2011年12月9日 抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価 電子情報通信学会技術研究報告 岩田達哉, 西佑介, 木本恒暢 記述言語 日本語 会議種別 リンク情報 URLhttp://jglobal.jst.go.jp/detail.php?from=API&JGLOBAL_ID=201202269746157157