松田時宜 (Tokiyoshi Matsuda) - マイポータル

基本情報

所属: 近畿大学理工学部電気電子通信工学科

J-GLOBAL ID: 201101005030476253
researchmap会員ID: B000002695

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発表論文・産業財産権をアップデートいたしました。

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主要な研究分野

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経歴

2022年4月 - 現在

近畿大学理工学部教授
2016年4月 - 現在

龍谷大学革新的材料・プロセス研究センター客員研究員
2017年4月 - 2022年3月

株式会社FLOSFIA
2011年4月 - 2016年3月

龍谷大学理工学部電子情報学科助教
2008年4月 - 2011年3月

高知工科大学ナノデバイス研究所
2008年4月 - 2011年3月

高知工科大学ナノデバイス研究所助教
2007年12月 - 2008年3月

高知工科大学総合研究所助教
2004年4月 - 2007年11月

高知工科大学総合研究所助手
2004年4月 - 2007年3月

Research Institute, Kochi University of Technology Research Associate
2003年10月 - 2004年3月

Universidade de Sao Paulo (USP) Brasil PD (FAPESP)
2003年10月 - 2004年3月

Universidade de Sao Paulo (USP) Brasil PD (FAPESP)
2003年4月 - 2003年10月

大阪大学大学院理学研究科
2003年4月 - 2003年10月

大阪大学院理学研究科教務補佐員
2000年4月 - 2003年3月

大阪大学大学院理学研究科
2000年4月 - 2003年3月

大阪大学大学院理学研究科宇宙地球科学専攻博士後期課程

受賞

2011年5月

丹羽高柳賞「論文賞」 (共著者として) 有機光導電膜とＺｎＯＴＦＴ回路の積層構造を用いた有機撮像デバイスの原理実証実験社団法人映像情報メディア学会

瀬尾北斗, 相原聡, 難波正和, 渡部俊久, 大竹浩, 久保田節, 江上典文, 平松孝浩, 松田時宜, 古田守, 新田浩士, 平尾孝
2010年11月

Best Paper Award (Presenter) Fabrication of ZnO thin film phosphor and induced luminescence center Thin Film Materials and Devices Meeting (Japanese)

Chaoyang Li, Tokiyoshi Matsuda, Toshiyuki Kawaharamura, Wang Dapeng, Hiroshi Furuta, Mamoru Furuta, Keiji Ichinomiya, Yoichiro Nakanishi, Takashi Hirao
2010年11月

ベストペーパーアワード(発表者) ZnO薄膜蛍光体の形成と発光中心導入過程薄膜材料デバイス研究会

李朝陽, 松田時宜, 川原村敏幸, Wang Dapeng, 古田寛, 古田守, 一ノ宮敬治, 中西洋一郎, 平尾孝
2010年1月

15 th place Top 20 Most Downloaded Articles, January 2010 Crystallinity and Resistivity of ZnO thin films with indium implantation and post annealing Journal of Vacuum Science and Technology, A

Tokiyoshi Matsuda, Mamoru Furuta, Takahiro Hiramatsu, Hiroshi Furuta, Takashi Hirao
2006年12月

Poster Paper Award (Co-author) Low-Temperature Synthesis of SiO2 Insulator by ICP-CVD Using Tetramethylsilane 13th International Display Workshops 06 (IDW06)

Hiroshi Furuta, Mamoru Furuta, Tokiyoshi Matsuda, Takahiro Hiramatsu, Takashi Hirao
2006年5月

Distinguished Contribued Paper Award (Co-author) High mobility top-gate ZnO-TFTs for AMLCDs Society for Information Display 2006 (SID2006)

Takashi Hirao, Mamoru Furuta, Hiroshi Furuta, Tokiyoshi Matsuda, Takahiro Hiramatsu, Hitoshi Hokari, Motohiko Yoshida

主要な論文

143

レアメタルフリー Ga-Sn-O 材料の薄膜トランジスタへの応用

松田時宜, 梅田鉄馬, 加藤雄太, 西本大貴, 杉崎澄生純生, 古田守, 木村睦

電子情報通信学会論文誌 C J102-C 305-311 2019年11月1日査読有り招待有り筆頭著者責任著者
Mapping the interfacial reaction of α-Ga2O3 Schottky contacts through scanning internal photoemission microscopy

Kenji Shiojima, Hitoshi Kambara, Tokiyoshi Matsuda, Takashi Shinohe

Thin Solid Films 685 17-25 2019年9月査読有り
Memristive Characteristic of an Amorphous Ga-Sn-O Thin-Film Device

Sumio Sugisaki, Tokiyoshi Matsuda, Mutsunori Uenuma, Toshihide Nabatame, Yasuhiko Nakashima, Takahito Imai, Yusaku Magari, Daichi Koretomo, Mamoru Furuta, Mutsumi Kimura

Scientific Reports 9(1) 2757 2019年2月査読有り
Rare-metal-free high-performance Ga-Sn-O thin film transistor

Tokiyoshi Matsuda, Kenta Umeda, Yuta Kato, Daiki Nishimoto, Mamoru Furuta, Mutsumi Kimura

SCIENTIFIC REPORTS 7 44326 2017年3月査読有り
Comparison of defects in crystalline oxide semiconductor materials by electron spin resonance

Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 33(2) 2015年3月査読有り
Low temperature deposition of SiOx insulator film with newly developed facing electrodes chemical vapor deposition

Tokiyoshi Matsuda, Mamoru Furuta, Takahiro Hiramatsu, Hiroshi Furuta, Toshiyuki Kawaharamura, Takashi Hirao

VACUUM 101 189-192 2014年3月査読有り

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共同研究・競争的資金等の研究課題

新規レアメタルフリー酸化物半導体を用いた機能性デバイス開発のための格子欠陥評価

日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(C) 2016年4月 - 2020年3月

松田時宜
多元系酸化物の格子欠陥のメカニズム解明

日本学術振興会科学研究費補助金若手研究(B) 2014年4月 - 2016年3月

松田時宜
プラズマにより酸化物半導体に導入された格子欠陥に関する研究, 副題: 多元系酸化物材料中の常磁性欠陥

日本私立学校振興・共済事業団平成26年度学術研究振興資金（若手研究者奨励金） 2014年5月 - 2015年3月

松田時宜
低エネルギー電子線励起用積層薄膜蛍光体のプラズマ処理による高効率化

科学技術振興機構(JST) シーズ発掘試験 2009年 - 2010年

松田時宜
ZnO系薄膜蛍光体のプラズマ処理による発光中心の活性化及び薄膜積層蛍光体への応用

財団法人双葉電子記念財団自然科学研究助成 2009年 - 2010年

松田時宜
酸化亜鉛薄膜-電極薄膜界面及び酸化鉛薄膜の子欠陥と構造に関する研究

文部科学省科学研究費補助金若手研究(B) 2005年 - 2008年

松田時宜

MISC

非結晶酸化物半導体を記憶素子として用いたニューロモロフィックデバイス

杉崎澄生, 田中遼, 倉崎彩太, 滝下雄太, 谷野健太, 松田時宜, 中島康彦, 木村睦, 木村睦, 木村睦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th ROMBUNNO.12a‐PA4‐2 2019年2月25日
Al₂O₃絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT

服部一輝, 谷野健太, 松田時宜, 川原村敏幸, LIU Li, 木村睦

電子情報通信学会技術研究報告 119(355(EID2019 5-6)) 2019年
Research and development of Ga-Sn-O thin films for application to neural networks

Ikushima Keisuke, Shimura Junpei, Matsuda Tokiyoshi, Kimura Mutsumi, Yamane Hiroki, Nakashima Yasuhiko

IEEE Conference Proceedings 2018(AM-FPD) 1‐3 2018年8月15日
レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定 (電子ディスプレイ)

野村竜生, 荒牧達也, 松田時宜, 梅田鉄馬, 上沼睦典, 木村睦

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(372) 29-34 2017年12月22日
GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用 (電子ディスプレイ)

髙木瞭, 梅田鉄馬, 松田時宜, 上沼睦典, 木村睦

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(372) 23-28 2017年12月22日
Ga-Sn-O thin films as synapse devices for neural networks

Keisuke Ikushima, Kenta Umeda, Tokiyoshi Matsuda, Mutsumi Kimura, Mutsumi Kimura, Mutsumi Kimura, Tomoya Kameda, Yasuhiko Nakashima

AM-FPD 2017 - 24th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings 193-196 2017年8月8日
Ga‐Sn‐O薄膜をシナプスに用いたニューラルネットワーク

生島恵典, 古我祐貴, 堀賢将, 松田時宜, 木村睦, 木村睦, 亀田友哉, 中島康彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.16a‐502‐2 2017年3月1日
ミストCVD法で作製したGaSnO薄膜の特性評価 (電子ディスプレイ)

福嶋大貴, 弓削政博, 木村睦, 松田時宜

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(354) 11-14 2016年12月12日
新規レアメタルフリーAOS TFTの研究開発 (シリコン材料・デバイス)

梅田鉄馬, 加藤雄太, 西本大樹, 松田時宜, 木村睦

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(355) 15-18 2016年12月12日
ミストCVD法で作製したGaSnO薄膜の特性評価 (シリコン材料・デバイス)

福嶋大貴, 弓削政博, 木村睦, 松田時宜

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(355) 11-14 2016年12月12日
薄膜コイルを用いたワイヤレス電力伝送 (電子ディスプレイ)

山本友稀, 三澤慶悟, 松田時宜, 木村睦

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(354) 31-35 2016年12月12日
IGZO薄膜素子の磁気抵抗効果に対する電極の影響 (電子ディスプレイ)

符川明日香, 野村竜生, 松田時宜, 木村睦

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(354) 19-22 2016年12月12日
薄膜生体刺激デバイスのin-vitro実験 (電子ディスプレイ)

冨岡圭佑, 三宅康平, 松田時宜, 木村睦

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(354) 27-30 2016年12月12日
ニューラルネットワークのハードウェア化におけるキャパシタ型シナプスの検討 (シリコン材料・デバイス)

和多田晃樹, 中西弘樹, 松田時宜, 木村睦

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(355) 85-88 2016年12月12日
GTO薄膜を用いたプレーナ型シナプスの特性評価 (シリコン材料・デバイス)

生島恵典, 梅田鉄馬, 松田時宜, 木村睦

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(355) 81-84 2016年12月12日
薄膜トランジスタによるセルラニューラルネットワークでの文字認識 (シリコン材料・デバイス)

杉崎澄生, 松田時宜, 木村睦

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(355) 75-79 2016年12月12日
a-IGZO薄膜を用いたニューラルネットワークのシナプスの作製 (シリコン材料・デバイス)

堀賢将, 田中遼, 古我祐貴, 松田時宜, 木村睦

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(355) 89-92 2016年12月12日
セルラニューラルネットワークのアナログ回路シミュレーション (シリコン材料・デバイス)

横山朋陽, 松田時宜, 木村睦

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(355) 93-97 2016年12月12日
薄膜デバイスと簡略化エレメントを用いたセルラニューラルネットワーク

木村睦, 木村睦, 森田竜平, 杉崎澄生, 松田時宜, 亀田友哉, 中島康彦

電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM) 2016 ROMBUNNO.C‐9‐9 2016年9月6日
デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析 : バックチャネルキャリア濃度の影響 (シリコン材料・デバイス)

是友大地, 戸田達也, 松田時宜, 木村睦, 古田守

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(1) 57-60 2016年4月8日