堤卓也 (Takuya Tsutsumi) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪公立大学准教授

研究者番号: 50614913
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0002-5078-606X
J-GLOBAL ID: 202501000414818873
researchmap会員ID: R000082990

主要な研究キーワード

半導体デバイス

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研究分野

経歴

2024年4月 - 現在

大阪公立大学, 工学研究科電子物理系専攻, 准教授
2016年7月 - 2024年3月

NTT先端集積デバイス研究所, 機能材料研究部, 研究主任／主任研究員
2014年7月 - 2016年6月

NTTアクセスサービスシステム研究所, 光アクセス基盤プロジェクト, 研究員／システムエンジニア
2013年7月 - 2014年6月

NTTアクセスサービスシステム研究所, 光アクセスサービスプロジェクト, 研究員／システムエンジニア
2008年4月 - 2013年6月

NTTフォトニクス研究所, テラビットデバイス研究部, 研究員

学歴

2017年4月 - 2018年3月

京都大学, 大学院情報学研究科, 通信情報システム専攻
2006年4月 - 2008年3月

京都大学, 大学院工学研究科, 電子工学専攻
2002年4月 - 2006年3月

大阪市立大学, 工学部, 電気工学科

委員歴

2025年6月 - 現在

電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ, 総務幹事
2024年10月 - 現在

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Technical Program Committee
2020年6月 - 現在

電子情報通信学会マイクロ波テラヘルツ光電子技術研究会, 専門委員
2016年4月 - 現在

文部科学省科学技術・学術政策研究所, 専門調査員
2023年6月 - 2024年6月

電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ, 庶務財務幹事
2022年8月 - 2023年12月

IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Technical Program Committee / Publicity Chair
2021年6月 - 2023年6月

電子情報通信学会電子デバイス研究会, 幹事
2020年6月 - 2023年6月

電子情報通信学会和文論文誌C, 編集委員
2019年6月 - 2021年6月

電子情報通信学会電子デバイス研究会, 幹事補佐
2017年6月 - 2019年6月

電子情報通信学会会誌編集委員会, 編集委員・副主査
2017年6月 - 2019年6月

電子情報通信学会電子デバイス研究会, 専門委員

受賞

2024年10月

Best paper award （共著）, IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium
2019年12月

総研所長表彰, NTT先端技術総合研究所
2019年12月

社長表彰, 日本電信電話株式会社
2018年11月

Prize（共著）, Asia Pacific Microwave Conference
2015年9月

Top-20% Papers, Europian conference on optical communication
2014年3月

学術奨励賞, 電子情報通信学会

論文

300-GHz Band 160-Gb/s InP-HEMT Differential Front End With High LO Leakage Rejection

Hiroshi Hamada, Ibrahim Abdo, Taro Sasaki, Takuya Tsutsumi, Hiroyuki Takahashi

IEEE Journal of Solid-State Circuits 60(9) 3095-3110 2025年9月
Design of high-frequency Ga₂O₃ Schottky barrier diodes for microwave wireless power transmission

Kohki Eguchi, Yudai Suehiro, Yuto Tabata, Romualdo A. Ferreyra, Takuya Tsutsumi, Yasuo Ohno, Masataka Higashiwaki

Japanese Journal of Applied Physics 64(4) 046501-046501 2025年3月31日
Electrical properties of unintentionally doped β-Ga₂O₃ (010) thin films grown by a low-pressure hot-wall metalorganic chemical vapor deposition

Jun Jason Morihara, Jin Inajima, Zhenwei Wang, Junya Yoshinaga, Shota Sato, Kohki Eguchi, Takuya Tsutsumi, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki

Japanese Journal of Applied Physics 63(8) 080901-080901 2024年8月1日
220-to-320-GHz Fundamental Mixer in 60-nm InP HEMT Technology Achieving 240-Gbps Dual-Band Data Transmission

Teruo Jyo, Hiroshi Hamada, Takuya Tsutsumi, Ibrahim Abdo, Satoshi Kawahara, Daisuke Kitayama, Munehiko Nagatani, Hiroyuki Takahashi

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 72(1) 516-524 2024年1月
Systematic Study and Review of InP‐based Tera‐Hertz‐ICs Fabrication Process Technology for Beyond 5G/6G Wireless Communication Networks

Takuya Tsutsumi, Hiroki Sugiyama, Hiroshi Hamada, Teruo Jyo, Yuta Shiratori, Takuya Hoshi, Hiroyuki Takahashi, Fumito Nakajima

physica status solidi (a) 221(13) 2023年11月22日
Performance Enhancement of AlGaN/GaN HEMT via Trap-State Improvement Using O2 Plasma Treatment

Walid Amir, Ju-Won Shin, Ki-Yong Shin, Surajit Chakraborty, Chu-Young Cho, Jae-Moo Kim, Sang-Tae Lee, Takuya Hoshi, Takuya Tsutsumi, Hiroki Sugiyama …

IEEE Transactions on Electron Devices 70(6) 2988-2993 2023年6月
Sub-50 nm Terahertz In_0.8Ga_0.2As Quantum-Well High-Electron-Mobility Transistors for 6G Applications

Wan-Soo Park, Hyeon-Bhin Jo, Hyo-Jin Kim, Su-Min Choi, Ji-Hoon Yoo, Hyeon-Seok Jeong, Sethu George, Ji-Min Baek, In-Geun Lee, Tae-Woo Kim …

IEEE Transactions on Electron Devices 70(4) 2081-2089 2023年4月
Analytical and Physical Investigation on Source Resistance in InxGa1−xAs Quantum-Well High-Electron-Mobility Transistors

Ji-Hoon Yoo, In-Geun Lee, Takuya Tsutsumi, Hiroki Sugiyama, Hideaki Matsuzaki, Jae-Hak Lee, Dae-Hyun Kim

Micromachines 14(2) 439-439 2023年2月12日
A New Methodology to Analyze Carrier Transport Properties for In_xGa_1−xAs Quantum-Well High-Electron Mobility Transistors From Transconductance in Saturation

Hyo-Jin Kim, Ji-Hoon Yoo, Wan-Soo Park, Seung-Won Yun, Hyeon-Bhin Jo, In-Geun Lee, Tae-Woo Kim, Takuya Tsutsumi, Hiroki Sugiyama, Hideaki Matsuzaki …

IEEE Electron Device Letters 44(2) 229-232 2023年2月
Impact of Output Conductance on Current-Gain Cut-Off Frequency in InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As Quantum-Well High-Electron-Mobility Transistors on InP Substrate

Hyo-Jin Kim, In-Geun Lee, Hyeon-Bhin Jo, Tae-Beom Rho, Takuya Tsutsumi, Hiroki Sugiyama, Hideaki Matsuzaki, Jae-Hak Lee, Tae-Woo Kim, Dae-Hyun Kim

Electronics 12(2) 259-259 2023年1月4日
Comprehensive modeling of the extrinsic transconductance for In Ga As/In Al As quantum-well high-electron-mobility transistors

Seung-Won Yun, Hyeon-Bhin Jo, Hyeon-Seok Jeong, Wan-Soo Park, Ji-Hoon Yoo, In-Geun Lee, Tae-Woo Kim, Takuya Tsutsumi, Hiroki Sugiyama, Hideaki Matsuzaki …

Solid-State Electronics 198 108484-108484 2022年12月
Explicit Thermal Resistance Model of Self-Heating Effects of AlGaN/GaN HEMTs with Linear and Non-Linear Thermal Conductivity

Surajit Chakraborty, Walid Amir, Ju-Won Shin, Ki-Yong Shin, Chu-Young Cho, Jae-Moo Kim, Takuya Hoshi, Takuya Tsutsumi, Hiroki Sugiyama, Hideaki Matsuzaki …

Materials 15(23) 8415-8415 2022年11月25日
Extraction of effective mobility of In Ga As/In Al As quantum well high-electron-mobility transistors on InP substrate

Wan-Soo Park, Jun-Gyu Kim, Seung-Won Yun, Hyeon-Seok Jeong, Hyeon-Bhin Jo, Tae-Woo Kim, Takuya Tsutsumi, Hiroki Sugiyama, Hideaki Matsuzaki, Dae-Hyun Kim

Solid-State Electronics 197 108446-108446 2022年11月
InP-HEMT-based Tera-Hertz-band IC Fabrication Technology For Beyond 5G/6G Application

Takuya TSUTSUMI, Hiroki SUGIYAMA, Hiroshi HAMADA, Hiroyuki TAKAHASHI, Hideaki MATSUZAKI

Vacuum and Surface Science 65(6) 258-263 2022年6月10日
Physics-Based Analytical Channel Charge Model of In _x Ga_1-xAs/In_0.52Al_0.48As Quantum-Well Field-Effect Transistors From Subthreshold to Strong Inversion Regimes

Hyeon-Seok Jeong, Wan-Soo Park, Hyeon-Bhin Jo, In-Geun Lee, Tae-Woo Kim, Takuya Tsutsumi, Hiroki Sugiyama, Hideaki Matsuzaki, Sung-Ho Hahm, Jae-Hak Lee …

IEEE Journal of the Electron Devices Society 10 387-396 2022年
A quantitative approach for trap analysis between Al0.25Ga0.75N and GaN in high electron mobility transistors

Walid Amir, Ju-Won Shin, Ki-Yong Shin, Jae-Moo Kim, Chu-Young Cho, Kyung-Ho Park, Takuya Hoshi, Takuya Tsutsumi, Hiroki Sugiyama, Hideaki Matsuzaki …

Scientific Reports 11(1) 2021年11月17日
80nm InP-HEMTテクノロジを用いた300GHz帯電力増幅器及び120Gb/s，9.8m無線伝送の実現

濱田裕史, 堤卓也, 松崎秀昭, 杉山弘樹, 伊丹豪, 藤村拓哉, アブドイブラヒム, 白根篤史, 岡田健一, ソンホジン …

J104-C(9) 257-266 2021年9月1日
220–325-GHz 25-dB-Gain Differential Amplifier With High Common-Mode-Rejection Circuit in 60-nm InP-HEMT Technology

Hiroshi Hamada, Takuya Tsutsumi, Adam Pander, Hideaki Matsuzaki, Hiroki Sugiyama, Hiroyuki Takahashi, Hideyuki Nosaka

IEEE Microwave and Wireless Components Letters 31(6) 709-712 2021年6月
A Comprehensive Benchmarking Method for the Net Combination of Mobility Enhancement and Density-of-States Bottleneck

Seung-Won Yun, Wan-Soo Park, Hyun-Jeong Jung, Hyeon-Seok Jeong, Hyeon-Bhin Jo, In-Geun Lee, Tae-Woo Kim, Jae-Hak Lee, Takuya Tsutsumi, Hiroki Sugiyama …

IEEE Electron Device Letters 42(6) 804-807 2021年6月
Sub-30-nm In_0.8Ga_0.2As Composite-Channel High-Electron-Mobility Transistors With Record High-Frequency Characteristics

Hyeon-Bhin Jo, Seung-Won Yun, Jun-Gyu Kim, Ji-Min Baek, In-Geun Lee, Dae-Hyun Kim, Tae-Woo Kim, Sang-Kuk Kim, Jacob Yun, Ted Kim …

IEEE Transactions on Electron Devices 68(4) 2010-2016 2021年4月

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書籍等出版物

6G/7Gのキーデバイス

川西哲也 (担当:共著)

S&T出版 2023年5月 (ISBN: 9784907002978)
高周波対応部材の開発動向と5G、ミリ波レーダーへの応用

執筆者:58名 (担当:共著)

技術情報協会 2022年9月8日 (ISBN: 4861049296)

講演・口頭発表等

300-GHz Band Fully Differential InP-HEMT Wireless Front End Achieving 160-Gb/s 43-m Data Transmission

Hiroshi Hamada, Ibrahim Abdo, Taro Sasaki, Takuya Tsutsumi, Hiroyuki Takahashi

Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2025年12月招待有り
300-GHz 160-Gb/s InP-HEMT Wireless Front-End With Fully Differential Architecture

Hiroshi Hamada, Ibrahim Abdo, Takuya Tsutsumi, Hiroyuki Takahashi

IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium 2025年10月
320-GHz InP-HEMT Low Noise Amplifier with Modified Ridge Coupler

Ibrahim Abdo, Hiroshi Hamada, Teruo Jyo, Takuya Tsutsumi, Tarou Sasaki, Hiroyuki Takahashi

European Microwave Week (EuMC) 2025年9月
300-GHz-Band SingleBalanced Resistive Mixer Module in 60-nm InP HEMT Technology with LO Leakage Suppressing Function

T. Jyo, H. Hamada, T. Tsutsumi, D. Kitayama, I. Abdo, M. Nagatani, H. Takahashi

International Microwave Symposium (IMS) 2025年6月
Cutting-edge THz devices as essential parts of IOWN - Innovative optical and wireless network

T. Tsutsumi

International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2023年11月招待有り
Feasibility Study of InP-based Tera-Hertz-ICs Fabrication Process for Beyond 5G / 6G Wireless Network Systems

T. Tsutsumi, H., Sugiyama, H. Hamada, T. Jyo, Y. Shiratori, T., Hoshi, H. Takahashi, F., Nakajima

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2023年9月招待有り
220-to-320-GHz Fundamental Mixer in 60-nm InP HEMT Technology Achieving 120/152/168-Gbps Data Transmission in Three Bands

T. Jyo, H. Hamada, T., Tsutsumi, I. Abdo, S., Kawahara, D. Kitayama, M. Nagatani, H., Takahashi

International Microwave Symposium (IMS) 2023年6月
220-to-320-GHz Fundamental Mixer in 60-nm InP HEMT Technology Achieving 120 / 152 / 168-Gbps Data Transmission in Three Bands

T.Jyo, H. Hamada, T., Tsutsumi, I. Abdo, S., Kawahara. D. Kitayama, M. Nagatani, H., Takahashi

IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS) 2023年6月
Fabrication Process Technology of lnP-based Tera-Hertz ICs for Beyond 5G / 6G Wireless Communication Networks

T. Tsutsumi, H., Sugiyama, H. Hamada, T. Jyo, Y. Shiratori, T., Hoshi, H. Takahashi, F., Nakajima

Compound Semiconductor Week (CSW) 2023年5月招待有り
Reliability Assessment of AlxGa1-xN/GaN High Electron Mobility Transistors Depending on Al Composition

W. Amir, J.-W. Shin, S., Chakraborty, K.-Y., Shin, T., Hoshi, T., Tsutsumi, H. Sugiyama, H. Matsuzaki, T.-W. Kim

Compound Semiconductor Week (CSW) 2023年5月
lnxGa1-xAs Qauntum-well HEMTs for Sub-THz Applications

H.-B. Jo, W.-S. Park, T., Tsutsumi, H. Sugiyama, H. Matsuzaki, J.-H. Lee, D.-H. Kim

Compound Semiconductor Week (CSW) 2023年5月
Lg = 25 nm In0.8Ga0.2As / In0.52Al0.48As High-Electron Mobility Transistors on InP Substrate with Both fT and fmax in Excess of 700 GHz

I.-G. Lee, S.-M. Choi, H.-B. Jo, J.-H. Yoo, H, H. Kim, J. Yun, T. Kim, T.-W. Kim, H. Sugiyama, T. Tsutsumi, J.-H. Lee, D.-H. Kim

International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS-MANTECH) 2023年5月
A New Methodology to Extract Saturation Velocity of In0.53Ga0.47As QW HEMTs

H.-J. Kim, J.-H. Yoo, W.-S. Park, H.-B. Jo, I, G. Lee, T.-W. Kim, S.-K., Kim, Y.-H. Kim, J. Yun, T. Kim, T. Tsutsumi, H., Sugiyama, H. Matsuzaki, J.-H. Lee, D.-H. Kim

International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS-MANTECH) 2023年5月
Instability Assessment of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Under High Drain Current Condition

W. Amir, J.-W. Shin, S., Chakraborty, K.-Y., Shin, T., Hoshi, T., Tsutsumi, H. Sugiyama, H.-M. Kwon, T.-W. Kim

Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2022年12月
On the universality of draininduced- barrier-lowering in fieldeffect transistors

S.-M. Choi, H.-B. Jo, D.-Y. Yun, J.-G. Kim, W.-S. Park, J.-M. Baek, I.-G. Lee, J.-K. Shin, H.-M. Kwon, T., Tsutsumi, H. Sugiyama, H. Matsuzaki, J.-H. Lee, D.-H. Kim

IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2022年12月
Terahertz In0.8Ga0.2As quantumwell HEMTs toward 6G applications

W.-S. Park, H.-B. Jo, H.-J. Kim, S.-M. Choi, J.-H. Yoo, J.-H. Kim, H.-S. Jeong, S. George, J.-M. Beak, I.-G. Lee, T.-W. Kim, S.-K. Kim, J., Yun, T. Kim, T., Tsutsumi, H. Sugiyama, H. Matsuzaki, J.-H. Lee, D.-H. Kim

IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2022年12月
Comparison of DC/RF characteristics of InP HEMTs with In-rich InGaAs and InAs composite channel

T. Sasaki, T. Tsutsumi, H. Sugiyama, F., Nakajima

Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM) 2022年9月
InP-based Tera-Hertz-IC Fabrication Process Technologies

T. Tsutsumi

International Symposium on Future Trends of Terahertz Semiconductor Technologies (TST) 2022年3月
InxGa1−xAs Quantum-well Highelectron- mobility Transistors with a Record Combination of fT and fmax: From the Mobility Relevant to Ballistic Transport Regimes

S.-W. Yun, H.-B. Jo,J., H. Yoo, W.-S. Park, H., S. Jeong, S.-M. Choi, H.-J. Kim, S. George, J.-M. Beak, I.-G. Lee, T.-W. Kim, S.-K. Kim, J., Yun, T. Kim, T., Tsutsumi, H. Sugiyama, H. Matsuzaki, D.-H. Kim

IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2021年12月
20 GHz Bandwidth 3.84 dBi Gain InP On-chip Antenna for 300GHz Wireless Communication

G. Itami, H. Hamada, Y., Shiratori, M. Muto, T, Tsutsumi, H. Nosaka

International Symposium on Antennas and Propagation (ISAP) 2021年1月