ポリイミド絶縁体と小型の円形カソードバンプからなるバンプカソード素子を開発し、$^{252}$Cf中性子線源を用いた照射試験を実施した。有感面積は128$\times$128mmであり、XY方向に1mm間隔でバンプを配置している。照射試験はガス圧7気圧(He/CF$_{4}$=0.6/0.1)の条件下で実施された。128$\times$128chのすべてのピクセルにおいて中性子による信号が確認され、波高分布における中性子による明瞭な信号パルスピークも測定することができた。また、印可電圧の増加に伴う信号パルスピークの増加、および二次元イメージの均一性の向上を確認することができた。