論文

2021年3月

Oxygen Precipitation Behavior in n-Type Cz-Si Related to Carbon Concentration and Crystal Growth Conditions

Journal of Electronic Materials
  • Tappei Nishihara
  • ,
  • Kohei Onishi
  • ,
  • Yoshio Ohshita
  • ,
  • Atsushi Ogura

50
3
開始ページ
1474
終了ページ
1481
記述言語
掲載種別
研究論文(学術雑誌)
DOI
10.1007/s11664-020-08702-w
出版者・発行元
Springer Science and Business Media {LLC}

リンク情報
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-020-08702-w
ID情報
  • DOI : 10.1007/s11664-020-08702-w
  • ORCIDのPut Code : 86518986

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