富田 基裕

J-GLOBALへ         更新日: 18/11/22 13:54
 
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研究者氏名
富田 基裕
所属
早稲田大学
部署
ナノ・ライフ創新研究機構
職名
次席研究員
学位
博士(工学)(早稲田大学)

研究分野

 
 

経歴

 
2018年3月
 - 
現在
早稲田大学 ナノ・ライフ創新研究機構 次席研究員
 
2015年4月
 - 
2018年3月
日本学術振興会 特別研究員PD
 
2012年4月
 - 
2015年3月
日本学術振興会 特別研究員DC1
 
2010年4月
 - 
2012年3月
明治大学 理工学部 Teaching Assistant
 

学歴

 
2012年4月
 - 
2015年3月
明治大学 理工学研究科 電気工学専攻博士後期課程
 
2010年4月
 - 
2012年3月
明治大学 理工学研究科 電気工学専攻博士前期課程
 
2006年4月
 - 
2010年3月
明治大学 理工学部 電気電子工学科
 
2003年4月
 - 
2006年3月
東京都立武蔵野北高校  
 

論文

 
M. Tomita, S. Oba, Y. Himeda, R. Yamato, K. Shima, T. Kumada, M. Xu, H. Takezawa, K. Mesaki, K. Tsuda, S. Hashimoto, T. Zhan, H. Zhang, Y. Kamakura, Y. Suzuki, H. Inokawa, H. Ikeda, T. Matsukawa, T. Matsuki, and T. Watanabe
IEEE Transactions on Electron Devices   65(11) 5180-5188   2018年9月   [査読有り]
R. Yokogawa, S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Watanabe, and A. Ogura
ECS Transactions   86(7) 87-93   2018年9月   [査読有り]
M. Tomita, M. Ogasawara, T. Terada, and T. Watanabe
ECS Transactions   86(7) 337-345   2018年9月   [査読有り]
T. Zhan, R. Yamato, S. Hashimoto, M. Tomita, S. Oba, Y. Himeda, K. Mesaki, H. Takezawa, R. Yokogawa, Y. Xu, T. Matsukawa, A. Ogura, Y. Kamakura, and T. Watanabe
Science and Technology of Advanced Materials   19(1) 443-453   2018年5月   [査読有り]
M. Tomita, M. Ogasawara, T. Terada, and T. Watanabe
Japanese Journal of Applied Physics   57(4S) 04FB04-1-04FB04-7   2018年5月   [査読有り]
S. Hashimoto, R. Yokogawa, S. Oba, S. Asada, T. Xu, M. Tomita, A. Ogura, T. Matsukawa, M. Masahara, and T. Watanabe
Journal of Applied Physics   122(14) 144305-1-144305-7   2017年10月   [査読有り]
R. Yokogawa, S. Hashimoto, S. Asada, M. Tomita, T. Watanabe, and A. Ogura
Japanese Journal of Applied Physics   56(6S1) 06GG10-1-06GG10-5   2017年3月   [査読有り]
富田基裕, 小椋厚志, 渡邉孝信
電子情報通信学会技術研究報告   116(472) 61-66   2017年2月
M. Tomita, A. Ogura, and T. Watanabe
ECS Transactions   75(8) 785-794   2016年10月   [査読有り]
R. Yokogawa, M. Tomita, T. Mizukoshi, T. Hirano, K. Kusano, K. Sasaki, and A. Ogura
ECS Transactions   66(4) 237-243   2015年5月   [査読有り]
S. Yamamoto, K. Takeuchi, R. Yokogawa, M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, and A. Ogura
ECS Transactions   66(4) 39-45   2015年5月   [査読有り]
富田 基裕
明治大学      2015年3月   [査読有り]
S. Yamamoto, D. Kosemura, M. Tomita, S. Che Mohd Yusoff, T. Kijima, R. Imai, K. Takeuchi, R. Yokogawa, K. Usuda, and A. Ogura
ECS Transactions   64(6) 841-847   2014年8月   [査読有り]
K. Usuda, T. Tezuka, D. Kosemura, M. Tomita, and A. Ogura
Solid-State Electronics   83 46-49   2013年5月   [査読有り]
M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, and A. Ogura
ECS Transactions   53(1) 207-214   2013年5月   [査読有り]
D. Kosemura, M. Tomita, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
Japanese Journal of Applied Physics   52(4S) 04CA05-1-04CA05-5   2013年5月   [査読有り]
M. Tomita, M. Nagasaka, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
Japanese Journal of Applied Physics   52(4S) 04CA06-1-04CA06-5   2013年5月   [査読有り]
M. Tomita, H. Hashiguchi, T. Yamaguchi, D. Kosemura, M. Takei, and A. Ogura
Journal of Spectroscopy   2013(459032) 1-9   2013年2月   [査読有り]
ラマン分光法および電子線後方散乱パターン法を用いたSi結晶中の歪テンソル評価に関する研究
富田 基裕
明治大学      2012年3月   [査読有り]
D. Kosemura, M. Tomita, K. Usuda, and A. Ogura
Japanese Journal of Applied Physics   51(2S) 02BA03-1-02BA03-7   2012年2月   [査読有り]
M. Tomita, D. Kosemura, M. Takei, K. Nagata, H. Akamatsu, and A. Ogura
Key Engineering Materials   470 123-128   2011年2月   [査読有り]
M. Tomita, D. Kosemura, M. Takei, K. Nagata, H. Akamatsu, and A. Ogura
Japanese Journal of Applied Physics   50(1) 010111-1-010111-8   2011年1月   [査読有り]
小椋厚志, 小瀬村大亮, 武井宗久, 富田基裕
電子情報通信学会技術研究報告   110(241) 1-6   2010年10月
服部真季, 小瀬村大亮, 武井宗久, 永田晃基, 赤松弘彬, 富田基裕, 水上雄輝, 橋口裕樹, 山口拓也, 小椋厚志, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘, 小金澤智之
電子情報通信学会技術研究報告   110(241) 71-75   2010年10月

書籍等出版物

 
Advanced Aspects of Spectroscopy
D. Kosemura, M. Tomita, K. Usuda, and A. Ogura (担当:共著, 範囲:Stress Measurements in Si and SiGe by Liquid-Immersion Raman Spectroscopy)
InTech   2012年8月   ISBN:978-953-51-0715-6

講演・口頭発表等

 
温度差5℃で動作するSiマイクロ熱電発電素子の開発 [招待有り]
富田基裕
熱電発電の技術/研究開発と応用・適用動向   2018年12月   
スケーラブルSiマイクロ熱電デバイスの開発
渡邉孝信, 富田基裕, 詹天卓, 張慧, 松川貴, 松木武雄, 鎌倉良成, 池田浩也
CREST「微小エネルギー」公開シンポジウム   2018年11月   
プレーナ型Siナノワイヤ熱電発電デバイスの排熱効率を向上する基板材料および貫通基板構造の検討
富田基裕, 大場俊輔, 姫田悠矢, 大和亮, 島圭佑, 熊田剛大, 徐茂, 武澤宏樹, 目崎航平, 津田和瑛, 橋本修一郎, 詹天卓, 張慧, 鎌倉良成, 鈴木悠平, 猪川洋, 池田浩也, 松川貴, 松木武雄, 渡邉孝信
Advanced Metallization Conference: Satellite Workshop   2018年11月   
Evaluation of Laterally Graded Silicon Germanium Wires for Thermoelectric Devices Fabricated by Rapid Melting Growth
R. Yokogawa, S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Watanabe, and A. Ogura
2018 Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science   2018年10月   
Evaluating the Relationship between Phonon and Thermal Properties of Group IV Alloys Using Molecular Dynamics Simulation
M. Tomita, M. Ogasawara, T. Terada, and T. Watanabe
2018 Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science   2018年10月   
横型Siナノワイヤ熱電変換デバイスの熱エンジニアリング
富田基裕, 熊田剛大, 島圭佑, 詹天卓, 張慧, 松川貴, 松木武雄, 渡邉孝信
第79回応用物理学会秋季学術講演会   2018年9月   
異種酸化物界面のダイポール形成に非晶質短距離秩序構造の違いが与える影響
金丸翔大, 高橋憶人, Perea Marc, 富田基裕, 渡邉孝信
第79回応用物理学会秋季学術講演会   2018年9月   
金属/絶縁体積層構造の接合層材料が熱抵抗に与える影響
大和亮, 詹天卓, 徐茂, 武澤宏樹, 目﨑航平, 富田基裕, 徐一斌, 渡邉孝信
第79回応用物理学会秋季学術講演会   2018年9月   
平面型シリコンナノワイヤ熱電デバイスにおける熱流を制御する最適基板構造
島圭佑, 富田基裕, 張慧, 詹天卓 松川貴, 松木武雄, 渡邉孝信
第79回応用物理学会秋季学術講演会   2018年9月   
シリコンナノワイヤの微小熱電発電デバイスにおける発電性能のワイヤ幅依存性
武澤宏樹, 姫田悠矢, 島圭祐, 大和亮, 熊田剛大, 徐茂, 目﨑航平, 富田基裕, 詹天卓, 鎌倉良成, 松木武雄, 松川貴, 渡邉孝信
第79回応用物理学会秋季学術講演会   2018年9月   
金属/絶縁体複合熱伝導層の熱伝導率
詹天卓、大和亮、徐茂、武澤宏樹、目崎航平、富田基裕、徐一斌、渡邉孝信
第79回応用物理学会秋季学術講演会   2018年9月   
Substrate Heat Resistance Engineering for Realizing High Performance Si Nanowires Thermoelectric Generator
M. Tomita, T. Kumada, K. Shima, T. Zhan, H. Zhang, T. Matsukawa, T. Matsuki, T. Watanabe
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials   2018年9月   
Optimum substrate design of planar type Si nanowire thermoelectric generator
K. Shima, M. Tomita, H. Zhang, T. Zhan, T. Matsukawa, T. Matsuki, T. Watanabe
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials   2018年9月   
Considering possible descriptors for Dipole Moment at High-k/SiO2 interfaces
M. Perea, O. Takahashi, S. Kanemaru, M. Tomita, T. Watanabe
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials   2018年9月   
CMOS-VLSI技術を応用した10μW/cm2級プレーナ型Siナノワイヤ熱電発電デバイスの開発 [招待有り]
富田基裕
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第210回研究集会「先端CMOSデバイス・プロセス特集」   2018年8月   
10μW/cm2-Class High Power Density Silicon Thermoelectric Energy Harvester Compatible with CMOS-VLSI Technology
M. Tomita, S. Ohba, Y. Himeda, R. Yamato, K. Shima, T. Kumada, M. Xu, H. Takezawa, K. Mesaki, K. Tsuda, S. Hashimoto, T. Zhan, H. Zhang, Y. Kamakura, Y. Suzuki, H. Inokawa, H. Ikeda, T. Matsukawa, T. Matsuki, and T. Watanabe
2018 Symposium on VLSI Technology   2018年6月   
分子動力学シミュレーションによるIV族混晶のフォノン物性の起源の調査
富田基裕, 小笠原成崇, 渡邉孝信
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月   
熱電デバイス用組成傾斜SiGeワイヤの構造評価
横川凌, 橋本修一郎, 高橋恒太, 大場俊輔, 富田基裕, 黒澤昌志, 渡邉孝信, 小椋厚志
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月   
IV族混晶のマイクロ熱電発電デバイス応用 [招待有り]
渡邉孝信, 橋本修一郎, 富田基裕, 黒澤昌志, 池田浩也
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月   
Persistent Homology を用いたアモルファスSiO2膜の構造解析
テイチュウ, 寺田拓哉, 富田基裕, 渡邉孝信, 小山晃
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月   
シリコンナノワイヤを用いた微小熱電発電デバイスの短レグ効果
武澤宏樹, 姫田悠矢, 橋本修一郎, 大場俊輔, 大和亮, 熊田剛大, 徐茂, 目崎航平, 富田基裕, 詹天卓, 松木武雄, 松川貴, 渡邉孝信
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月   
Thermoelectric Characteristics of Rapid-Melting-Grown SiGe Wires Measured by Peltier Cooling Experiment
S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, T. Terada, M. Ogasawara, M. Tomita, M. Kurosawa, and T. Watanabe
2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference   2018年3月   
分子動力学法を用いた2元系IV-IV族混晶半導体の格子-フォノン物性の予測と評価
富田基裕, 小笠原成崇, 寺田拓哉, 渡邉孝信
電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第23回研究会)   2018年1月   
Investigation of Dipole Formation at AlOxNy/SiO2 interface by MD simulation
O. Takahashi, N. Nakagawa, M. Tomita, and T. Watanabe
2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY   2017年11月   
Machine Learning of Interfacial Dipole Moments Between Multicomponent Oxide Films by Neural Network Model”
K. Nakane, M. Tomita, and T. Watanabe
2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY   2017年11月   
分子動力学計算によるⅣ族混晶系の熱伝導シミュレーション [招待有り]
富田基裕
電気学会ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術専門員会「半導体シミュレーション技術」   2017年11月   
Nano-scale Evaluation of Electrical Tree Initiation in Silica/Epoxy Nano-Composite Thin Film
T. Onishi, G. Obana, S. Hashimoto, M. Tomita, T. Watanabe, K. Mura, T. Tsuda, and T. Yoshimitsu
8th International Symposium on Electrical Insulating Materials   2017年9月   
Possibility of Thermoelectric Property Improvement by Non-uniformly Doped Si
K. Shima, M. Tomita, Y. Kamakura, and T. Watanabe
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials   2017年9月   
Development of Interatomic Potential of Ge(1-x-y)SixSny Ternary Alloy Semiconductors for Classical Lattice Dynamics Simulation
M. Tomita and T. Watanabe
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials   2017年9月   
分子動力学法を用いたIV-IV族結晶(SiGe, GeSn, SiSn)の熱伝導率評価
小笠原成崇, 寺田拓也, 富田基裕, 渡邉孝信
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月   
分子動力学計算によるAlOxNy/SiO2界面におけるダイポール形成の駆動力の調査
高橋憶人, 中川宣託, 富田基裕, 渡邉孝信
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月   
ニューラルネットワークを用いた多元酸化物界面のダイポールモーメントの予測
中根滉稀, 富田基裕, 渡邉孝信
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月   
水浸ラマン分光法によるAr+イオン照射を施した酸化膜被覆型Si ナノワイヤの異方性二軸応力評価
横川凌,橋本修一郎,富田基裕, 渡邉孝信, 小椋厚志
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月   
分子動力学法を用いたGeSiSn三元混晶内のフォノン物性予測と評価
富田基裕, 小笠原成崇, 渡邉孝信
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月   
水浸ラマン分光法による酸化膜被覆型Siナノワイヤの異方性二軸応力評価
横川凌, 鈴木貴博, 橋本修一郎, 麻田修平, 富田基裕, 渡邉孝信, 小椋厚志
第64回応用物理学会春季学術講演会   2017年3月   
分子動力学法を用いたSi/Si(1-x)Gex構造の界面熱抵抗評価
寺田拓哉, 小出隆太, 富田基裕, 渡邉孝信
第64回応用物理学会春季学術講演会   2017年3月   
温度分布と不純物濃度分布が熱電特性に与える影響の考察
島圭佑, 富田基裕, 鎌倉良成, 渡邉孝信
第64回応用物理学会春季学術講演会   2017年3月   
分子動力学法を用いたGeSnおよびSiSn混晶内のフォノン物性予測と評価
富田基裕, 小椋厚志, 渡邉孝信
第64回応用物理学会春季学術講演会   2017年3月   
分子動力学法を用いた2元系IV-IV族混晶半導体のフォノン物性の再現と予測
富田基裕, 小椋厚志, 渡邉孝信
電子デバイス研究会/シリコン材料・デバイス研究会「機能ナノデバイスおよび関連技術」   2017年2月   
分子動力学法を用いた2元系IV-IV族混晶半導体の格子-フォノン物性の予測と評価
富田基裕, 小椋厚志, 渡邉孝信
電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第22回研究会)   2017年1月   
Development and Verification of Interatomic Potential of Group IV Binary Alloy Semiconductors for Lattice Dynamics Simulation
M. Tomita, A. Ogura, and T. Watanabe
7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials   2016年11月   
Development of Interatomic Potential of Group IV Alloy Semiconductors for Lattice Dynamics Simulation
M. Tomita, A. Ogura, and T. Watanabe
Pacific Rim Meeting 2016 / 230th Electrochemical Society Meeting   2016年10月   
ニューラルネットによるHigh-k/SiO2界面分極の予測能力
中根滉稀, 功刀遼太, 富田基裕, 渡邉孝信
第77回応用物理学会秋季学術講演会   2016年9月   
分子動力学法によるSiナノワイヤの熱伝導シミュレーション-波付き構造と酸化被膜の影響の比較-
小出隆太, 富田基裕, 渡邉孝信
第77回応用物理学会秋季学術講演会   2016年9月   
分子動力学法および分子軌道法を用いたGeSn混晶内のフォノン再現に関する考察
富田基裕, 小椋厚志, 渡邉孝信
第77回応用物理学会秋季学術講演会   2016年9月   
分子動力学法および分子軌道法を用いたSiGe混晶内のフォノン再現に関する考察
富田基裕, 小椋厚志, 渡邉孝信
第63回応用物理学会春季学術講演会   2016年3月   
Ar+イオン照射によるSiナノワイヤのNi合金化反応の高精度制御
大場俊輔, 橋本修一郎, 武井康平, ソンセイ, 張旭, 徐泰宇, 麻田修平, 臼田稔宏, 遠藤清, 富田基裕, 徳武寛紀, 今井亮佑, 小椋厚志, 松川貴, 昌原明植, 渡邉孝信
第63回応用物理学会春季学術講演会   2016年3月   
Ar+イオン照射によるSiナノワイヤのNi合金化プロセスの制御性向上
麻田修平, 橋本修一郎, 武井康平, ソン セイ, 張旭, 徐泰宇, 臼田稔宏, 遠藤清, 大場俊輔, 富田基裕, 今井亮佑, 小椋厚志, 松川貴, 昌原明植, 渡邉孝信
電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第21回研究会)   2016年1月   
Controlling Nickelidation Process of Si Nanowire by Ar+ Ion Irradiation
S. Asada, S. Hashimoto, K. Takei, J. Sun, X. Zhang, T. Xu, T. Usuda, M. Tomita, R. Imai, A. Ogura, T. Matsukawa, M. Masahara, and T. Watanabe
28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference   2015年11月   
Origin of Preferential Diffusion of Ni along Si/SiO2 Interface in Si Nanowire
S. Hashimoto, K. Takei, J. Sun, S. Asada, X. Zhang, T. Xu, T. Usuda, M. Tomita, R. Imai, A. Ogura, T. Matsukawa, M. Masahara and T. Watanabe
28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference   2015年11月   
GeO2酸化膜を考慮したGeナノワイヤ構造の熱伝導率およびフォノン分散関係の分子動力学的解析
小出隆太, 志村昴亮, 橋本修一郎, 富田基裕, 渡邉孝信
第76回応用物理学会秋季学術講演会   2015年9月   
Ar+イオン照射によるSi ナノワイヤのNi 合金化プロセスの制御
張旭, 橋本修一郎, 武井康平, ソン セイ, 徐泰宇, 麻田修平, 臼田稔宏, 富田基裕, 今井亮佑, 小椋厚志, 松川貴, 昌原明植, 渡邉孝信
第76回応用物理学会秋季学術講演会   2015年9月   
分子動力学法および分子軌道法を用いたSiGe混晶内の原子間ポテンシャルに関する考察
富田基裕, 小椋厚志, 渡邉孝信
第76回応用物理学会秋季学術講演会   2015年9月   
EBSP法を用いたSiGe/Geナノワイヤー構造に生じる応力緩和分布の高空間分解能測定
富田基裕, 武内一真, 山本章太郎, 小瀬村大亮, 臼田宏治, 小椋厚志
第76回応用物理学会秋季学術講演会   2015年9月   
On the Origin of the Gate Oxide Failure Evaluated by Raman Spectroscopy
R. Yokogawa, M. Tomita, T. Mizukoshi, T. Hirano, K. Kusano, K. Sasaki, and A. Ogura
227th Electrochemical Society Meeting   2015年5月   
Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Si1-xGex/Ge Mesa-Structure by Oil-Immersion Raman Spectroscopy
S. Yamamoto, K. Takeuchi, R. Yokogawa, M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, and A. Ogura
227th Electrochemical Society Meeting   2015年5月   
ゲート絶縁膜耐圧不良のラマン分光法による原因評価
横川凌, 富田基裕, 水越俊和, 平野雄大, 草野健一郎, 佐々木克弘, 小椋厚志
第62回応用物理学会春季学術講演会   2015年3月   
高Ge濃度歪SiGeメサ構造に印加された異方性2軸応力評価
山本章太郎, 武内一真, 富田基裕, 小瀬村大亮, 臼田宏冶, 小椋厚志
第62回応用物理学会春季学術講演会   2015年3月   
高Ge濃度SiGeにおけるフォノン変形ポテンシャルの導出
武内一真, 小瀬村大亮, 山本章太郎, 富田基裕, 臼田宏冶, 小椋厚志
第62回応用物理学会春季学術講演会   2015年3月   
EBSP法を用いた微細な全Ge濃度域における歪SiGeメサ構造に生じる応力緩和分布の評価
富田基裕, 小瀬村大亮, 臼田宏治, 小椋厚志
第62回応用物理学会春季学術講演会   2015年3月   
SiO2/Si界面の結晶性劣化によるSiナノワイヤのニッケル化速度の上昇
武井康平, 小杉山洋希, 橋本修一郎, ソン セイ, 麻田修平, 徐泰宇, 若水昂, 今井亮佑, 徳武寛紀, 富田基裕, 小椋厚志, 松川貴, 昌原明植, 渡邉孝信
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― (第20回)   2015年1月   
Impact of Post-Oxidation Annealing of Si Nanowire on Its Ni Silicidation Rate
S. Hashimoto, H. Kosugiyama, K. Takei, J. Sun, R. Imai, H. Tokutake, M. Tomita, A. Ogura, T. Matsukawa, M. Masahara, and T. Watanabe
27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference   2014年11月   
SiナノワイヤのNiシリサイド化速度へのポスト酸化アニールの影響
ソン セイ, 橋本修一郎, 小杉山洋希, 武井康平, 麻田修平, 徐泰宇, 若水昂, 今井亮佑, 徳武寛紀, 松川貴, 富田基裕, 小椋厚志, 昌原明植, 渡邉孝信
第75回応用物理学会秋季学術講演会   2014年9月   
液浸ラマン分光法による選択的イオン注入により作製された一軸歪SiGe/Siの異方性2軸応力評価
山本章太郎, 小瀬村大亮, 富田基裕, 武内一真, 横川凌, 米倉瑛介, 澤野憲太郎, 野平博司, 小椋厚志
第75回応用物理学会秋季学術講演会   2014年9月   
液浸ラマン分光法を用いたTO/LOフォノンスペクトル励起による高Ge濃度歪SiGeメサ構造の異方性2軸応力緩和の観測
山本章太郎, 小瀬村大亮, 富田基裕, 武内一真, 横川凌, 臼田宏冶, 小椋厚志
第75回応用物理学会秋季学術講演会   2014年9月   
EBSP法を用いた微細な歪SiGeメサ構造に生じる応力緩和分布のGe濃度依存性評価
富田基裕, 小瀬村大亮, 臼田宏治, 小椋厚志
第75回応用物理学会秋季学術講演会   2014年9月   
Evaluation of Stress Relaxation in Strained SiGe Wire by Two-dimensional Super-resolution Raman Spectroscopy
M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, A. Ogura
24th International Conference on Raman Spectroscopy   2014年8月   
Evaluation of Crystallinity Profile in Thin Poly-Si Layer by Raman Spectroscopy
M. Tomita, H. Yasukawa, N. Sawamoto, D. Kosemura, H. Yamazaki, M. Tomita, K. Usuda, A. Ogura
24th International Conference on Raman Spectroscopy   2014年8月   
チップ増強ラマン分光法による歪Si評価
小瀬村大亮, 富田基裕, シティノルヒダヤーチェモハマドユソフ, 後藤千絵, 川口哲成, 三澤真弓, 小椋厚志
第61回応用物理学会春季学術講演会   2014年3月   
ラマン分光法による多結晶シリコン薄膜の結晶性分布評価
安川裕政, 富田基裕, 小瀬村大亮, 山崎英之, 富田充裕, 臼田宏治, 小椋厚志
第61回応用物理学会春季学術講演会   2014年3月   
超解像ラマン分光法による微細加工歪SiGe層に生じる応力緩和の高空間分解能2次元分布評価
富田基裕, 小瀬村大亮, 臼田宏治, 小椋厚志
第61回応用物理学会春季学術講演会   2014年3月   
Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Si Nano Area by Raman Spectroscopy Using Surface Plasmon Resonance
R. Iwasaki, K. Nagata, M. Tomita, D. Kosemura, and A. Ogura
2013 Materials Research Society Fall Meeting   2013年12月   
液浸ラマン分光法による高Ge濃度圧縮歪SiGeメサ構造/Ge基板からのLO,TOフォノンスペクトルの観測
小瀬村大亮, 富田基裕, 臼田宏治, 手塚勉, 小椋厚志
第74回応用物理学会秋季学術講演会   2013年9月   
表面プラズモン共鳴を用いたラマン分光法によるSi微小領域の異方性二軸応力評価
岩崎竜平, 永田晃基, 富田基裕, 小瀬村大亮, 小椋厚志
第74回応用物理学会秋季学術講演会   2013年9月   
高Ge濃度SGOIワイヤーの異方性ひずみ評価
臼田宏治, 池田圭司, 小瀬村太亮, 富田基裕, 小椋厚志, 手塚勉
第74回応用物理学会秋季学術講演会   2013年9月   
有限要素法による異種の構造から導入される重畳応力の評価
富田基裕, 小瀬村大亮, 小椋厚志
第74回応用物理学会秋季学術講演会   2013年9月   
Tensor Evaluation of Stress Relaxation Profile in Strained SiGe Nanostructures on Si Substrate
K. Usuda, D. Kosemura, K. Ikeda, H. Hashiguti, M. Tomita, A. Ogura, and T. Tezuka
6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces   2013年6月   
M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, and A. Ogura
223rd ECS Meeting   2013年5月14日   
有微細構造歪SiGe層に生じる応力緩和分布のテンソル評価
富田基裕, 小瀬村大亮,臼田宏治,小椋厚志
第60回応用物理学会春季学術講演会   2013年3月   
Evaluation of Strain relaxation at mesa edge of strained SiGe layer on Si by oil-immersion Raman spectroscopy, NBD, and FEM simulation
K. Usuda, D. Kosemura, M. Tomita, A. Ogura, and T. Tezuka
6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials   2012年11月   
Anisotropic Biaxial Stress Evaluation in SiGe/Si Mesa Structures by Oil-Immersion Raman Spectroscopy
D. Kosemura, M. Tomita, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials   2012年11月   
Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy and FEM Simulation
M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials   2012年11月   
Measurements of Anisotropic Biaxial Stresses in x=0.15 and 0.30 Si1-xGex Nanostructures by Oil-Immersion Raman Spectroscopy
D. Kosemura, M. Tomita, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
2012 International Conference on Solid State Devices and Materials   2012年9月   
Tensor Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped SiGe Layer on Si Substrate by EBSP
M. Tomita, M. Nagasaka, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
2012 International Conference on Solid State Devices and Materials   2012年9月   
高NA、油浸ラマン分光によるメサ分離ひずみSGOI層の異方性ひずみ評価
臼田宏治, 小瀬村大亮, 富田基裕, 小椋厚志, 手塚勉
第73回応用物理学会秋季学術講演会   2012年9月   
微細構造Si1-xGexに印加された異方性応力の加工形状およびGe濃度依存性
小瀬村大亮, 富田基裕, 臼田宏治, 手塚勉, 小椋厚志
第73回応用物理学会秋季学術講演会   2012年9月   
SSOI微細構造における異方性応力緩和の膜厚依存性評価
シティノルヒダヤー チェモハマドユソフ, 富田基裕, 小瀬村大亮, 臼田宏治, 手塚勉, 小椋厚志
第73回応用物理学会秋季学術講演会   2012年9月   
EBSP法を用いたSiGe/Siメサ構造における異方性応力緩和評価
長坂将也, 富田基裕, 小瀬村大亮, 臼田宏治, 手塚勉
第73回応用物理学会秋季学術講演会   2012年9月   
有限要素法による微細構造歪SSOI層の応力緩和に対する膜厚依存性の評価
富田基裕, 小瀬村大亮, 臼田宏治, 手塚勉, 小椋厚志
第73回応用物理学会秋季学術講演会   2012年9月   
Evaluation of Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy
M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
23rd International Conference on Raman Spectroscopy   2012年8月   
Characterization of anisotropic strain relaxation after mesa isolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NA and oil-immersion Raman method
K. Usuda, D. Kosemura, M. Tomita, A. Ogura, and T. Tezuka
International SiGe Technology and Deice Meeting   2012年6月   
有限要素法による微細構造歪SiGe層の異方性応力緩和評価
富田基裕, 小瀬村大亮, 臼田宏治, 小椋厚志
春季第59 回応用物理学関係連合講演会   2012年3月   
Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layers by FEM Simulation
M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
International Conference on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics   2012年3月   
Biaxial Stress Measurements in Mesa-Shaped Strained Si Layers by Oil-Immersion Raman Spectroscopy
D. Kosemura, M. Tomita, K. Usuda, T. Tezuka, and A. Ogura
International Conference on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics   2012年3月   
液浸ラマン分光法による歪SiGe の異方性応力評価
小瀬村大亮, 富田基裕, 臼田宏治, 小椋厚志
春季第59 回応用物理学関係連合講演会   2012年3月   
Evaluation of Anisotropic Strain Relaxation in SSOI Nanostructure by Oil-Immersion Raman Spectroscopy
D. Kosemura, M. Tomita, K. Usuda, and A. Ogura
2011 International Conference on Solid State Devices and Materials   2011年9月   
液浸技術および超解像技術を用いたラマン分光法の高空間分解能化
富田基裕, 橋口裕樹, 山口拓也, 武井宗久, 小瀬村大亮, 小椋厚志
秋季第72回 応用物理学会学術講演会   2011年8月   
異方的SSOI 層の軸分解ラマン測定
小瀬村大亮, 富田基裕, 臼田宏治, 小椋厚志
秋季第72回 応用物理学会学術講演会   2011年8月   
有限要素シミュレーションおよびEBSP測定を用いたSi中の異方性応力に関する考察
富田基裕, 小瀬村大亮, 武井宗久, 永田晃基, 赤松弘彬, 小椋厚志
春季第58 回応用物理学関係連合講演会   2011年3月   
液浸ラマン分光法によるSi のせん断応力評価
小瀬村大亮, 武井宗久, 永田晃基, 赤松弘彬, 富田基裕, 小椋厚志
春季第58 回応用物理学関係連合講演会   2011年3月   

担当経験のある科目

 
 

所属学協会

 
 

競争的資金等の研究課題

 
分子動力学法を用いた歪IV-IV族混晶半導体のPDP導出に関する研究
日本学術振興会: 特別研究員奨励費
研究期間: 2015年4月 - 2018年5月    代表者: 富田 基裕
超解像偏光ラマン分光法と有限要素解析を用いたSi結晶中の歪テンソル評価に関する研究
日本学術振興会: 特別研究員奨励費
研究期間: 2012年4月 - 2015年3月    代表者: 富田 基裕