2020年3月
Modeling of carrier scattering in MOS inversion layers with large density of interface states and simulation of electron Hall mobility in 4H-SiC MOSFETs
Japanese Journal of Applied Physics
- ,
- 担当区分
- 筆頭著者
- 巻
- 59
- 号
- 3
- 開始ページ
- 031006
- 終了ページ
- 記述言語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- DOI
- 10.35848/1347-4065/ab7271