酸化物強誘電体材料は現代の科学文明を支える材料群のひとつであり、メモリーデバイスからセンサーまで広く応用されている。強誘電体特性は構造敏感な特性であり、酸化物の組成や応力場に依存する。本研究ではペロブスカイト型酸化物の相安定性に対する組成と応力場の関係を解明することを目的とした。
そのため化学的堆積法を用い、ペロブスカイト型酸化物基板の上に薄膜成長させ基板から応力を印加するとともに、大きさの異なる構成元素による全率固溶型の強誘電体相を成長させた。透過電子顕微鏡観察等により構造を同定した結果、バルク材料と比較し薄膜では強誘電相が発現する組成領域が組成に敏感に依存することが明らかとなった。