竹中充 (Mitsuru Takenaka) - マイポータル

基本情報

所属: 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻教授

学位: 博士（工学）(2003年3月東京大学)

J-GLOBAL ID: 201801015230026616
researchmap会員ID: B000322151

シリコンフォトニクスを用いた光電子集積回路について研究。

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 半導体デバイス

経歴

2008年4月 - 現在

東京大学, 大学院工学系研究科電気系工学専攻, 准教授
2008年10月 - 2012年3月

JSTさきがけ, 「革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス」領域, 研究者
2007年4月 - 2008年3月

東京大学, 大学院工学系研究科電気工学専攻, 講師
2003年4月 - 2007年3月

光産業技術振興協会, 研究員

学歴

2000年4月 - 2003年3月

東京大学, 大学院工学系研究科, 電子工学専攻博士課程
1998年4月 - 2000年3月

東京大学, 大学院工学系研究科, 電子工学専攻修士課程
1996年4月 - 1998年3月

東京大学, 工学部, 電子工学科
1994年4月 - 1996年3月

東京大学, 教養課程理科I類

論文

469

Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Extremely-Thin Body (100) Silicon-Germanium-on-Insulator p-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor by Oil-Immersion Raman Spectroscopy

Yuiha Maeda, Ryo Yokogawa, Sho Sugawa, Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Atsushi Ogura

ECS Transactions 112(1) 37-43 2023年9月29日
Low specific contact resistance between InAs/Ni–InAs evaluated by multi-sidewall TLM

Kei Sumita, Jun Takeyasu, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

AIP Advances 13(5) 2023年5月5日
Interpretation of mobility universality against effective electric field of Si nMOSFETs based on nonlinear model of surface roughness scattering

Kei Sumita, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru TAKENAKA, Shinichi TAKAGI

Applied Physics Express 2023年5月
Proposal of Low-Loss Non-Volatile Mid-Infrared Optical Phase Shifter Based on Ge₂Sb₂Te₃S₂

Yuto Miyatake, Kotaro Makino, Junji Tominaga, Noriyuki Miyata, Takashi Nakano, Makoto Okano, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi, Mitsuru Takenaka

IEEE Transactions on Electron Devices 70(4) 2106-2112 2023年4月
Effects of post-deposition annealing temperature and atmosphere on interface properties in ALD Al₂O₃/plasma oxidation GeO _x /(111) and (100) n-Ge MOS structures

Xueyang Han, Chia-Tsong Chen, Mengnan Ke, Ziqiang Zhao, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

Japanese Journal of Applied Physics 62({SC}) 2023年3月10日
Effect of Hf_xZr_1−xO₂/Ge metal–ferroelectrics–insulator–semiconductor interfaces on polarization reversal behavior

Koichiro Iwashige, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

Japanese Journal of Applied Physics 62({SC}) 2023年3月
Influence of substrate impurity concentration on sub-threshold swing of Si n-channel MOSFETs at cryogenic temperatures down to 4 K

Min-Soo Kang, Kei Sumita, Hiroshi Oka, Takahiro Mori, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

Japanese Journal of Applied Physics 62({SC}) 2023年2月9日
Accurate evaluation of interface trap density at InAs MOS interfaces by using C-V curves at low temperatures

Ryohei Yoshizu, Kei Sumita, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru TAKENAKA, Shinichi TAKAGI

Japanese Journal of Applied Physics 2023年1月10日
Formulation of Ground States for 2DEG at Rough Surfaces and Application to Nonlinear Model of Surface Roughness Scattering in nMOSFETs

Kei Sumita, Min-Soo Kang, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

IEEE Journal of the Electron Devices Society 11 216-229 2023年
Low Operating Voltage, Improved Breakdown Tolerance, and High Endurance in Hf_0.5Zr_0.5O₂ Ferroelectric Capacitors Achieved by Thickness Scaling Down to 4 nm for Embedded Ferroelectric Memory

Kasidit Toprasertpong, Kento Tahara, Yukinobu Hikosaka, Ko Nakamura, Hitoshi Saito, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

ACS Applied Materials & Interfaces 14(45) 51137-51148 2022年11月2日
Non-volatile compact optical phase shifter based on Ge₂Sb₂Te₅ operating at 2.3 µm

Yuto Miyatake, Chong Pei Ho, Prakash Pitchappa, Ranjan Singh, Kotaro Makino, Junji Tominaga, Noriyuki Miyata, Takashi Nakano, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi …

Optical Materials Express 12(12) 4582-4582 2022年11月
On the strong coupling of polarization and charge trapping in HfO2/Si-based ferroelectric field-effect transistors: overview of device operation and reliability

Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

Applied Physics A 128(12) 2022年11月
(Invited) Extremely-Thin Body Goi Channel Technology in Nano-Sheet FET Era

Shinichi Takagi, Chia-Tsong Chen, Xueyang Han, Kei Sumita, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka

ECS Transactions 109(4) 59-71 2022年9月
Ge-on-insulator Platform for Mid-infrared Photonic Integrated Circuits

Mitsuru Takenaka, Ziqiang Zhao, Chong Pei Ho, Takumi Fujigaki, Tipat Piyapatarakul, Yuto Miyatake, Rui Tang, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi

ECS Transactions 109(4) 47-58 2022年9月
Evaluation of Strained Group IV Semiconductor Devices by Oil-Immersion Raman Spectroscopy

Ryo Yokogawa, Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Atsushi Ogura

ECS Transactions 109(4) 351-357 2022年9月
Two-layer integrated photonic architectures with multiport photodetectors for high-fidelity and energy-efficient matrix multiplications

Rui Tang, Makoto Okano, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi, Dirk Englund, Mitsuru Takenaka

Optics Express 30(19) 33940-33940 2022年9月1日
Reservoir computing on a silicon platform with a ferroelectric field-effect transistor

Kasidit Toprasertpong, Eishin Nako, Zeyu Wang, Ryosho Nakane, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

Communications Engineering 1(1) 2022年8月5日
Si Microring Resonator Crossbar Array for On-Chip Inference and Training of the Optical Neural Network

Shuhei Ohno, Rui Tang, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi, Mitsuru Takenaka

ACS Photonics 9(8) 2614-2622 2022年7月
Modulation bandwidth improvement of III-V/Si hybrid MOS optical modulator by reducing parasitic capacitance

Hanzhi Tang, Qiang Li, Chong Pei Ho, Junichi Fujikata, Masataka Noguchi, Shigeki Takahashi, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi, Mitsuru Takenaka

Optics Express 30(13) 22848-22859 2022年6月20日
Monolithic integration of electro-absorption modulators and photodetectors on III-V CMOS photonics platform by quantum well intermixing

Naoki Sekine, Kei Sumita, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi, Mitsuru Takenaka

Optics Express 30(13) 23318-23318 2022年6月10日

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MISC

190

Operation of (111) Ge-on-Insulator n-channel MOSFET Fabricated by Smart-Cut Technology (vol 41, pg 985, 2020)

Cheol-Min Lim, Ziqiang Zhao, Kei Sumita, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 41(8) 1266-1266 2020年8月
Material design of oxide-semiconductor/group-IV-semiconductor bilayer tunneling field effect transistors

K. Kato, H. Matsui, H. Tabata, M. Takenaka, H. Tabata

The 3rd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 85-87 2019年6月査読有り
Proposal and demonstration of oxide-semiconductor/(Si, SiGe, Ge) bilayer tunneling field effect transistor with type-II energy band alignment

K. Kato, H. Matsui, H. Tabata, M. Takenaka, S. Takagi

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 15.6.1-15.6.4 2018年1月23日査読有り
Ultrathin-Body Ge-on-Insulator Mosfet and TFET Technologies

Takagi Shinichi, Kim Wu-Kang, Jo Kwang-Won, Matsumura Ryo, Takaguchi Ryotaro, Katoh Takumi, Bae Tae-Eon, Kato Kimihiko, Takenaka Mitsuru

Meeting Abstracts (31) 1042 2018年査読有り
High performace top-gate zinc oxide thin film transistor (ZnO TFT) by combination of post oxidation and annealing

Kato Kimihiko, Matsui Hiroaki, Tabata Hitoshi, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

Proceeding of the 2017 Solid State Devices and Mterials 237-239 2017年9月査読有り
III-V/Ge-based tunneling MOSFET

Takagi S, Ahn D-H, Gotow T, Nishi K, Bae T-E, Katoh T, Matsumura R, Takaguchi R, Kato K, Takenaka M

Energy Efficient Electronic Systems & Steep Transistors Workshop (E3S), 2017 Fifth Berkeley Symposium on 2018-January 1-3 2017年査読有り
極低電力LSIのための先端Ge MOSデバイス技術

高木信一, 玉虓, 張睿, 柯夢南, 竹中充

半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 = Proceedings of Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology 80 53-56 2016年8月22日
C-3-30 歪SiGeを用いたSi光変調器の作製プロセス検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

野口将高, 藤方潤一, 高橋重樹, 韓在勲, 中村隆宏, 竹中充

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2016(1) 168-168 2016年3月1日
CI-4-3 Zn拡散ソースを用いたプレーナ型InGaAsトンネルFET(CI-4.低消費電力スティープスロープFET技術の現状と展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)

高木信一, 野口宗隆, 竹中充

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2015(2) "SS-92"-"SS-93" 2015年2月24日
Ⅲ-Ⅴ-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術 (光エレクトロニクス)

一宮佑希, 竹中充, 高木信一

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(377) 37-40 2014年12月18日
III-V-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),半導体レーザ関連技術,シリコンフォトニクス,一般)

一宮佑希, 竹中充, 高木信一

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 114(378) 37-40 2014年12月11日
Ⅲ-Ⅴ CMOSフォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ (レーザ・量子エレクトロニクス)

一宮佑希, 横山正史, 竹中充, 高木信一

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(98) 39-42 2014年6月20日
Ⅲ-Ⅴ CMOSフォトニクスを用いた光電子融合集積回路プラットホーム技術

竹中充, 一宮佑希, 程勇鵬, 金相賢, 高木信一

電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス 97(3) 95-103 2014年3月
招待講演強い短チャネル効果耐性と闇値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET (シリコン材料・デバイス先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

金相賢, 横山正史, 中根了昌, 市川摩, 長田剛規, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(420) 39-42 2014年1月29日
招待講演 Ⅲ-Ⅴ/Ge CMOSフォトニクス実現に向けたデバイス技術

竹中充, 高木信一

半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 = Proceedings of Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology 77 19-22 2013年7月11日
Impact of metal gate electrodes on electrical properties of InGaAs MOS gate stacks (シリコン材料・デバイス)

張志宇, 横山正史, 金相賢, 市川磨, 長田剛規, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87) 33-37 2013年6月18日
シリコンプラットフォーム上光電子集積回路に向けたIII-V/Geデバイス技術

竹中充, 高木信一

應用物理 82(4) 309-312 2013年4月10日
C-3-52 III-V CMOSフォトニクスを用いたInGaAsP細線導波路光スイッチ(C-3.光エレクトロニクス)

一宮佑希, 横山正史, 市川磨, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2013(1) 212-212 2013年3月5日
C-3-16 III-V CMOSフォトニクスプラットフォームと光インターコネクションへの展開(C-3.光エレクトロニクス)

竹中充, 一宮佑希, キムサンヒョン, 横山正史, 高木信一

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2013(1) 176-176 2013年3月5日
InGaAs MOSゲートスタック形成と界面特性

高木信一, 田岡紀之, 鈴木麗菜, 横山正史, 金相賢, 竹中充

表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan 33(11) 628-633 2012年11月10日

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共同研究・競争的資金等の研究課題

ゲルマニウム中赤外光回路を用いたオンチップ分子センシングの基盤構築

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2020年4月 - 2023年3月

竹中充
Ｇｅ中赤外集積フォトニクスを用いた光センシングチップ

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費 2017年4月 - 2019年3月

竹中充, HO CHONG PEI
多機能融合・省電力エレクトロニクスのためのSn系Ⅳ族半導体の工学基盤構築

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2014年5月 - 2019年3月

財満鎭明, 竹中充, 齋藤晃, 中塚理, 黒澤昌志
III-V CMOSフォトニクスによる光電子融合集積回路基盤技術の構築

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 2014年4月 - 2018年3月

竹中充
Ge-On-Insulator CMOSのキャリア輸送特性解明と性能向上手法確立

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2014年4月 - 2017年3月

高木信一, 竹中充
ゲルマニウムＭＯＳ界面電気伝導機構の解明と高移動度化手法の確立

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2011年4月 - 2014年3月

高木信一, 竹中充
III－V ＣＭＯＳＰｈｏｔｏｎｉｃｓの創生

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 2010年4月 - 2014年3月

竹中充
省電力／超高速ナノＣＭＯＳのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生

日本学術振興会科学研究費助成事業特別推進研究 2010年 - 2013年

財満鎭明, 竹中充, 坂下満男, 田中信夫, 竹内和歌奈, 中塚理, 高木信一
結晶ひずみを利用したSiMOS反転層移動度決定機構の解明と高移動度化指針の確立

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2008年 - 2010年

高木信一, 竹中充
ナノ機能化ゲルマニウム系チャネル

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2006年 - 2009年

高木信一, 菅原聡, 竹中充, 竹中充
InAlAs酸化膜によるIII-V-OI MOS構造の作製および界面準位に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(スタートアップ) 2007年 - 2008年

竹中充

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