Hajime Tanaka

SiC MOS界面におけるドナー不純物による電子束縛状態の解析

荒井晟来, 田中一, 森伸也

先進パワー半導体分科会第10回講演会, Nov 30, 2023

Carrier Transport Simulations in Twisted Bilayer and Turbostratic Multilayer Graphene Systems

S. A. Mojtahedzadeh, H. Tanaka, N. Mori

The 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, Nov 16, 2023

SISPAD 2023 レビュー

田中一

電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会, Nov 9, 2023 Invited

半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の量子論に基づく数値解析

岡田丈, 田中一, 森伸也

シリコンテクノロジー分科会第246回研究集会, Nov 9, 2023 Invited

Semiconductor device simulation from first principles

N. Mori, G. Mil'nikov, H. Tanaka, J. Okada, J. Iwata, A. Oshiyama

The 24th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure, Oct 30, 2023 Invited

4H-SiCの衝突イオン化係数の理論解析

田中一, 木本恒暢, 森伸也

第83回応用物理学会秋季学術講演会, Sep 21, 2023

High-Field Phenomena in SiC Material and Devices

T. Kimoto, H. Niwa, X. Chi, M. Hara, R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko

Symposium on Silicon Carbide as Quantum-Classical Platform, Sep 15, 2023 Invited

Theoretical Analysis of Electron Scattering by Step-Terrace Structures at SiC Metal-Oxide-Semiconductor Interface

K. Utsumi, H. Tanaka, N. Mori

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sep 8, 2023

Full-Band Monte Carlo Analysis of Strain Effects on Carrier Transport in GaN

W. Miyazaki, H. Tanaka, N. Mori

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sep 7, 2023

Wannier-Stark Localization of Electronic States in 4H-SiC MOS Inversion Layer

S. Nagamizo, H. Tanaka, N. Mori

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sep 7, 2023

Intrinsic carrier density in 4H-SiC obtained from diffusion current in bipolar junction transistor

S. Asada, K. Murata, H. Tanaka, H. Tsuchida

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sep 6, 2023

Analysis of tunneling effects in 4H-SiC Schottky barrier diodes based on complex band structure considering barrier potential

Y. Murakami, S. Nagamizo, H. Tanaka, N. Mori

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sep 6, 2023

Analysis of tunneling probability using complex bands considering barrier potential

Y. Murakami, S. Nagamizo, H. Tanaka, N. Mori

22nd International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, Aug 15, 2023

Full-band Monte Carlo analysis of the effects of strain on the impact ionization of GaN

W. Miyazaki, H. Tanaka, N. Mori

22nd International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, Aug 15, 2023

Anisotropic Electron and Hole Mobilities in 4H-SiC Bulk Crystals

R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, T. Kimoto

65th Electronic Materials Conference, Jun 29, 2023

Impacts of band structures and scattering processes on high-field carrier transport in wide bandgap semiconductors

H. Tanaka, T. Kimoto, N. Mori

International Workshop on Computational Nanotechnology, Jun 14, 2023 Invited

SiC MOS反転層における電子散乱過程およびHall移動度のモデリング

田中一, 森伸也

第70回応用物理学会春季学術講演会, Mar 16, 2023 Invited

4H-SiCにおける正孔移動度の異方性の定量と解析

石川諒弥, 田中一, 金子光顕, 木本恒暢

先進パワー半導体分科会第9回講演会, Dec 21, 2022

2次元系におけるフォノン散乱により生じるテール状態の理論解析

田中一, 森伸也

先進パワー半導体分科会第9回講演会, Dec 21, 2022

高濃度ドープp型SiCショットキー障壁ダイオードの電気的特性に対するスプリットオフバンドの影響

北脇武晃, 原征大, 田中一, 金子光顕, 木本恒暢

先進パワー半導体分科会第9回講演会, Dec 20, 2022

経験的擬ポテンシャル法に基づく 4H-SiC MOS 反転層の擬 2 次元電子状態解析

永溝幸周, 田中一, 森伸也

先進パワー半導体分科会第9回講演会, Dec 20, 2022

SiC MOS 界面に生じるステップ・テラス構造による電子散乱の理論解析

内海慶祐, 田中一, 森伸也

先進パワー半導体分科会第9回講演会, Dec 20, 2022

Tight-binding and full-band Monte Carlo analysis of the strain effects in wurtzite GaN

W. Miyazaki, H. Tanaka, N. Mori

Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems 2022, Dec 9, 2022

Theoretical analysis of tunneling effect in 4H-SiC Schottky barrier diodes based on complex band structure

Y. Murakami, S. Nagamizo, H. Tanaka, N. Mori

Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems 2022, Dec 5, 2022

Monte Carlo Simulation of Electron Transport in SiC MOS Inversion Layers Considering Capture and Emission by Interface States

F. Tanaka, H. Tanaka, N. Mori

2022 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, Nov 29, 2022

Theoretical Analysis of Tunneling Current in 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Under Reverse-biased Condition Based on Complex Band Structure

Y. Murakami, S. Nagamizo, H. Tanaka, N. Mori

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sep 29, 2022

Tight-Binding Analysis of the Effect of Strain on the Band Structure of GaN

W. Miyazaki, H. Tanaka, N. Mori

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sep 27, 2022

GaNのバンド構造に歪みが与える影響の強束縛近似法に基づく解析

宮崎航, 田中一, 森伸也

第83回応用物理学会秋季学術講演会, Sep 23, 2022

金属/高濃度ドープp型SiCショットキー界面におけるトンネル電流に対するスプリットオフバンドの影響

北脇武晃, 原征大, 田中一, 金子光顕, 木本恒暢

第83回応用物理学会秋季学術講演会, Sep 22, 2022

4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおけるトンネル電流の理論解析

村上勇徳, 永溝幸周, 田中一, 森伸也

第83回応用物理学会秋季学術講演会, Sep 22, 2022

SiC (0001), (11-20), (1-100) MOSFETにおけるHall移動度のボディ層濃度依存性

伊藤滉二, 田中一, 堀田昌宏, 須田淳, 木本恒暢

第83回応用物理学会秋季学術講演会, Sep 21, 2022 Invited

フォノン散乱により生じるテール状態の輸送特性の非平衡グリーン関数解析

田中一, 森伸也

第83回応用物理学会秋季学術講演会, Sep 21, 2022

SiC結晶表面におけるステップ・テラス構造による電子散乱の理論解析

内海慶祐, 田中一, 森伸也

第83回応用物理学会秋季学術講演会, Sep 21, 2022

Anisotropy of hole mobility in 4H-SiC over wide ranges of acceptor concentration and temperature

R. Ishikawa, H. Tanaka, M. Kaneko, T. Kimoto

19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022, Sep 16, 2022

Contribution of a split-off band to tunneling current in heavily-doped p-type SiC Schottky barrier diodes

T. Kitawaki, M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, T. Kimoto

Sep 14, 2022

4H-SiCにおける電子移動度および正孔移動度の異方性

石川諒弥, 原征大, 田中一, 金子光顕, 木本恒暢

第69回応用物理学会春季学術講演会, Mar 25, 2022 Invited

様々なゲート酸化膜を有するSiC MOSFETにおけるHall移動度の実効垂直電界依存性

伊藤滉二, 田中一, 堀田昌宏, 須田淳, 木本恒暢

第69回応用物理学会春季学術講演会, Mar 24, 2022

SiC MOS反転層におけるHall移動度に界面準位の面直位置が与える影響

田中一, 森伸也

第69回応用物理学会春季学術講演会, Mar 24, 2022

界面準位を考慮したSiC MOS反転層におけるHall移動度の理論解析

田中一, 森伸也

第69回応用物理学会春季学術講演会, Mar 23, 2022 Invited

Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices

T. Kimoto, M. Kaneko, K, Tachiki, K. Ito, R. Ishikawa, X. Chi, D. Stefanakis, T. Kobayashi, H. Tanaka

67th IEEE International Electron Devices Meeting, Dec 15, 2021 Invited

様々なドーピング密度を有するSiCショットキー障壁ダイオードにおけるキャリア輸送機構の電界強度依存性

原征大, 田中一, 金子光顕, 木本恒暢

先進パワー半導体分科会第8回講演会, Dec 10, 2021

SiC相補型JFETインバータの573 Kまでの静特性および動特性を再現するSiC p-, n-JFETのデバイスモデル構築

前田憲幸, 金子光顕, 田中一, 木本恒暢

先進パワー半導体分科会第8回講演会, Dec 9, 2021

4H-SiCにおける電子移動度の異方性の起源

石川諒弥, 原征大, 田中一, 金子光顕, 木本恒暢

先進パワー半導体分科会第8回講演会, Dec 9, 2021

Monte Carlo simulation of electron mobility in SiC MOSFETs

H. Tanaka, N. Mori

2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, Nov 19, 2021 Invited

Analysis of electronic states at SiC MOS interface based on empirical pseudopotential method

S. Nagamizo, H. Tanaka, N. Mori

2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, Nov 19, 2021

Electronic state analysis of rectangular cross-sectional GeSn nanowires with various geometries and Sn composition

M. Sato, H. Tanaka, T. Kimoto

34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, Oct 28, 2021

A New Horizon of SiC Technology Driven by Deeper Understanding of Physics

T. Kimoto, M. Kaneko, T. Kobayashi, H. Tanaka, K. Tachiki, A. Iijima, S. Yamashita, X. Chi, Y. Zhao, D. Stefanakis, Y. Matsushita

13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Oct 28, 2021 Invited

SPICE model reproducing the static and dynamic characteristics of a SiC complementary JFET inverter from 300 to 573 K

N. Maeda, M. Kaneko, H. Tanaka, T. Kimoto

13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Oct 27, 2021

Impacts of High-Concentration Carrier Traps on Electrical Characteristics of p-i-n Diodes on HPSI SiC Substrates

K. Takahashi, H. Tanaka, M. Kaneko, T. Kimoto

13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Oct 27, 2021

Anisotropy of electron mobility in 4H-SiC over wide ranges of donor concentration and temperature

R. Ishikawa, M. Hara, H. Tanaka, M. Kaneko, T. Kimoto

13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Oct 26, 2021

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