論文

査読有り
2020年3月

Modeling of carrier scattering in MOS inversion layers with large density of interface states and simulation of electron Hall mobility in 4H-SiC MOSFETs

Japanese Journal of Applied Physics
  • Hajime Tanaka
  • ,
  • Nobuya Mori

担当区分
筆頭著者
59
3
開始ページ
031006
終了ページ
記述言語
掲載種別
研究論文(学術雑誌)
DOI
10.35848/1347-4065/ab7271

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DOI
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ab7271

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