2017年
Analysis of quasi-ballistic hole transport capability of Ge and Si nanowire pMOSFETs by a quantum-corrected Boltzmann transport equation
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD
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- 巻
- 2017-September
- 号
- 開始ページ
- 277
- 終了ページ
- 280
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 記事・総説・解説・論説等（国際会議プロシーディングズ）
- DOI
- 10.23919/SISPAD.2017.8085318
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