年7月 (ISBN: 4827109699)

講演・口頭発表等

北海道大学の博士人材育成と博士のキャリアに関する課題

吉原拓也

文部科学省中央教育審議会大学分科会大学院部会（第119回） 2025年8月18日招待有り
博士課程学生のための就職ガイダンス

吉原拓也

大阪大学キャリアセンターガイダンス 2025年6月11日招待有り
北海道大学における博士人材育成の取組および博士人材コンソーシアムの取組

吉原拓也

内閣府大学支援フォーラムPEAKS博士人材の活躍に向けた産学官連携プラットフォームサブ会合第２弾 2025年5月14日招待有り
先端人材育成センターの活動紹介と問題提起

吉原拓也

北海道大学キャリア支援シンポジウム 2025年3月14日招待有り
北海道大学及び博士人材育成コンソーシアムでの博士人材育成の取組について

吉原拓也

未来共創イニシアティブ特別ウェビナー博士の力でビジネスを変える～企業の新たな価値創出に向けて～ 2025年1月17日招待有り