査読有り 2021年1月 水素ガスアニールにより生じるSiO2/GaN界面の異常な固定電荷の起源 溝端 秀聡, 和田 悠平, 野崎 幹人, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司 開始ページ 195 終了ページ 199 記述言語 日本語 掲載種別 研究論文(研究会,シンポジウム資料等) エクスポート BibTeX RIS