富田基裕 (Motohiro Tomita) - マイポータル

基本情報

所属: 成蹊大学理工学部理工学科助教

学位: 博士（工学）(2015年3月明治大学)

連絡先: motohiro-tomitast.seikei.ac.jp
研究者番号: 90770248
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0001-6524-8152
J-GLOBAL ID: 201801003637058123
Researcher ID: AAR-2060-2021
researchmap会員ID: B000337343

主要な研究キーワード

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主要な研究分野

経歴

2022年9月 - 現在

成蹊大学, 理工学部理工学科, 助教
2021年9月 - 2022年8月

早稲田大学, 理工学術院, 講師（任期付）
2021年4月 - 2021年8月

早稲田大学, 総合研究機構, 次席研究員
2019年4月 - 2021年3月

早稲田大学, 重点領域研究機構, 次席研究員
2018年4月 - 2019年3月

早稲田大学, ナノ・ライフ創新研究機構, 次席研究員
2015年4月 - 2018年3月

日本学術振興会, 特別研究員PD
2012年4月 - 2015年3月

日本学術振興会, 特別研究員DC1
2010年4月 - 2012年3月

明治大学, 理工学部, Teaching Assistant

学歴

2012年4月 - 2015年3月

明治大学, 理工学研究科, 電気工学専攻博士後期課程
2010年4月 - 2012年3月

明治大学, 理工学研究科, 電気工学専攻博士前期課程
2006年4月 - 2010年3月

明治大学, 理工学部, 電気電子工学科
2003年4月 - 2006年3月

東京都立武蔵野北高校

主要な受賞

2021年7月

優秀ポスター賞, 分子動力学法を用いたSiGe中の低エネルギーフォノンモードの変位解析, フォノンエンジニアリング研究会

富田基裕

主要な論文

Modeling, Simulation, Fabrication and Characterization of a 10 μW/cm2 Class Si-Nanowire Thermoelectric Generator for IoT Applications

M. Tomita, S. Oba, Y. Himeda, R. Yamato, K. Shima, T. Kumada, M. Xu, H. Takezawa, K. Mesaki, K. Tsuda …

IEEE Transactions on Electron Devices 65(11) 5180-5188 2018年11月査読有り筆頭著者
Evaluating the Relationship between Phonon and Thermal Properties of Group IV Alloys Using Molecular Dynamics Simulation

M. Tomita, M. Ogasawara, T. Terada, T. Watanabe

ECS Transactions 86(7) 337-345 2018年9月査読有り筆頭著者
Development of interatomic potential of Ge(1-x-y)SixSny ternary alloy semiconductors for classical lattice dynamics simulation

Motohiro Tomita, Masataka Ogasawara, Takuya Terada, Takanobu Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 57(4) 04FB04-1-04FB04-7 2018年4月1日査読有り筆頭著者
10μW/cm2-Class High Power Density Silicon Thermoelectric Energy Harvester Compatible with CMOS-VLSI Technology

Motohiro Tomita, Shunsuke Ohba, Yuya Himeda, Ryo Yamato, Keisuke Shima, Takehiro Kumada, Mao Xu, Hiroki Takezawa, Kohei Mesaki, Kazuaki Tsuda …

2018 Symposium on VLSI Technology 2018-June 93-94 2018年査読有り筆頭著者
Development of interatomic potential of group IV alloy semiconductors for lattice dynamics simulation

M. Tomita, A. Ogura, T. Watanabe

ECS Transactions 75(8) 785-794 2016年査読有り筆頭著者
Tensor evaluation of anisotropic stress relaxation in mesa-shaped sige layer on si substrate by electron back-scattering pattern measurement: Comparison between raman measurement and finite element method simulation

Motohiro Tomita, Masaya Nagasaka, Daisuke Kosemura, Koji Usuda, Tsutomu Tezuka, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 52(4) 04CA06-1-04CA06-5 2013年4月査読有り筆頭著者
Tensor Evaluation of Stress Relaxation Profile in Strained SiGe Nanostructures on Si Substrate

M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, A. Ogura

ECS Transactions 53(1) 207-214 2013年査読有り筆頭著者
Super-Resolution Raman Spectroscopy by Digital Image Processing

Motohiro Tomita, Hiroki Hashiguchi, Takuya Yamaguchi, Munehisa Takei, Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura

JOURNAL OF SPECTROSCOPY 2013(459032) 1-9 2013年査読有り筆頭著者
Evaluation of Strained Silicon by Electron Back Scattering Pattern Compared with Raman Measurement and Edge Force Model Calculation

Motohiro Tomita, Daisuke Kosemura, Munehisa Takei, Kohki Nagata, Hiroaki Akamatsu, Atsushi Ogura

Key Engineering Materials 470 123-128 2011年査読有り筆頭著者
Evaluation of Strained-Silicon by Electron Backscattering Pattern Measurement: Comparison Study with UV-Raman Measurement and Edge Force Model Calculation

Motohiro Tomita, Daisuke Kosemura, Munehisa Takei, Kohki Nagata, Hiroaki Akamatsu, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50(1) 010111-1-010111-8 2011年1月査読有り筆頭著者

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MISC

分子動力学法を用いたIV‐IV族結晶(SiGe,GeSn,SiSn)の熱伝導率評価

小笠原成崇, 寺田拓也, 富田基裕, 富田基裕, 渡邉孝信

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.7p‐PA10‐3 2017年8月25日
分子動力学法を用いたGeSiSn三元混晶内のフォノン物性予測と評価

富田基裕, 富田基裕, 小笠原成崇, 渡邉孝信

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.6a‐C22‐3 2017年8月25日
分子動力学法を用いた2元系Ⅳ-Ⅳ族混晶半導体のフォノン物性の再現と予測 (シリコン材料・デバイス)

富田基裕, 小椋厚志, 渡邉孝信

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(472) 61-66 2017年2月24日
薄膜化したシリカ/エポキシ樹脂ナノコンポジット材料のナノスケール絶縁耐性評価 (誘電・絶縁材料研究会・空間電荷・コンポジット)

大西拓弥, 小花絃暉, 橋本修一郎, 富田基裕, 渡邉孝信, 武良光太郎, 津田敏宏, 吉満哲夫

電気学会研究会資料. DEI 2016(92) 17-22 2016年12月19日
液浸ラマン分光法による選択的イオン注入により作製された一軸歪SiGe/Siの異方性2軸応力評価

山本章太郎, 小瀬村大亮, 富田基裕, 富田基裕, 武内一真, 横川凌, 米倉瑛介, 澤野憲太郎, 野平博司, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th 2014年
先端LSIにおけるチャネル歪評価

小椋厚志, 小瀬村大亮, 武井宗久, 富田基裕

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(241) 1-6 2010年10月14日
原子スケールで平坦なSiO₂/Si酸化膜界面歪の評価

服部真季, 小瀬村大亮, 小瀬村大亮, 武井宗久, 永田晃基, 赤松弘彬, 富田基裕, 水上雄輝, 橋口裕樹, 山口拓也 …

電子情報通信学会技術研究報告 110(241(SDM2010 152-170)) 2010年

書籍等出版物

Advanced Aspects of Spectroscopy

D. Kosemura, M. Tomita, K. Usuda, A. Ogura (担当:共著, 範囲:Stress Measurements in Si and SiGe by Liquid-Immersion Raman Spectroscopy)

InTech 2012年8月 (ISBN: 9789535107156)

主要な講演・口頭発表等

214

近距離取引優先マッチング方式が個人間電力取引の配電系統に与える影響

富田基裕, 高橋光騎, 瀬戸寿之, 若杉健一, 村上朝之

令和5年電気学会全国大会 2023年3月17日
個人間電力取引エージェントシミュレーションにおける太陽光発電予測の重要性

高橋光騎, 富田基裕, 瀬戸寿之, 若杉健一, 村上朝之

令和5年電気学会全国大会 2023年3月17日
ペルチェ効果とジュール発熱を含む等価回路モデルによる微小熱電変換デバイスの性能解析

富田基裕, 保科拓海, 鎌倉良成, 松木武雄, 渡邉孝信

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
High Power Density Silicon Thermoelectric Generator - Optimum Design Toward Large-scale Integration -

M. Tomita, K. Oda, T. Matsukawa, T. Matsuki, T. Watanabe

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 2019年11月招待有り
プレーナ型Siナノワイヤを用いた高集積熱電発電素子の開発

富田基裕, 織田海斗, 松川貴, 松木武雄, 渡邉孝信

日本表面真空学会「微小エネルギーの観測と制御」摩擦の科学研究部会シンポジウム 2019年10月招待有り
Evaluation of Multi-stage, Unileg, Si-nanowire Thermoelectric Generator with A Cavity-free and Planar Device Architecture

M. Tomita, H. Takezawa, K. Mesaki, T. Matsukawa, T. Matsuki, T. Watanabe

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 2019年9月
Optimum Thermal Design of Substrate for Realizing High Performance Cavity-free Planar Si Nanowire Micro-thermoelectric Generator

M. Tomita, T. Matsukawa, T. Matsuki, T. Watanabe

The 38th International Conference on Thermoelectrics 2019年7月
温度差5℃で動作するSiマイクロ熱電発電素子の開発

富田基裕

熱電発電の技術/研究開発と応用・適用動向 2018年12月招待有り
Evaluating the Relationship between Phonon and Thermal Properties of Group IV Alloys Using Molecular Dynamics Simulation

M. Tomita, M. Ogasawara, T. Terada, T. Watanabe

2018 Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science 2018年10月
CMOS-VLSI技術を応用した10μW/cm2級プレーナ型Siナノワイヤ熱電発電デバイスの開発

富田基裕

応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第210回研究集会「先端CMOSデバイス・プロセス特集」 2018年8月招待有り
10μW/cm2-Class High Power Density Silicon Thermoelectric Energy Harvester Compatible with CMOS-VLSI Technology

M. Tomita, S. Ohba, Y. Himeda, R. Yamato, K. Shima, T. Kumada, M. Xu, H. Takezawa, K. Mesaki, K. Tsuda, S. Hashimoto, T. Zhan, H. Zhang, Y. Kamakura, Y. Suzuki, H. Inokawa, H. Ikeda, T. Matsukawa, T. Matsuki, T. Watanabe

2018 Symposium on VLSI Technology 2018年6月
分子動力学シミュレーションによるIV族混晶のフォノン物性の起源の調査

富田基裕, 小笠原成崇, 渡邉孝信

第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月
分子動力学法を用いた2元系IV-IV族混晶半導体の格子-フォノン物性の予測と評価

富田基裕, 小笠原成崇, 寺田拓哉, 渡邉孝信

電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第23回研究会) 2018年1月
分子動力学計算によるⅣ族混晶系の熱伝導シミュレーション

富田基裕

電気学会ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術専門員会「半導体シミュレーション技術」 2017年11月招待有り
Development of Interatomic Potential of Ge(1-x-y)SixSny Ternary Alloy Semiconductors for Classical Lattice Dynamics Simulation

M. Tomita, T. Watanabe

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials 2017年9月
分子動力学法を用いたGeSiSn三元混晶内のフォノン物性予測と評価

富田基裕, 小笠原成崇, 渡邉孝信

第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月
Development and Verification of Interatomic Potential of Group IV Binary Alloy Semiconductors for Lattice Dynamics Simulation

M. Tomita, A. Ogura, T. Watanabe

7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials 2016年11月
Development of Interatomic Potential of Group IV Alloy Semiconductors for Lattice Dynamics Simulation

M. Tomita, A. Ogura, T. Watanabe

Pacific Rim Meeting 2016 / 230th Electrochemical Society Meeting 2016年10月
Evaluation of Stress Relaxation in Strained SiGe Wire by Two-dimensional Super-resolution Raman Spectroscopy

M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, A. Ogura

24th International Conference on Raman Spectroscopy 2014年8月
Evaluation of Crystallinity Profile in Thin Poly-Si Layer by Raman Spectroscopy

M. Tomita, H. Yasukawa, N. Sawamoto, D. Kosemura, H. Yamazaki, M. Tomita, K. Usuda, A. Ogura

24th International Conference on Raman Spectroscopy 2014年8月
Tensor Evaluation of Stress Relaxation Profile in Strained SiGe Nanostructures on Si Substrate

M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, A. Ogura

223rd ECS Meeting 2013年5月14日
Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy and FEM Simulation

M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, A. Ogura

6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials 2012年11月
Tensor Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped SiGe Layer on Si Substrate by EBSP

M. Tomita, M. Nagasaka, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, A. Ogura

2012 International Conference on Solid State Devices and Materials 2012年9月
Evaluation of Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy

M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, A. Ogura

23rd International Conference on Raman Spectroscopy 2012年8月
Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layers by FEM Simulation

M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, A. Ogura

International Conference on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics 2012年3月
Strain and stress tensor evaluation in global and local strained-Si by electron back scattering pattern

M. Tomita, D. Kosemura, M. Takei, K. Nagata, H. Akamatsu, A. Ogura

2010 International Conference on Solid State Devices and Materials 2010年9月
Evaluation of Strained Silicon by electron back scattering pattern compared with Raman measurement and edge force model calculation

M. Tomita, D. Kosemura, M. Takei, K. Nagata, H. Akamatsu, A. Ogura

International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics 2010年6月

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主要な担当経験のある科目(授業)

2022年 - 2023年

パワーエレクトロニクス (成蹊大学)
2017年 - 2020年

Computational Experiments (Waseda University)

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所属学協会

2023年1月 - 現在

電気学会
2018年8月 - 現在

応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
2010年1月 - 現在

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

Si/SiO2界面状態の制御による熱伝導率変調技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究若手研究 2020年4月 - 2022年3月

富田基裕
プレーナ型スケーラブル熱電発電機構の実証と展開

科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 CREST JST-CREST 2019年4月 - 2022年3月

渡邉孝信, 鎌倉良成, 藤ヶ谷剛彦, 黒澤昌志
計算フォノニクスを駆使したオン・シリコン熱電デバイスの開発

科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業 CREST JST-CREST 2015年12月 - 2019年3月

渡邉孝信, 鎌倉良成, 池田浩也
分子動力学法を用いた歪ＩＶ－ＩＶ族混晶半導体のＰＤＰ導出に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費特別研究員奨励費 2015年4月 - 2018年3月

富田基裕
超解像偏光ラマン分光法と有限要素解析を用いたSi結晶中の歪テンソル評価に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費特別研究員奨励費 2012年4月 - 2015年3月

富田基裕

学術貢献活動

Structural, electronic, phonon, and elastic properties of zigzag single-walled and double-walled boron nitride nanotubes

査読

Molecular Crystals and Liquid Crystals 2024年3月
Length dependent thermal conductivity of silicon and copper nanowire: A molecular dynamics study

査読

Molecular Crystals and Liquid Crystals 2022年11月 - 2022年12月
42nd International Symposium on Dry Process (DPS2021)

企画立案・運営等

応用物理学会 2020年1月 - 2021年11月19日
2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (IWDTF2019)

企画立案・運営等

応用物理学会, 応物薄膜・表面物理分科会 2018年11月 - 2019年11月20日
6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials

企画立案・運営等

2013年10月 - 2013年11月

メディア報道

親構造「わずかな温度差利用」マイクロ熱電発電素子

週刊科学新聞週刊科学新聞 2018年8月新聞・雑誌
大気中のわずかな温度差で発電早大など、小型素子開発

日刊工業新聞日刊工業新聞 https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00477866 2018年6月新聞・雑誌
体温・大気間のわずかな温度差で発電する新方式マイクロ熱電発電素子を発明

早稲田大学早稲田大学プレスリリース https://www.waseda.jp/top/news/59829 2018年6月インターネットメディア

富田基裕

基本情報

主要な研究キーワード

主要な研究分野

経歴

学歴

主要な受賞

主要な論文

MISC

書籍等出版物

主要な講演・口頭発表等

主要な担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

学術貢献活動

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