論文

2020年9月8日

Evaluation of Silicon Nitride Film Formed by Atomic Layer Deposition on the Silicon Substrate with Trench Structure Using Angle-Resolved Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

ECS Transactions
  • Tapei Nishihara
  • ,
  • Ryo Yokogawa
  • ,
  • Yuji Otsuki
  • ,
  • Munehito Kagaya
  • ,
  • Atsushi Ogura

98
3
開始ページ
113
終了ページ
120
記述言語
掲載種別
研究論文(学術雑誌)
DOI
10.1149/09803.0113ecst
出版者・発行元
The Electrochemical Society

リンク情報
DOI
https://doi.org/10.1149/09803.0113ecst
ID情報
  • DOI : 10.1149/09803.0113ecst
  • ORCIDのPut Code : 80734425

エクスポート
BibTeX RIS