濱野誉 (Takashi Hamano) - マイポータル

基本情報

所属: 京都大学大学院工学研究科航空宇宙工学専攻

J-GLOBAL ID: 202101005314638617
researchmap会員ID: R000016869

経歴

2020年4月 - 現在

日本学術振興会, 特別研究員DC1

学歴

2020年4月 - 現在

京都大学, 工学研究科, 航空宇宙工学専攻
2018年4月 - 2020年3月

京都大学, 工学研究科, 航空宇宙工学専攻
2014年4月 - 2018年3月

京都大学, 工学部, 物理工学科

受賞

2022年7月

吉田研究奨励賞, 京都大学
2021年11月

DPS2019 Young Researcher Award
2021年3月

研究奨励賞, シリコンテクノロジー分科会
2021年3月

関西奨励賞, 応用物理学会関西支部
2021年1月

ポスター賞（最優秀賞）, 応用物理学会関西支部
2020年11月

MFSK Award, IEEE EDS Kansai Chapter
2020年10月

馬詰研究奨励賞, 京都大学

論文

Study on Ion Flux From Magnetically Confined Low-Pressure Arc Discharge With a Thermionic Cathode to Substrate for High-Throughput Film Deposition Processes

Yuya Asamoto, Keiichiro Urabe, Takayuki Matsuda, Takashi Hamano, Masao Noma, Michiru Yamashita, Shigehiko Hasegawa, Koji Eriguchi

IEEE Transactions on Plasma Science 52(6) 2333-2342 2024年6月
Spectroscopic ellipsometry characterization of boron nitride films synthesized by a reactive plasma-assisted coating method

Takashi Hamano, Takayuki Matsuda, Yuya Asamoto, Masao Noma, Shigehiko Hasegawa, Michiru Yamashita, Keiichiro Urabe, Koji Eriguchi

Applied Physics Letters 120(3) 031904-031904 2022年1月17日査読有り筆頭著者
Model analysis for effects of spatial and energy profiles of plasma process-induced defects in Si substrate on MOS device performance

Takashi Hamano, Keiichiro Urabe, Koji Eriguchi

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2020- 125-127 2020年9月23日
Improvement of the plasma‐induced defect generation model in Si substrates and the optimization design framework

Koji Eriguchi, Takashi Hamano, Keiichiro Urabe

Plasma Processes and Polymers 16(9) 1900058-1900058 2019年9月査読有り
Investigation of spatial and energy profiles of plasma process-induced latent defects in Si substrate using capacitance–voltage characteristics

Takashi Hamano, Keiichiro Urabe, Koji Eriguchi

Journal of Physics D: Applied Physics 2019年7月25日査読有り筆頭著者
Incident ion dose evolution of damaged layer thickness in Si substrate exposed to Ar and He plasmas

Takashi Hamano, Koji Eriguchi

Japanese Journal of Applied Physics 57(6S2) 06JD02-06JD02 2018年6月1日査読有り筆頭著者

MISC

Ion irradiation-induced sputtering and surface modification of BN films prepared by a reactive plasma-assisted coating technique

T. Matsuda, T. Hamano, Y. Asamoto, M. Noma, M. Yamashita, S. Hasegawa, K. Urabe, K. Eriguchi

Japanese Journal of Applied Physics 61(SI) 2022年7月1日
イオンフラックス制御型反応性プラズマ支援成膜法による窒化ホウ素膜構造制御に関する研究

松田崇行, 濱野誉, 朝本雄也, 野間正男, 山下満, 長谷川繁彦, 占部継一郎, 江利口浩二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
熱電子供給型真空アーク放電の放電電流決定機構に基づくプロセス制御

朝本雄也, 松田崇行, 濱野誉, 野間正男, 長谷川繁彦, 山下満, 占部継一郎, 江利口浩二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年

講演・口頭発表等

電気容量解析に基づくSi基板内のプラズマプロセス誘起欠陥のギャップ内準位分布予測

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日招待有り
Effects of Variability in Plasma-Induced Damage to Si Substrate on Device Performance and Its Application to Variability Assessment Methodology

第20回関西コロキアム電子デバイスワークショップ 2020年11月27日招待有り
過渡的プラズマダメージ形成過程を考慮したプロセスデザインの検討

応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第215回研究集会 2019年2月8日招待有り

所属学協会

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

確率過程論に基づくプラズマ―材料原子スケール相互作用の解明と材料特性制御への展開

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費特別研究員奨励費 2020年4月 - 2023年3月

濱野誉

濱野誉

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学歴

受賞

論文

MISC

講演・口頭発表等

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

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