小林拓真 (Takuma Kobayashi) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪大学大学院工学研究科准教授

学位: 博士（工学）(2018年3月京都大学)

研究者番号: 20827711
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0002-2755-5079
J-GLOBAL ID: 202101020254741684
Researcher ID: HNB-3793-2023
researchmap会員ID: R000018309

外部リンク: http://www-ade.prec.eng.osaka-u.ac.jp/

研究キーワード

研究分野

経歴

2026年8月 - 現在

JST 創発的研究支援事業［森パネル］, 個人研究者（創発研究者）
2024年4月 - 現在

大阪大学, 大学院工学研究科物理学系専攻, 准教授
2023年4月 - 現在

大阪大学, 大学院工学研究科 CFi, 次世代リーダー教員
2022年10月 - 2026年3月

JST 戦略的創造研究推進事業さきがけ［情報担体］, 個人研究者
2021年1月 - 2024年3月

大阪大学, 大学院工学研究科物理学系専攻, 助教
2019年10月 - 2020年12月

エアランゲン大学, 物理学科, 日本学術振興会海外特別研究員
2018年8月 - 2019年10月

東京工業大学, 科学技術創成研究院フロンティア材料研究所, 研究員
2018年4月 - 2018年7月

京都大学, 大学院工学研究科電子工学専攻, 特定研究員
2015年4月 - 2018年3月

京都大学, 大学院工学研究科電子工学専攻, 日本学術振興会特別研究員（DC1）
2016年4月 - 2016年6月

東京大学, 大学院工学系研究科物理工学専攻, 特別研究学生

学歴

2015年4月 - 2018年3月

京都大学, 大学院工学研究科, 電子工学専攻博士後期課程
2013年4月 - 2015年3月

京都大学, 大学院工学研究科, 電子工学専攻修士課程
2009年4月 - 2013年3月

大阪大学, 基礎工学部, 電子物理科学科
2006年4月 - 2009年3月

私立洛南高等学校, 内部進学コース編入

委員歴

2026年2月 - 現在

応用物理学会若手チャプター半導体物性・評価研究会, 幹事
2024年4月 - 2028年3月

応用物理学会先進パワー半導体分科会, 会計幹事（常任）
2026年3月 - 2027年3月

応用物理学会先進パワー半導体分科会, 第 13 回講演会プログラム委員会委員
2026年2月 - 2027年3月

ICSCRM2026, プログラム委員会委員
2025年11月 - 2027年3月

応用物理学会先進パワー半導体分科会, 第 13 回講演会実行委員会委員
2025年5月 - 2027年3月

応用物理学会, 未来ビジョン検討委員
2025年4月 - 2027年3月

ICSCRM2026, 協賛委員会委員庶務
2025年10月 - 2026年12月

SSDM2026, 実行委員
2025年1月 - 2025年11月

応用物理学会先進パワー半導体分科会, 第 12 回講演会実行委員会委員
2024年7月 - 2025年3月

ICSCRM2026, 実行準備委員会委員

主要な受賞

2024年11月

令和6年度大阪大学賞若手教員部門

小林拓真
2023年12月

第12回エヌエフ基金研究開発奨励賞優秀賞

小林拓真
2023年5月

第22回船井研究奨励賞

小林拓真
2022年3月

第43回応用物理学会論文奨励賞

小林拓真

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主要な論文

Unified first-principles framework for predicting radiative and non-radiative processes in color centers

Sosuke Iwamoto, Masahiro Hara, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

npj Computational Materials 12(263) 1-9 2026年8月25日査読有り最終著者責任著者
Controlled trap formation in SiC metal–oxide–semiconductor structures via gate bias stress and its impact on the performance of metal–oxide–semiconductor field-effect transistors

Takuma Kobayashi, Keiji Hachiken, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Masahiro Hara, Heiji Watanabe

Journal of Applied Physics 140(4) 045706-1-045706-8 2026年7月28日査読有り筆頭著者責任著者
Hydrogen passivation of electron traps and fixed charges in SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures

Kensei Maeda, Takuma Kobayashi, Masahiro Hara, Heiji Watanabe

Applied Physics Letters 127(11) 112107-1-112107-5 2025年9月17日査読有り責任著者
Performance and reliability improvements in SiC(0001) MOS devices via two-step annealing in H₂/Ar gas mixtures

Takuma Kobayashi, Hiroki Fujimoto, Shinji Kamihata, Keiji Hachiken, Masahiro Hara, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 18(8) 081002-1-081002-4 2025年8月26日査読有り筆頭著者責任著者
Insight into the energy level structure and luminescence process of color centers at SiO2/SiC interfaces

Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Haruko Toyama, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

APL Materials 13(2) 021119-1-021119-8 2025年2月27日査読有り最終著者責任著者
Formation of high-quality SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures: The role of post-deposition annealing

Takuma Kobayashi, Kensei Maeda, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Heiji Watanabe

Applied Physics Letters 126(1) 012108-1-012108-4 2025年1月6日査読有り筆頭著者責任著者
Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO₂/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation

Takuma Kobayashi, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 17(1) 011003-1-011003-5 2023年12月29日査読有り筆頭著者責任著者
Oxygen-vacancy defect in 4H-SiC as a near-infrared emitter: An ab initio study

Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Journal of Applied Physics 134(14) 145701-1-145701-9 2023年10月11日査読有り筆頭著者責任著者
Control on the density and optical properties of color centers at SiO2/SiC interfaces by oxidation and annealing

Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

Applied Physics Letters 123(10) 102102-1-102102-5 2023年9月6日査読有り最終著者責任著者
Improvement of interface properties in SiC(0001) MOS structures by plasma nitridation of SiC surface followed by SiO₂ deposition and CO₂ annealing

Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 16(7) 074004-1-074004-4 2023年7月28日査読有り責任著者
Intrinsic color centers in 4H-silicon carbide formed by heavy ion implantation and annealing

Takuma Kobayashi, Maximilian Rühl, Johannes Lehmeyer, Leonard K S Zimmermann, Michael Krieger, Heiko B Weber

Journal of Physics D: Applied Physics 55(10) 105303-1-105303-7 2021年12月1日査読有り筆頭著者責任著者
Design and formation of SiC (0001)/SiO2 interfaces via Si deposition followed by low-temperature oxidation and high-temperature nitridation

Takuma Kobayashi, Takafumi Okuda, Keita Tachiki, Koji Ito, Yu-ichiro Matsushita, Tsunenobu Kimoto

Applied Physics Express 13(9) 091003-1-091003-4 2020年8月14日査読有り筆頭著者責任著者
Structure and energetics of carbon defects in SiC (0001)/SiO2 systems at realistic temperatures: Defects in SiC, SiO2, and at their interface

Takuma Kobayashi, Yu-ichiro Matsushita

Journal of Applied Physics 126(14) 145302-1-145302-8 2019年10月10日査読有り筆頭著者責任著者
Energetics and electronic structure of native point defects in α-Ga2O3

Takuma Kobayashi, Tomoya Gake, Yu Kumagai, Fumiyasu Oba, Yu-ichiro Matsushita

Applied Physics Express 12(9) 091001-1-091001-4 2019年8月12日査読有り筆頭著者責任著者
Native point defects and carbon clusters in 4H-SiC: A hybrid functional study

Takuma Kobayashi, Kou Harada, Yu Kumagai, Fumiyasu Oba, Yu-ichiro Matsushita

Journal of Applied Physics 125(12) 125701-1-125701-8 2019年3月22日査読有り筆頭著者責任著者

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主要なMISC

The Optical Properties of the Carbon Di-Vacancy-Antisite Complex in the Light of the TS Photoluminescence Center

Maximilian Schober, Nicolas Jungwirth, Takuma Kobayashi, Johannes A.F. Lehmeyer, Michael Krieger, Heiko B. Weber, Michel Bockstedte

Defect and Diffusion Forum 426 43-48 2023年6月6日査読有り

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主要な講演・口頭発表等

234

人と半導体

小林拓真

洛南高等学校高校第1学年第1回探求講演会 2026年7月17日招待有り
理論と実験の両⼿法によるSiC半導体⾊中⼼の探索と解明

小林拓真, 岩本蒼典, 大⻄健太郎, 中沼貴澄, 兼子悠, 遠山晴子, 田原康佐, 朽木克博, 原征大, 渡部平司

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月18日招待有り
Engineering Color Centers in SiC Bulk and at SiO2/SiC Interfaces

Takuma Kobayashi

1st ASPIRE ECR Workshop 2025年11月21日招待有り
SiC MOS デバイスにおける移動度支配要因の理解

八軒慶慈, 小林拓真, 平井悠久, 染谷満, 岡本光央, 原征大, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月20日招待有り
ワイドギャップ半導体における欠陥の理解と制御

小林拓真

マテリアル工学セミナー『デバイス創製のための材料・プロセスの最先端』 2025年10月11日東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻招待有り
表面界面反応制御に基づく高品質 SiC MOS 界面の形成

藤本博貴, 小林拓真, 渡部平司

先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月26日招待有り
博士進学と研究留学の魅力～アカデミアの立場から～

小林拓真

第3回博士グローバルアカデミー講演会「エネルギー変換システムとアカデミア」 2024年5月8日招待有り
量子技術応用に向けたSiC MOS界面単一光子源の制御

中沼貴澄, 田原康佐, 朽木克博, 志村考功, 渡部平司, 小林拓真

応用物理学会先進パワー半導体分科会第10回講演会 2023年12月1日招待有り
Reliability Issues in Nitrided SiC MOS Devices

Takuma Kobayashi, Takato Nakanuma, Asato Suzuki, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) 2022年9月7日招待有り
SiC熱酸化抑制プロセスによる高品質SiC/SiO2界面の形成

小林拓真, 奥田貴史, 立木馨大, 伊藤滉二, 松下雄一郎, 木本恒暢

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月24日招待有り

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主要な共同研究・競争的資金等の研究課題

酸化物半導体をプラットフォームとした高効率量子光源技術の開拓

科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 CREST 2025年10月 - 2031年3月

岩本敏, 神野莉衣奈, 小林拓真
量子情報処理技術を拓くワイドギャップ半導体色中心の設計科学

科学技術振興機構創発的研究支援事業 2026年8月 - 2030年3月

小林拓真
炭化ケイ素半導体ヘテロ界面科学の再構築

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2024年4月 - 2029年3月

渡部平司, 染谷満, 小林拓真
量子ネットワーク構築に向けた炭化ケイ素スピン量子光源の量子波長変換

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2025年4月 - 2028年3月

小林拓真, 生田力三
パワーエレクトロニクス応用におけるSiC半導体素子の革新

科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 ALCA-Next (日英半導体共同募集) 2024年11月 - 2028年3月

木本恒暢, 小林拓真, 丹羽正昭
光励起ダイナミクスの計測・理論解析による窒化ガリウムMOS界面欠陥の起源解明

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2025年6月 - 2027年3月

小林拓真
集積可能な炭化珪素光量子プロセッサの基盤技術構築

科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業さきがけ 2022年10月 - 2026年3月

小林拓真

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主要なメディア報道

New strategies accelerate the search for quantum emitters

Scienmag 2026年8月25日インターネットメディア
Faster screening accelerates search for efficient quantum emitters

nanowerk 2026年8月25日インターネットメディア
Scientists accelerate search for quantum materials with new prediction framework

Interesting Engineering 2026年8月25日インターネットメディア
SiC MOSデバイスの性能を向上し信頼性も大幅改善、大阪大

EE Times Japan 2025年9月4日インターネットメディア
Two-step annealing process boosts silicon carbide device efficiency and reliability

TechXplore 2025年8月26日インターネットメディア
Advancing Green Technology with More Efficient and Reliable SiC Devices

Scienmag 2025年8月26日インターネットメディア
阪大と豊田中央研、絶縁膜とSiC界面に局在する発光中心のエネルギー準位を解明

電波新聞デジタル 2025年3月13日インターネットメディア
阪大、豊田中央研究所と共同で絶縁膜と炭化ケイ素の界面に局在する発光中心のエネルギー準位を解明

日本経済新聞 2025年2月28日インターネットメディア
大阪大学、SiCパワー素子の欠陥低減 MOSFET性能向上へ

NIKKEI Tech Foresight 2023年8月25日インターネットメディア
SiCデバイスの絶縁膜界面における欠陥を大幅低減

EE Times Japan 2023年8月7日インターネットメディア
30年来の課題解決に道、SiC MOSFETのコストを激減

日経XTECH 2020年9月23日インターネットメディア
新手法の酸化膜形成でSiC-MOSFETの性能が10倍に

EE Times Japan 2020年8月21日インターネットメディア

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書籍等出版物

Electronics Stage 2026年5月号

小林拓真 (担当:分担執筆, 範囲:酸化抑制と希釈水素熱処理によるSiC MOSデバイスの性能・信頼性向上)

技術情報協会 2026年5月29日
次世代パワー半導体の開発・評価と実用化

小林拓真, 木本恒暢 (担当:分担執筆, 範囲:酸化排除による高品質SiC MOS界面の形成)

エヌ・ティー・エス 2022年2月18日 (ISBN: 9784860437671)

産業財産権

特開2025-188242 半導体装置

木本恒暢, 小林拓真, 中野佑紀, 明田正俊
特許7761711 半導体装置

木本恒暢, 小林拓真, 中野佑紀, 明田正俊
特開2024-111792 絶縁ゲート型半導体装置及び絶縁ゲート型半導体装置の製造方法

渡部平司, 小林拓真, 志村考功, 寺尾豊, 大内祐貴
特許7512348 半導体装置およびその製造方法

木本恒暢, 小林拓真, 中野佑紀, 明田正俊
特許7412765 ＳｉＣ半導体素子の製造方法及びＳｉＣ半導体素子

木本恒暢, 小林拓真, 立木馨大
特許7241704 半導体装置およびその製造方法

木本恒暢, 小林拓真, 中野佑紀, 明田正俊

所属学協会

2022年 - 現在

SAKIGAKEクラブ（大阪大学）
2021年 - 現在

応用物理学会先進パワー半導体分科会
2019年 - 現在

応用物理学会
2014年 - 現在

IEEE

担当経験のある科目(授業)

2026年4月 - 現在

物性科学 (大阪大学工学部応用自然科学科)
2025年10月 - 現在

先進デバイス工学 (大阪大学大学院工学研究科物理学系専攻)
2025年10月 - 現在

量子コンピュータ概論 (大阪大学工学部応用自然科学科)
2024年10月 - 現在

先端科学序論II (大阪大学工学部応用自然科学科)
2024年4月 - 現在

工学における安全と倫理 (大阪大学工学部応用自然科学科)
2021年10月 - 現在

ゼミナールII (大阪大学工学部応用自然科学科)
2021年10月 - 現在

精密工学演習II, IV (大阪大学大学院工学研究科物理学系専攻)
2021年4月 - 現在

精密工学演習I, III (大阪大学大学院工学研究科物理学系専攻)
2021年4月 - 現在

ゼミナールIII (大阪大学工学部応用自然科学科)
2024年10月 - 2025年3月

応用表面科学 (大阪大学大学院工学研究科物理学系専攻)
2022年10月 - 2025年3月

数学解析演習 II-B (大阪大学工学部応用自然科学科)
2021年4月 - 2025年3月

精密科学実験 (大阪大学工学部応用自然科学科)
2022年10月 - 2022年12月

基礎物理学実験 (大阪大学全学共通教育科目)

その他

大阪大学工学部応用自然科学科物理工学科目2年クラス担任（准教授）

2026年4月 - 2027年3月
大阪大学工学部応用自然科学科1年4組クラス担任（准教授）

2025年4月 - 2026年3月
大阪大学工学部応用自然科学科1年4組クラス担任（助教）

2022年4月 - 2023年3月

小林拓真

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

主要な受賞

主要な論文

主要なMISC

主要な講演・口頭発表等

主要な共同研究・競争的資金等の研究課題

主要なメディア報道

書籍等出版物

産業財産権

所属学協会

担当経験のある科目(授業)

その他

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