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2016年8月20日

低照度ダブルパルスビームを用いたワイドバンドギャップ半導体のナノ表面励起加工に関する研究

精密工学会大会学術講演会講演論文集

林照剛
松永啓伍
黒河周平
横尾英昭
松川洋二
長谷川登
錦野将元
乙部智仁
熊田高之

巻: 2016
号: 0
開始ページ: ROMBUNNO.D77
終了ページ: 222
記述言語: 日本語
掲載種別
DOI: 10.11522/pscjspe.2016A.0_221
出版者・発行元: 公益社団法人精密工学会

筆者らは，フェムト秒レーザーによる光表面励起効果を利用し，ワイドバンドギャップ半導体表面を低照度ビームで加工する，低照度ダブルパルスビームによる表面励起加工技術を提案している．本研究では，ワイドバンドギャップ半導体の損傷閾値以下の照度のレーザーで，半導体表面のナノ加工を行った結果について報告する．

リンク情報

DOI: https://doi.org/10.11522/pscjspe.2016A.0_221
J-GLOBAL: https://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201602235587906074
CiNii Articles: http://ci.nii.ac.jp/naid/130005244210
URL: http://jglobal.jst.go.jp/public/201602235587906074

ID情報

DOI : 10.11522/pscjspe.2016A.0_221
J-Global ID : 201602235587906074
CiNii Articles ID : 130005244210
identifiers.cinii_nr_id : 9000345226428
ORCIDのPut Code : 138155815

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