MISC

査読有り
2017年

Analysis of quasi-ballistic hole transport capability of Ge and Si nanowire pMOSFETs by a quantum-corrected Boltzmann transport equation

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD
  • Tanaka H
  • ,
  • Suda J
  • ,
  • Kimoto T

2017-September
開始ページ
277
終了ページ
280
記述言語
英語
掲載種別
記事・総説・解説・論説等(国際会議プロシーディングズ)
DOI
10.23919/SISPAD.2017.8085318

リンク情報
DOI
https://doi.org/10.23919/SISPAD.2017.8085318
URL
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-85039068828&partnerID=MN8TOARS
URL
http://orcid.org/0000-0001-9728-5687

エクスポート
BibTeX RIS