間脇武蔵 (takezo mawaki) - マイポータル

基本情報

所属: 東北大学未来科学技術共同研究センター開発企画部助教

学位: 博士（工学）(2022年3月東北大学)
修士（工学）(2018年3月東北大学)

研究者番号: 10966328
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0003-2266-6092
J-GLOBAL ID: 202201008462535114
researchmap会員ID: R000035568

研究キーワード

半導体集積回路

研究分野

経歴

2022年4月 - 現在

東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 助教

学歴

2018年4月 - 2022年3月

東北大学, 大学院工学研究科, 技術社会システム専攻

委員歴

2022年10月 - 現在

シリコン材料・デバイス研究専門委員会, 専門委員

受賞

2023年2月

服部健雄賞ポスター講演, ランダムテレグラフノイズのMOSトランジスタ構造・動作条件依存性の統計的解析, 電子デバイス界面テクノロジー研究会（EDIT28）

間脇武蔵
2022年3月

専攻長賞, 東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻

間脇武蔵
2021年6月

若手優秀発表賞, IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質, 電子情報通信学会

間脇武蔵
2016年12月

The Encouragement Prize, 電気関係学会東北支部連合大会

間脇武蔵

主要な論文

Adsorption and surface reaction of isopropyl alcohol on SiO2 surfaces

Takezo Mawaki, Akinobu Teramoto, Katsutoshi Ishii, Yoshinobu Shiba, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Shuji Azumo, Akira Shimizu, Kota Umezawa, Yasuyuki Shirai …

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 40(5) 2022年9月
Modification of copper and copper oxide surface states due to isopropyl alcohol treatment toward area-selective processes

Takezo Mawaki, Akinobu Teramoto, Katsutoshi Ishii, Yoshinobu Shiba, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Shuji Azumo, Akira Shimizu, Kota Umezawa, Yasuyuki Shirai …

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 39(1) 013403-013403 2021年1月査読有り筆頭著者
Analysis of Random Telegraph Noise Behaviers of nMOS and pMOS toward Back Bias Voltage Changing

T. Mawaki, A. Teramoto, R. Kuroda, S. Ichino, S. Sugawa

Extended Abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials 2017年9月22日査読有り

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MISC

次世代メモリ用薄膜の統計的解析を行う高精度・広範囲抵抗測定技術

光田薫未, 天満亮介, 間脇武蔵, 黒田理人

電子情報通信学会技術研究報告 122(215) 5-8 2022年10月19日
IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質

間脇武蔵, 寺本章伸, 石井勝利, 志波良信, 諏訪智之, 東雲秀司, 清水亮, 梅澤好太, 黒田理人, 白井泰雪 …

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 121(71(SDM2021 22-29)) 2021年
トランジスタ構造・動作領域・キャリア走行方向によるRTN挙動の統計的解析

秋元暸, 黒田理人, 黒田理人, 間脇武蔵, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 121(212(SDM2021 44-52)) 2021年
統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析

秋元瞭, 黒田理人, 黒田理人, 寺本章伸, 寺本章伸, 間脇武蔵, 市野真也, 諏訪智之, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 120(205(SDM2020 14-21)) 2020年
ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析—Statistical Analysis of Electric Characteristics Variability Using MOSFETs with Asymmetric Source and Drain—シリコン材料・デバイス

市野真也, 寺本章伸, 黒田理人, 間脇武蔵, 諏訪智之, 須川成利, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告 118(241) 51-56 2018年10月
大規模アレイ MOS トランジスタのランダムテレグラフノイズの動作条件依存性に関する研究

間脇武蔵

東北大学電通談話会記録 87(1) 254-255 2018年8月
高精度アレイテスト回路計測技術を用いたソースフォロアトランジスタの動作条件変化によるランダムテレグラフノイズの挙動解析—Analysis of Random Telegraph Noise Behaviors toward Changes of Source Follower Transistor Operation Conditions using High Accuracy Array Test Circuit—シリコン材料・デバイス

市野真也, 間脇武蔵, 寺本章伸, 黒田理人, 若嶋駿一, 須川成利, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告 117(260) 57-62 2017年10月
画素SFで発生するランダムテレグラフノイズの統計的解析～トランジスタ形状・時定数・遷移数の影響～

黒田理人, 寺本章伸, 市野真也, 間脇武蔵, 若嶋駿一, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告 41.32(32(IST2017 49-59)) 13-16 2017年
動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究—Behavior of Random Telegraph Noise toward Bias Voltage Changing—シリコン材料・デバイス

間脇武蔵, 寺本章伸, 黒田理人, 市野真也, 後藤哲也, 諏訪智之, 須川成利, 須川成利

電子情報通信学会技術研究報告 116(270) 35-38 2016年10月
Dynamic Response of Random Telegraph Noise Time Constants toward Bias Voltage Changing

間脇武蔵, 寺本章信, 市野真也, 黒田理人, 後藤哲也, 諏訪智之, 須川成利

電気関係学会東北支部連合大会講演論文集 2016 64-64 2016年

主要な講演・口頭発表等

イソプロピルアルコールを用いた金属銅及び酸化銅上の表面改質

間脇武蔵, 寺本章伸, 石井勝利, 志波良信, 諏訪智之, 東雲秀司, 清水亮, 梅澤好太, 黒田理人, 白井泰雪, 須川成利

シリコン材料・デバイス（SDM）研究会 2021年6月招待有り

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担当経験のある科目(授業)

2022年10月 - 2023年3月

工学部電気情報物理工学科「学生実験 D」 (東北大学)

共同研究・競争的資金等の研究課題

次世代メモリの研究を飛躍的に促進する電気的特性の統計的計測プラットフォーム技術

日本学術振興会科学研究費助成事業研究活動スタート支援研究活動スタート支援 2022年8月 - 2024年3月

間脇武蔵

産業財産権

特開2021-174960 選択成膜方法

東雲秀司, 梅澤好太, 石井勝利, 清水亮, 寺本章伸, 諏訪智之, 白井泰雪, 間脇武蔵

間脇武蔵

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

受賞

主要な論文

MISC

主要な講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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