早川太朗 (Taro Hayakawa) - マイポータル

基本情報

所属: 日新イオン機器(株) 新事業推進部

学位: 博士（材料科学）(2012年3月北陸先端科学技術大学院大学)
修士(2008年3月大阪府立大学)
学士(2006年3月大阪府立大学)

J-GLOBAL ID: 202101015983084010
researchmap会員ID: R000016014

研究分野

経歴

2012年4月 - 現在

日新イオン機器（株）, 新事業推進部
2008年4月 - 2009年6月

住友電気工業（株）, 住友電工ハードメタル超高圧材料グループ

学歴

2009年7月 - 2012年3月

北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科
2006年4月 - 2008年3月

大阪府立大学大学院, 電子・数物系, 電子物理工学分野
2002年4月 - 2006年3月

大阪府立大学, 工学部, 電子物理工学科

論文

Cat-doping: Novel method for phosphorus and boron shallow doping in crystalline silicon at 80 °C

Matsumura Hideki, Hayakawa Taro, Ohta Tatsunori, Nakashima Yuki, Miyamoto Motoharu, Trinh Cham Thi, Koyama Koichi, Ohdaira Keisuke

Journal of Applied Physics 116(11) 114502-114502 2014年9月21日査読有り
Effect of Radical-Doped n⁺ Back Surface Field Layers on the Effective Minority Carrier Lifetimes of Crystalline Silicon with Amorphous Silicon Passivation Layers Deposited by Catalytic Chemical Vapor Deposition

Hayakawa Taro, Ohta Tatsunori, Nakashima Yuki, Koyama Koichi, Ohdaira Keisuke, Matsumura Hideki

Jpn J Appl Phys 51(10) 101301-101301 2012年9月25日査読有り筆頭著者
Distribution of Phosphorus Atoms and Carrier Concentrations in Single-Crystal Silicon Doped by Catalytically Generated Phosphorous Radicals

Hayakawa Taro, Nakashima Yuki, Koyama Koichi, Ohdaira Keisuke, Matsumura Hideki

Jpn J Appl Phys 51(6) 061301-061301 2012年6月4日査読有り筆頭著者
Low-temperature Phosphorus Doping To Silicon Using Phosphorus-related Radicals

Taro Hayakawa, Yuuki Nakashima, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura

MRS Proceedings 1391 2012年筆頭著者
Low Temperature Phosphorus Doping in Silicon Using Catalytically Generated Radicals

Hayakawa Taro, Nakashima Yuki, Miyamoto Motoharu, Koyama Koichi, Ohdaira Keisuke, Matsumura Hideki

Jpn J Appl Phys 50(12) 121301-121301 2011年11月10日査読有り筆頭著者
Extremely Low Recombination Velocity on Crystalline Silicon Surfaces Realized by Low-Temperature Impurity Doping in Cat-CVD Technology

Hayakawa Taro, Miyamoto Motoharu, Koyama Koichi, Ohdaira Keisuke, Matsumura Hideki

Thin Solid Films 519(14) 4466-4468 2011年5月査読有り筆頭著者
ESR Study on Molecular Salt (Benzo-TTFVS)2MBr4 (M = Fe, Ga)

Shuichi Kawamata, Taro Hayakawa, Takashi Hiraoka, Hideki Fujiwara, Toyonari Sugimoto, Takekazu Ishida

Journal of the Korean Physical Society 53(9(2)) 1014-1019 2008年8月14日
ESR study on correlated molecular salt with benzo group

Taro Hayakawa, Shuichi Kawamata, Takashi Hiraoka, Hideki Fujiwara, Toyonari Sugimoto, Takekazu Ishida

Journal of Magnetism and Magnetic Materials 310(2) 1096-1098 2007年3月査読有り筆頭著者

講演・口頭発表等

イオンビームエッチング用大口径イオンビームの特性

早川太朗, 井内裕, 池尻忠司

2020年3月14日
ビームプラズマが低エネルギーイオンビームの発散角へ与える影響

早川太朗, 永尾友一, 井内裕, 三上隆司

2019年3月10日
ホローカソードを陰極に用いた大面積イオン源の開発

早川太朗, 永尾友一, 井内裕

2016年3月19日
ラジカル反応でドープしたP原子の分布とキャリア濃度の関係

早川太朗, 中島裕貴, 太田立教, 小山晃一, 大平圭介, 松村英樹

2012年3月16日
Low-temperature Phosphorus Doping To Silicon Using Phosphorus-related Radicals

Taro Hayakawa, Yuuki Nakashima, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura

2011 MRS Fall Meeting & Exhibit 2011年11月2日
フォトレジストマスキング法のラジカルドーピングへの適用の試み

早川太朗, 中島裕貴, 小山晃一, 大平圭介, 松村英樹

第59回応用物理学関係連合講演会 2011年8月29日
P(リン)系ラジカルを用いた低温ドーピング

早川太朗, 中島裕貴, 小山晃一, 大平圭介, 松村英樹

第8回Cat-CVD研究会 2011年6月18日
リン系ラジカルを用いたSiへの低温ドーピング

早川太朗, 中島裕貴, 小山晃一, 大平圭介, 松村英樹

第58回応用物理学関係連合講演会(中止) 2011年3月24日
Extremely Low Recombination Velocity on Crystalline Silicon Surfaces Realized by Low-Temperature Impurity Doping Cat-CVD Technology

Taro Hayakawa, Motoharu Miyamoto, Koichi Koyama, Keisuke Ohdaira, Hideki Matsumura

Sixth International Conference on Hot-Wire Chemical Vapor Deposition (Cat-CVD) Process (HWCVD 2010) 2010年9月16日
触媒反応で生じたP系ラジカルによるSi基板への低温ドーピング

早川太朗, 宮本素明, 小山晃一, 大平圭介, 松村英樹

第7回Cat-CVD研究会 2010年6月19日
触媒反応で生成されたラジカルを用いた不純物低温ドープ

早川太朗, 中島祐貴, 宮本素明, 小山晃一, 大平圭介, 松村英樹

学振175委員会シンポジウム

所属学協会

2009年9月 - 現在

応用物理学会
2006年3月 - 現在

日本物理学会

早川太朗

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経歴

学歴

論文

講演・口頭発表等

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