論文

2020年11月23日

Evaluation of Silicon Nitride Film Formed by Atomic Layer Deposition on the Silicon Substrate with Trench Structure Using Angle-Resolved Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

ECS Meeting Abstracts
  • Tapei Nishihara
  • ,
  • Ryo Yokogawa
  • ,
  • Yuji Otsuki
  • ,
  • Munehito Kagaya
  • ,
  • Atsushi Ogura

{MA}2020-02
14
開始ページ
1387
終了ページ
1387
記述言語
掲載種別
研究論文(学術雑誌)
DOI
10.1149/MA2020-02141387mtgabs
出版者・発行元
The Electrochemical Society

リンク情報
DOI
https://doi.org/10.1149/MA2020-02141387mtgabs
ID情報
  • DOI : 10.1149/MA2020-02141387mtgabs
  • ORCIDのPut Code : 85685744

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