佐藤威友 (Taketomo Sato) - マイポータル

基本情報

所属: 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター量子集積エレクトロニクス研究センター助教授・准教授

学位: 博士（工学）(北海道大学)

ORCID ID: https://orcid.org/0000-0001-5032-6947
J-GLOBAL ID: 200901007731172067
researchmap会員ID: 5000083491

外部リンク: http://hydrogen.rciqe.hokudai.ac.jp/~taketomo/home/index.html

研究キーワード

研究分野

経歴

2004年4月 - 現在

北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授
2001年10月 - 2004年3月

北海道大学大学院工学研究科, 助手
2001年4月 - 2001年9月

北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター, 研究員

学歴

1998年4月 - 2001年3月

北海道大学, 工学研究科, 電子情報工学専攻・博士後期課程
1996年4月 - 1998年3月

北海道大学, 工学研究科, 電子情報工学専攻・修士課程
1992年4月 - 1996年3月

北海道大学, 工学部, 電気工学科

委員歴

2021年11月 - 現在

SSDM Sub-Committee Area Vice Chair (Area4: Power / High‐speed Devices and Materials)
2021年4月 - 現在

電子情報通信学会エレクトロニクスソサエティ電子デバイス (ED) 研究会, 電子デバイス (ED) 研究会専門委員会
2021年 - 現在

Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM), 実行委員
2020年4月 - 現在

応用物理学会, APEX/JJAP編集委員
2018年4月 - 現在

電子情報通信学会北海道支部, 学生会顧問
2016年 - 現在

応用物理学会, プログラム編集委員「13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価」
2020年 - 2021年

Solid State Devices and Materials (SSDM) 2021, 実行委員
2016年 - 2021年

GaN研究コンソーシアム, 知的財産委員会委員
2021年

2021年電気化学秋季大会, 現地実行委員
2018年4月 - 2020年3月

ISPlasma, Program Committee
2015年

国際固体素子・材料コンファレンス（SSDM）, 実行委員
2014年 - 2014年

電気化学会2014年秋季大会, 実行委員
2014年

応用物理学会秋季学術講演会, 実行委員
2005年4月 - 2007年3月

応用物理学会北海道支部, 庶務幹事

受賞

2000年11月

第61回秋期応用物理学会学術講演会『講演奨励賞』, 化合物半導体ナノショットキー界面の電気的特性とその制御, 応用物理学会

佐藤威友
1997年12月

平成9年度『若手講演者賞』, In situ 電気化学プロセスを用いたショットキー障壁の形成, 電気関係学会北海道支部会

佐藤威友

論文

159

Investigation of dominance in near-surface region on electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures using TLM, XPS, and PEC etching techniques

Ryota Ochi, Takuya Togashi, Yoshito Osawa, Fumimasa Horikiri, Hajime Fujikura, Kazunari Fujikawa, Takashi Furuya, Ryota Isono, Masamichi Akazawa, Taketomo Sato

Applied Physics Express 16(9) 091002-1-091002-2 2023年9月査読有り
Detection of defect levels in vicinity of Al2O3/ p-type GaN interface using sub-bandgaplight- assisted capacitance–voltage method

Masamichi Akazawa, Yuya Tamamura, Takahide Nukariya, Kouta Kubo, Taketomo Sato, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi

Journal of Applied Physics 132(19) 195302-1-195302-10 2022年11月16日査読有り
Fabrication of GaN nanowires containing n+-doped top layer by wet processes using electrodeless photo-assisted electrochemical etching and alkaline solution treatment

Michihito Shimauchi, Kazuki Miwa, Masachika Toguchi, Taketomo SATO, Junichi Motohisa

Applied Physics Express 2021年10月6日査読有り
Self-terminating contactless photo-electrochemical (CL-PEC) etching for fabricating highly uniform recessed-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs)

Masachika Toguchi, Kazuki Miwa, Fumimasa Horikiri, Noboru Fukuhara, Yoshinobu Narita, Osamu Ichikawa, Ryota Isono, Takeshi Tanaka, Taketomo Sato

Journal of Applied Physics 130(2) 024501-024501 2021年7月14日査読有り最終著者
HfSiO<inf>x</inf>-gate GaN MOS-HEMTs for RF power transistor

Tamotsu Hashizume, Ryota Ochi, Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Koji Shiozaki, Taketomo Sato

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 11686 2021年
光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaNリセスゲートHFETの作製

伊藤滉朔, 小松祐斗, 渡久地政周, 井上暁喜, 三好実人, 佐藤威友

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2020年11月23日最終著者
(Invited) Photo-Electrochemical Etching and Porosification of III-Nitride Semiconductors

Taketomo Sato, Masachika Toguchi

ECS Meeting Abstracts 2020年11月23日招待有り筆頭著者
Depth profiling of surface damage in n-type GaN induced by inductively coupled plasma reactive ion etching using photo-electrochemical techniques

Shinji Yamada, Kentaro Takeda, Masachika Toguchi, Hideki Sakurai, Toshiyuki Nakamura, Jun Suda, Tetsu Kachi, Taketomo Sato

Applied Physics Express 13(10) 106505-106505 2020年10月1日査読有り最終著者
Gate controllability of HfSiOx/AlGaN/GaN MOS high-electron-mobility transistor

Ryota Ochi, Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Koji Shiozaki, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume

AIP Advances 10(6) 065215-065215 2020年6月1日査読有り
Self-termination of contactless photo-electrochemical (PEC) etching on aluminum gallium nitride/gallium nitride heterostructures

Kazuki Miwa, Yuto Komatsu, Masachika Toguchi, Fumimasa Horikiri, Noboru Fukuhara, Yoshinobu Narita, Osamu Ichikawa, Ryota Isono, Takeshi Tanaka, Taketomo Sato

Applied Physics Express 13(2) 026508-026508 2020年2月1日査読有り最終著者責任著者
Fabrication of recessed structures for GaN HEMTs by a simple wet etching process

Fumimasa Horikiri, Noboru Fukuhara, Masachika Toguchi, Kazuki Miwa, Yoshinobu Narita, Osamu Ichikawa, Ryota Isono, Takeshi Tanaka, Taketomo Sato

CS MANTECH 2020 - 2020 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology, Digest of Papers 127-130 2020年
Photoelectrochemical Etching Technology for Gallium Nitride Power and RF Devices

Fumimasa Horikiri, Noboru Fukuhara, Hiroshi Ohta, Naomi Asai, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida, Tomoyoshi Mishima, Masachika Toguchi, Kazuki Miwa, Taketomo Sato

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 32(4) 489-495 2019年10月査読有り
Low-Damage Etching for AlGaN/GaN HEMTs Using Photo-Electrochemical Reactions

Taketomo Sato, Masachika Toguchi, Yuto Komatsu, Keisuke Uemura

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 32(4) 483-488 2019年8月査読有り
Anisotropic Electrochemical Etching of Porous Gallium Nitride by Sub-Bandgap Absorption Due to Franz-Keldysh Effect

Masachika Toguchi, Kazuki Miwa, Taketomo Sato

Journal of The Electrochemical Society 166(12) H510-H512 2019年7月査読有り
Electrodeless photo-assisted electrochemical etching of GaN using a H3PO4-based solution containing S2O82– ions

Masachika Toguchi, Kazuki Miwa, Fumimasa Horikiri, Noboru Fukuhara, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida, Taketomo Sato

Applied Physics Express 12 066504-1-066504-4 2019年5月査読有り
Effect of photoelectrochemical etching and post-metallization annealing on gate controllability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Keisuke Uemura, Manato Deki, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Taketomo Sato

Japanese Journal of Applied Physics 58(SC) SCCD20-1-SCCD20-6 2019年5月査読有り
Simple wet-etching technology for GaN using an electrodeless photo-assisted electrochemical reaction with a luminous array film as the UV source

Horikiri Fumimasa, Fukuhara Noboru, Ohta Hiroshi, Asai Naomi, Narita Yoshinobu, Yoshida Takehiro, Mishima Tomoyoshi, Toguchi Masachika, Miwa Kazuki, Sato Taketomo

APPLIED PHYSICS EXPRESS 12(3) 2019年3月1日査読有り
Effects of a photo-assisted electrochemical etching process removing dry-etching damage in GaN

Matsumoto Satoru, Toguchi Masachika, Takeda Kentaro, Narita Tetsuo, Kachi Tetsu, Sato Taketomo

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57(12) 2018年12月査読有り
新規製造現場での基盤技術光電気化学反応を利用した半導体の低損傷加工と高精度エッチング技術

佐藤威友

ケミカルエンジニヤリング 63(6) 399‐405 2018年6月招待有り
光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用

植村圭佑, 松本悟, 渡久地政周, 伊藤圭亮, 佐藤威友, 佐藤威友

電子情報通信学会技術研究報告 117(331(ED2017 49-71)) 23‐26-26 2017年11月23日

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MISC

窒化物半導体の光電気化学エッチングと電子デバイス応用—Photo-electrochemical Etching of Nitride Semiconductors and Electron Device Applications—電子デバイス/半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術

佐藤威友

電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編] 2022(172-177・179-190) 61-64 2022年12月1日
窒化物半導体の光電気化学エッチングと電子デバイス応用—Photo-electrochemical Etching of Nitride Semiconductors and Electron Device Applications—電子デバイス/半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術

佐藤威友

電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編] 2022(32-37・39-50) 61-64 2022年12月1日
コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲートAlGaN/GaN HEMTの作製(2)

渡久地政周, 三輪和希, 堀切文正, 福原昇, 成田好伸, 市川磨, 磯野僚多, 田中丈士, 佐藤威友

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲートAlGaN/GaN HEMTの作製

渡久地政周, 三輪和希, 堀切文正, 福原昇, 成田好伸, 市川磨, 磯野僚多, 田中丈士, 佐藤威友

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
電気化学的手法によるⅢ-Ⅴ族半導体多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用

佐藤威友, 渡部晃生, 熊崎祐介

Proceedings of the Chemical Sensor Symposium 56 64-66 2014年3月
電気化学的手法を用いたInPポーラスナノ構造の形成とセンサ応用

佐藤威友, 藤野敏幸, 橋詰保

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 107(110) 269-272 2007年6月18日
AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用

橋詰保, 金子昌充, 小谷淳二, 古川拓也, 木村健, 佐藤威友

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 106(137) 93-98 2006年6月26日
Formation of Size- and Position-Controlled Nanometer Size Pt Dots on GaAs and InP Substrates by Pulsed Electrochemical Deposition

SATO Taketomo, KANESHIRO Chinami, OKADA Hiroshi, HASEGAWA Hideki

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 1998 74-75 1998年9月7日

書籍等出版物

半導体製造におけるウェット／ドライエッチング

株)ISTL 礒部, 服部コンサルティングインターナショナル服部, 毅, グロスバーグ合同会社, 大山, 聡, 式田光宏, アドヒージョン(株, 河合晃, サムコ(株, 中野博彦, サムコ(株, 扇谷浩通, 浜口, 智志, 豊田紀章, 唐橋一浩, 江利口浩二, 寒川, 誠二, 株, 日立製作所, 篠田和典, 佐藤威友, 有馬, 健太 (担当:分担執筆, 範囲:第４章第３節GaNの光電気化学（PEC）エッチング)

(株)R&D支援センター 2022年10月 (ISBN: 9784905507611)
Lateral Alignment of Epitaxial Quantum Dots

HASEGAWA Hideki, SATO Taketomo, KASAI Seiya (担当:分担執筆, 範囲:24 Large-Scale Integration of Quantum Dot Devices on MBE-Based Quantum Wire Networks)

Springer 2007年

講演・口頭発表等

353

Self-terminating photo-electrochemical (PEC) etching for recessed-gate fabrication on AlGaN/GaN HEMTs

Takuya Togashi, Kosaku Ito, Taketomo Sato

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2022)
Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のC-V特性に対する光電気化学エッチングの効果

忽滑谷崇秀, 玉村祐也, 久保広大, 佐藤威友, 赤澤正道

第83回応用物理学会秋季学術講演会
光電気化学(PEC)エッチングの自己停止とAlGaN/GaN HEMTのゲートリセス加工

富樫拓也, 伊藤滉朔, 越智亮太, 佐藤威友

第83回応用物理学会秋季学術講演会
n型及びp型GaN表面の電気化学的評価

高津海, 久保広太, 佐藤威友

第83回応用物理学会秋季学術講演会
n-GaN加工表面に対するコンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチング (2)

大澤由斗, 大神洸貴, 越智亮太, 堀切文正, 福原昇, 佐藤威友

第83回応用物理学会秋季学術講演会
Effect of parallel conduction on the current linearity of AlGaN/GaN MIS-HEMTs

Ryota Ochi, Tamotsu Hashizume, Taketomo Sato

14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022)
Contactless-Photoelectrochemical (CL-PEC) etching on process-damaged n-GaN surface

Yoshito Osawa, Hiroki Ogami, Masachika Toguchi, Fumimasa Horikiri, Noboru Fukuhara, Taketomo Sato

14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022)
電気化学反応を利用した窒化ガリウムのウェットエッチングと機能性材料

佐藤威友, 渡久地政周

電子情報通信学会電子デバイス研究会
n-GaN加工損傷面に対するコンタクトレス光電気化学（CL-PEC）エッチング

大神洸貴, 大澤由斗, 渡久地政周, 堀切文正, 福原昇, 佐藤威友

第69回応用物理学会春季学術講演会
AlGaN/GaN MIS-HEMTsにおけるパラレル伝導評価

越智亮太, 橋詰保, 佐藤威友

第69回応用物理学会春季学術講演会
Fabrication of Recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs by Low-Damage Contactless Photo-Electrochemical Etching

M. Toguchi, K. Miwa, F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, O. Ichikawa, R. Isono, T. Tanaka, T. Sato

4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 招待有り
低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲーAlGaN/GaN HEMTsの作製

渡久地政周, 三輪和希, 堀切文正, 福原昇, 成田好伸, 市川磨, 磯野僚多, 田中丈士, 佐藤威友

電子情報通信学会電子デバイス研究会
光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製

伊藤滉朔, 小松裕斗, 渡久地政周, 井上暁喜, 田中さくら, 三好実人, 佐藤威友

電子情報通信学会電子デバイス研究会
HfSiOx-gate AlGaN/GaN MOS HEMTs with improved operation stability

R. Ochi, T. Nabatame, T. Hashizume, T. Sato

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials
光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaNリセスゲートHFETの作製

伊藤滉朔, 小松裕斗, 渡久地政周, 井上暁喜, 三好実人, 佐藤威友

第68回応用物理学会春季学術講演会
コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲートAlGaN/GaN HEMT の作製

渡久地政周, 三輪和希, 堀切文正, 福原昇, 成田好伸, 吉田丈洋, 佐藤威友

第68回応用物理学会春季学術講演会
Precise control in threshold voltage of AlGaN/GaN HEMTs utilizing a photoelectrochemical (PEC) etching

T. Sato, M. Toguchi, K. Itoh, T. Hashizume

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
Recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs fabricated by photo-electrochemical (PEC) etching

T. Sato, T. Hashizume

Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
n+GaN基板上n-GaN層の光電気化学(PEC)エッチング時のカソード電極

福原昇, 堀切文正, 渡久地政周, 三輪和希, 大神洸貴, 佐藤威友

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2021年
半導体ナノ構造を利用した高感度化学センサの開発（依頼講演）

佐藤威友

第6回北海道大学部局横断シンポジウム 2020年10月19日招待有り

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

Works(作品等)

電子情報工学実験テキストの作成・更新

佐藤威友

教材
量子集積エレクトロニクス研究センターホームページの更新

佐藤威友

Web Service

共同研究・競争的資金等の研究課題

超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2021年4月 - 2024年3月

三好実人, 佐藤威友
強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2020年4月 - 2023年3月

佐藤威友, 三好実人, 橋詰保
特異構造を含む異種接合の界面制御と電子デバイス展開

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

橋詰保, 赤澤正道, 佐藤威友
省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発（パワーデバイス・システム領域）

文部科学省委託事業-再委託機関 2016年 - 2021年
社会実装を目指したＧａＮ縦型パワーデバイス作製技術の確立

文部科学省革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術開発事業（パワーデバイス領域） 2021年
GaNの光電気化学エッチングに関する研究

株式会社サイオクス共同研究 2021年
GaNの光電気化学プロセス

三菱電機株式会社共同研究 2021年
自己停止酸化機構を利用した窒化物半導体低損傷加工プロセスの開発とトランジスタ応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2017年4月 - 2020年3月

佐藤威友, 本久順一, 橋詰保
自己停止酸化機構を利用した窒化物半導体低損傷加工プロセスの開発とトランジスタ応用

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(B)) 2017年4月 - 2020年3月

佐藤威友
GaNの光電気化学エッチングに関する研究

株式会社サイオクス共同研究 2020年
GaNの光電気化学プロセス

三菱電機株式会社共同研究 2020年
GaNの光電気化学エッチングに関する研究

株式会社サイオクス共同研究 2019年
窒化物半導体周期的ナノ構造を基盤とした可視光応答型光触媒の開発と人工光合成応用

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2015年4月 - 2018年3月

佐藤威友, 橋詰保, 本久順一
窒化物半導体周期的ナノ構造を基盤とした可視光応答型光触媒の開発と人工光合成応用

文部科学省科学研究費補助金(挑戦的萌芽研究) 2015年4月 - 2018年3月

佐藤威友
III-V族化合物半導体の酸化腐食に関する研究

オルガノ株式会社共同研究 2015年 - 2018年
低損傷プロセスによる窒化物半導体表面のナノスケール制御と高感度化学センシング

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(B)) 2013年4月 - 2016年3月

佐藤威友
絶縁膜物性・界面状態のGaNトランジスタの性能と関係性の研究

住友電気工業株式会社共同研究 2016年 - 2016年
低損傷プロセスによる窒化物半導体表面のナノスケール制御と高感度化学センシング

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(B)) 基盤研究(B) 2013年 - 2015年

佐藤威友
GaN HEMTのためのプロセス技術と接合界面評価

トヨタ自動車株式会社共同研究 2012年 - 2015年
半導体ナノワイヤを基盤とする水素発生用材料の開拓

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2012年4月 - 2014年3月

本久順一, 佐藤威友

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産業財産権

特許第6952983号エッチング方法及びエッチング装置

佐藤威友, 熊崎祐介, 橋詰保
特許第6694102号構造体の製造方法と製造装置および中間構造体

堀切文正, 福原昇, 佐藤威友, 渡久地政周
特許第5339377号センサ及びセンサの製造方法

佐藤威友
特許第5302553号半導体装置とその製造方法

杉本雅裕, 副島成雅, 上杉勉, 加地徹, 橋詰保, 佐藤威友

社会貢献活動

公開講義（札幌南高等学校）

講師

北海道大学・札幌南高等学校 2018年10月18日
公開講義（札幌開成中等教育学校）

講師, 実演

北海道大学・札幌開成中等教育学校 2018年8月8日

佐藤威友

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

社会貢献活動

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