女屋崇 (Takashi Onaya) - マイポータル

基本情報

所属: 国立研究開発法人物質・材料研究機構ナノアーキテクトニクス材料研究センター半導体材料分野超薄膜エレクトロニクスグループ研究員
: 東京大学大学院新領域創成科学研究科 (客員連携研究員)

研究者番号: 40933370
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0002-2710-8623
J-GLOBAL ID: 202101010931507086
Researcher ID: JUF-3927-2023
researchmap会員ID: R000019550

研究キーワード

研究分野

経歴

2025年5月 - 現在

東京大学, 大学院新領域創成科学研究科 (客員連携研究員)
2025年4月 - 現在

国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター半導体材料分野超薄膜エレクトロニクスグループ, 研究員
2022年12月 - 2025年3月

東京大学, 大学院新領域創成科学研究科物質系専攻マテリアル・機能設計学講座, 助教 (令和4年度文部科学省卓越研究員&令和4年度東京大学卓越研究員)
2021年4月 - 2022年11月

国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域デバイス技術研究部門先端CMOS技術研究グループ, 日本学術振興会特別研究員PD
2018年4月 - 2021年3月

明治大学, 理工学研究科電気工学専攻, 日本学術振興会特別研究員DC1
2019年4月 - 2020年4月

The University of Texas at Dallas, Department of Materials Science and Engineering, Research Assistant/Visiting Researcher
2016年4月 - 2018年3月

国立研究開発法人物質・材料研究機構, NIMSジュニア研究員

学歴

委員歴

2025年1月 - 現在

Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), Atomic Layer Processing (ALP) session, Section Sub Head
2024年6月 - 現在

電気学会, 最先端ナノエレクトロニクス技術調査専門委員会, 委員
2024年11月 - 2025年12月

2025 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Steering committee member
2024年4月 - 2024年12月

Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), Atomic Layer Processing (ALP) session, Committee member

受賞

2025年3月

第2回シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞）, 原子層堆積法を用いたHfO2系強誘電体薄膜の結晶構造制御, 応用物理学会

女屋崇
2024年6月

第13回新化学技術研究奨励賞, 原子層スケールの化学反応制御に基づくHfO2系ナノラミネート強誘電体薄膜の創製, 公益社団法人新化学技術推進協会(JACI)

女屋崇
2024年3月

第15回(2023年度)応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞, Wake-up-free properties and high fatigue resistance of HfxZr1-xO2-based metal-ferroelectric-semiconductor using top ZrO2 nucleation layer at low thermal budget (300 °C), 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会

女屋崇, 生田目俊秀, 井上万里, 澤田朋実, 太田裕之, 森田行則
2023年10月

IWDTF Young Researcher Award, Origin of Fatigue Properties Induced by Oxygen Vacancies Originating from Ferroelectric-HfxZr1−xO2/TiN Interface Reaction During Field Cycling, 応用物理学会薄膜・表面物理分科会及びシリコンテクノロジー分科会

女屋崇
2022年5月

Featured Article, Wake-up-free properties and high fatigue resistance of HfxZr1−xO2-based metal–ferroelectric–semiconductor using top ZrO2 nucleation layer at low thermal budget (300°C), APL Materials (AIP Publishing)

女屋崇
2021年10月

Excellent Poster Presentation Award, Control of ferroelectric phase formation in HfxZr1−xO2 thin films using nano-ZrO2 nucleation layer technique, WPI-MANA, NIMS

女屋崇
2019年10月

Best Poster Award, Comparison of Reliability of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films Fabricated by Several Processes with Plasma-Enhanced and Thermal Atomic Layer Deposition, IEEE

女屋崇
2018年9月

第44回応用物理学会講演奨励賞, 上下ZrO2核生成層によるHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の改善, 応用物理学会

女屋崇
2018年1月

安田賞（口頭発表）, 上下ZrO2核生成層を用いたHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の向上, 応用物理学会薄膜・表面物理分科会及びシリコンテクノロジー分科会

女屋崇
2017年11月

Young Award, Improvement in ferroelectricity of HfxZr1-xO2 thin films using double nanocrystal ZrO2 layers, The Japan Society of Applied Physics, Thin Film and Surface Physics Division

女屋崇
2016年3月

学業成績優秀賞, 明治大学電気電子生命学科

女屋崇
2014年4月

神保賞, 明治大学電気電子生命学科

女屋崇

論文

Anomalous formation of carbon-related defects during high temperature Ar annealing in 4H-SiC enhanced by prior thermal oxidation

Chuyang Lyu, Takashi Onaya, Koji Kita

Applied Physics Express 2025年10月1日
Detection of defects with carbon-carbon single-bonds in near-surface region of SiC induced by low-oxygen-partial-pressure annealing by using FTIR

Chuyang Lyu, Takashi Onaya, Koji Kita

APPLIED PHYSICS EXPRESS 18(2) 2025年2月1日
Low-Temperature Annealing in O₂ to Annihilate the Fixed Charges in 4H-SiC/SiO₂ Interface Induced by High-N-Density Nitridation Process

Tianlin Yang, Takashi Onaya, Koji Kita

IEEE Electron Device Letters 45(7) 1145-1148 2024年7月
(Invited) Role of Oxidant Gas for Atomic Layer Deposition of Hf_xZr_1−XO₂ Thin Films on Ferroelectricity of Metal-Ferroelectric-Metal Capacitors

Takashi Onaya, Koji Kita

ECS Transactions 113(2) 51-59 2024年5月17日
Enhancement of remnant polarization in ferroelectric HfO₂ thin films induced by mechanical uniaxial tensile strain after the crystallization process

Tatsuya Inoue, Takashi Onaya, Koji Kita

Applied Physics Express 17(5) 051003-051003 2024年5月1日
Development of ferroelectricity with crystallographic phase transformation in Hf_0.5Zr_0.5O₂ thin films upon initial stimulation of an electric field exceeding the coercive field

Yukinori Morita, Takashi Onaya, Shutaro Asanuma, Hiroyuki Ota, Shinji Migita

Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 04SP53-04SP53 2024年4月1日
Effects of oxidant gas for atomic layer deposition on crystal structure and fatigue of ferroelectric HfxZr1−xO2 thin films

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Jiyoung Kim, Chang-Yong Nam, Esther H.R. Tsai, Koji Kita

Solid-State Electronics 108801-108801 2023年10月
Toward Low-Thermal-Budget Hafnia-Based Ferroelectrics via Atomic Layer Deposition

Kim, J.-H., Onaya, T., Park, H.R., Jung, Y.C., Le, D.N., Lee, M., Hern, ez-Arriaga, H., Zhang, Y., Tsai, E.H.R. …

ACS Applied Electronic Materials 5(9) 2023年9月26日
(Invited) Fabrication Technique of Ferroelectric Hf_xZr_1XO₂Thin Films Using ALD-ZrO₂Nucleation Layers

Takashi ONAYA

ECS Transactions 2023年
Wake-up-free properties and high fatigue resistance of HfxZr1-xO2-based metal-ferroelectric-semiconductor using top ZrO2 nucleation layer at low thermal budget (300 degrees C)

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita

APL MATERIALS 10(5) 2022年5月
Relaxation Induced by Imprint Phenomena in Low-Temperature (400 degrees C) Processed Hf0.5Zr0.5O2-Based Metal-Ferroelectric-Metal Capacitors

Jaidah Mohan, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jin-Hyun Kim, Takashi Onaya, Akshay Sahota, Su Min Hwang, Dan N. Le, Jiyoung Kim, Si Joon Kim

ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS 4(4) 1405-1414 2022年4月
Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition

Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takashi Onaya, Koji Shiozaki, Ryota Ochi …

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 39(6) 2021年12月
Influence of adsorbed oxygen concentration on characteristics of carbon-doped indium oxide thin-film transistors under bias stress

Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60(SC) 2021年6月
Comparison of characteristics of thin-film transistor with In2O3 and carbon-doped In2O3 channels by atomic layer deposition and post-metallization annealing in O-3

Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60(3) 2021年3月
Ferroelectric polarization retention with scaling of Hf0.5Zr0.5O2 on silicon

Jaidah Mohan, Heber Hernandez-Arriaga, Yong Chan Jung, Takashi Onaya, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, Si Joon Kim, Jiyoung Kim

APPLIED PHYSICS LETTERS 118(10) 2021年3月
Correlation between ferroelectricity and ferroelectric orthorhombic phase of HfxZr1-xO2 thin films using synchrotron x-ray analysis

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, Takahiro Nagata …

APL MATERIALS 9(3) 2021年3月
Study of HfO 2-Based High-k Gate Insulators for GaN Power Device

Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Ryota Ochi, Tomomi Sawada, Yoshihiro Irokawa, Tamotsu Hashizume, Koji Shiozaki, Takashi Onaya …

ECS Transactions 104(4) 113-120 2021年
Importance of Annealing Step on Dielectric Constant of ZrO 2 Layer of MIM Capacitors with Al 2O 3/ZrO 2 and ZrO 2/Al 2O 3 Stack Structures

Tomomi Sawada, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Kazuhito Tsukagoshi

ECS Transactions 104(4) 121-128 2021年
Study of SiO 2 Interfacial Layer Growth during Fabrication Process of Ferroelectric Hf xZr 1-XO 2-Based Metal-Ferroelectric Semiconductor

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita

ECS Transactions 104(4) 129-135 2021年
Improvement in ferroelectricity and breakdown voltage of over 20-nm-thick HfxZr1-xO2/ZrO2 bilayer by atomic layer deposition

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim …

APPLIED PHYSICS LETTERS 117(23) 2020年12月

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MISC

テキサスでの研究留学生活

女屋崇

表面と真空 63(2) 84-85 2020年2月10日
ZrO₂シード層がHf[x]Zr1-xO₂薄膜の強誘電性へ及ぼす効果—Effect of ZrO₂ seed layer on ferroelectricity of Hf[x]Zr1-xO₂ thin film—シリコン材料・デバイス

女屋崇, 生田目俊秀, 澤本直美, 大井暁彦, 池田直樹, 知京豊裕, 小椋厚志

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(260) 39-44 2017年10月
ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl₂O₃層が電気特性に及ぼす効果—Effect of Al₂O₃ layer on leakage current properties for DRAM capacitor with ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂ multilayer—シリコン材料・デバイス

女屋崇, 生田目俊秀, 澤田朋実, 栗島一徳, 澤本直美, 大井暁彦, 知京豊裕, 小椋厚志

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(118) 27-32 2016年6月29日

講演・口頭発表等

Design of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films and Interfaces Formation Process by Using Atomic Layer Deposition

Takashi Onaya, Haoming Che, Rina Takahisa, Koji Kita, Toshihide Nabatame

249th ECS Meeting 招待有り
強誘電性の向上へ向けたHfO2系強誘電体薄膜と電極の界面設計の重要性

女屋崇

電気学会C部門電子材料研究会マルチ機能デバイス実現に向けた材料、プロセス・評価技術の開拓 2025年11月25日招待有り
Interface Engineering for Crystal Phase Control and High Fatigue Resistance in Ferroelectric HfO2-Based Thin Films

Takashi Onaya

2025 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices –Science and Technology– (IWDTF 2025) 2025年11月招待有り
Impact of Ferroelectric HfxZr1−xO2/TiN Interface Design on Ferroelectricity and Fatigue Behavior of Metal-Ferroelectric-Metal Capacitors

Takashi Onaya

248th ECS Meeting 2025年10月13日招待有り
原子層堆積法を用いた薄膜形成プロセスにおける酸化剤の重要性

女屋崇

日本オゾン協会第34回年次研究講演会 2025年6月27日招待有り
原子層堆積法を用いた薄膜・界面設計によるHfO2系強誘電体材料の結晶構造制御

女屋崇

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月14日招待有り
HfO2系強誘電体薄膜/電極の界面設計による結晶構造制御

女屋崇

Controlled growth and characterization 研究会 2024-II 2024年12月20日招待有り
Understanding of oxidant gas effect on crystal structure and ferroelectricity of atomic layer deposited HfxZr1−xO2 thin films using synchrotron X-ray analysis

Takashi Onaya, Koji Kita

37th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2024) 2024年11月招待有り
Design of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films by Atomic Layer Deposition

T. Onaya, K. Kita

1st Asia-Pacific Atomic Layer Deposition Conference (AP-ALD 2024) 2024年10月招待有り
Design Of Interface Formation Process Of Ferroelectric-HfxZr1−xO2/TiN Interface For Metal–Ferroelectric–Metal Capacitors With High Fatigue Resistance

Takashi Onaya, Koji Kita

Global Conference on Innovation Materials 2024 (GCIM 2024) 2024年6月招待有り
Role of Oxidant Gas for Atomic Layer Deposition of HfxZr1−xO2 Thin Films on Ferroelectricity of Metal-Ferroelectric-Metal Capacitors

Takashi Onaya, Koji Kita

245th ECS Meeting 2024年5月招待有り
ALD-ZrO2核生成層を用いた強誘電体HfxZr1−xO2薄膜の形成技術とそのMFS構造への応用

女屋崇, 生田目俊秀, 井上万里, 澤田朋実, 太田裕之, 森田行則

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月招待有り
Fabrication Technique of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films Using ALD-ZrO2 Nucleation Layers

Takashi Onaya

244th ECS Meeting 2023年10月招待有り
ナノZrO2核生成層を用いた強誘電体HfxZr1−xO2薄膜の作製技術”, 第79回応用物理学会秋季学術講演会

女屋崇, 生田目俊秀, 澤本直美, 大井暁彦, 池田直樹, 長田貴弘, 小椋厚志

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月招待有り

担当経験のある科目(授業)

2023年4月

マテリアル工学基礎及び演習Ⅰ (東京大学)

所属学協会

2024年5月 - 現在

一般社団法人電気学会
2015年1月 - 現在

公益社団法人応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

ハフニア系強誘電体薄膜/電極界面の原子層スケールでの界面反応制御指針の明確化

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究 2024年4月 - 2026年3月

女屋崇
原子層堆積技術によるHfO2系強誘電体薄膜/電極のナノ界面設計

一般財団法人サムコ科学技術振興財団 2024年度第8回研究助成 2024年10月 - 2025年9月
原⼦層堆積法を⽤いた機能性ナノ薄膜設計及びナノ界⾯制御を組み合わせた技術体系構築

独立行政法人日本学術振興会卓越研究員事業 2022年12月 - 2025年3月
原子層スケールの化学反応制御に基づくHfO2系ナノラミネート強誘電体薄膜の創製

公益社団法人新化学技術推進協会(JACI) 第13回新化学技術研究奨励賞 2024年6月
Role of Oxidant Gas for Atomic Layer Deposition of HfxZr1−xO2 Thin Films on Ferroelectricity of Metal-Ferroelectric-Metal Capacitors

一般財団法人丸文財団第28回(令和6年度)国際交流助成 2024年5月
人工シナプス素子実現に向けたハフニア系強誘電体による新規不揮発性多値メモリの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費 2021年4月 - 2024年3月

女屋崇
原子層堆積法によるZrO2核生成層を用いた高品質HfO2系強誘電体ナノ薄膜の作製

公益財団法人村田学術振興財団第39回(2023年度)海外派遣援助 2023年10月
原子層堆積法による新規超薄膜ＨｆｘＺｒ１－ｘＯ２強誘電体の３次元構造デバイス応用

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費 2018年4月 - 2021年3月

女屋崇
新規領域選択的原子層堆積法を用いた強誘電体HfxZr1-xO2超薄膜に関する研究

明治大学明治大学大学院博士後期課程国際共同研究推進プログラム 2019年4月 - 2020年2月

女屋崇

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学歴

委員歴

受賞

論文

MISC

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

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