論文

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2024年3月3日

New Steep Subthreshold Slope Device “Gate-Controlled Carrier-Injection SOI-Transistor”

2024 8th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM)

Haruki Yonezaki
Takayuki Mori
Jiro Ida

記述言語: 英語
掲載種別: 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI: 10.1109/edtm58488.2024.10511730
出版者・発行元: IEEE

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DOI: https://doi.org/10.1109/edtm58488.2024.10511730
URL: http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10511270/10511310/10511730.pdf?arnumber=10511730

ID情報

DOI : 10.1109/edtm58488.2024.10511730

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