論文

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2018年7月

Estimation of Threshold Voltage in SiC Short-Channel MOSFETs

IEEE Transactions on Electron Devices

Keita Tachiki
Takahisa Ono
Takuma Kobayashi
Hajime Tanaka
Tsunenobu Kimoto

巻: 65
号: 7
開始ページ: 3077
終了ページ: 3080
記述言語: 英語
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
DOI: 10.1109/ted.2018.2837028
出版者・発行元: Institute of Electrical and Electronics Engineers ({IEEE})

リンク情報

DOI: https://doi.org/10.1109/ted.2018.2837028
URL: http://orcid.org/0000-0001-9728-5687
Scopus: https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85047619178&origin=inward
Scopus Citedby: https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85047619178&origin=inward

ID情報

DOI : 10.1109/ted.2018.2837028
ISSN : 0018-9383
ORCIDのPut Code : 47711099
SCOPUS ID : 85047619178

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