2024年6月15日
Steep Slope Device “N-type Gate-Controlled Carrier-Injection SOI-Transistor”: Suppression of Hysteresis by Ar-ion Implantation and Possibility of CMOS
2024 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)
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- 巻
- 479
- 号
- 開始ページ
- 57
- 終了ページ
- 58
- 記述言語
- 掲載種別
- 研究論文（国際会議プロシーディングス）
- DOI
- 10.1109/snw63608.2024.10639213
- 出版者・発行元
- IEEE
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.1109/snw63608.2024.10639213