柴田智彦 (Tomohiko Shibata) - マイポータル

基本情報

J-GLOBAL ID: 202401021445588051
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論文

Temperature dependence of electrical characteristics of Si-implanted AlN layers on sapphire substrates

Hironori Okumura, Yasuhiro Watanabe, Tomohiko Shibata

Applied Physics Express 16(6) 2023年6月1日
Impurity diffusion in ion implanted AlN layers on sapphire substrates by thermal annealing

Hironori Okumura, Yasuhiro Watanabe, Tomohiko Shibata, Kohei Yoshizawa, Akira Uedono, Hiroki Tokunaga, Shuuichi Koseki, Tadanobu Arimura, Sami Suihkonen, Tomás Palacios

Japanese Journal of Applied Physics 61(2) 2022年2月
Free and bound exciton fine structures in AlN epilayers grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy

T. Onuma, T. Shibata, K. Kosaka, K. Asai, S. Sumiya, M. Tanaka, T. Sota, A. Uedono, S. F. Chichibu

Journal of Applied Physics 105(2) 2009年
エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaNベース遠紫外線発光ダイオード

SUMIYA Shigeaki, SUMIYA Shigeaki, ZHU Youhua, ZHANG Jicai, KOSAKA Kei, MIYOSHI Makoto, MIYOSHI Makoto, SHIBATA Tomohiko, TANAKA Mitsuhiro, EGAWA Takashi

極微デバイス機能システム研究センター報告書 47(1) 43-46 2008年1月18日
Improved performance of 264 nm emission AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes

Y. H. Zhu, S. Sumiya, J. C. Zhang, M. Miyoshi, T. Shibata, K. Kosaka, M. Tanaka, T. Egawa

Electronics Letters 44(7) 493-495 2008年
Erratum: Impact of strain on free-exciton resonance energies in wurtzite AlN (Journal of Applied Physics (2007) 102 (123707))

Hirokatsu Ikeda, Takahiro Okamura, Kodai Matsukawa, Takayuki Sota, Mariko Sugawara, Takuya Hoshi, Pablo Cantu, Rajat Sharma, John F. Kaeding, Stacia Keller …

Journal of Applied Physics 103(8) 2008年
厚いAlN薄膜の水素化物気相エピタクシーに対する高圧縮歪AlN/サファイアテンプレートを用いた亀裂発生の抑制

TSUJISAWA Kenichi, KISHINO Shinya, LI Da-Bing, MIYAKE Hideto, HIRAMATSU Kazumasa, SHIBATA Tomohiko, TANAKA Mitsuhiro

Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters 46(20-24) 2007年6月15日
Influence of growth conditions on Al incorporation to Al<inf>x</inf>Ga<inf>1-x</inf>N (x>0.4) grown by MOVPE

Da Bing Li, Masakazu Aoki, Takuya Katsuno, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Tomohiko Shibata

Journal of Crystal Growth 298(SPEC. ISS) 372-374 2007年1月
Influence of growth interruption and Si doping on the structural and optical properties of Al<inf>x</inf>GaN/AlN (x>0.5) multiple quantum wells

Da Bing Li, Masakazu Aoki, Takuya Katsuno, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Tomohiko Shibata

Journal of Crystal Growth 298(SPEC. ISS) 500-503 2007年1月
The relationship between the bending direction and burgers vector of threading dislocations at a coherent heterointerface in AlGaN/AlN layers

N. Kuwano, T. Yokote, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Shibata

Materials Science Forum 561-565(PART 3) 2071-2074 2007年
AlNテンプレートを用いて成長させたPt/AlGaN/GaN Schottkyダイオードの電気特性と水素ガスセンサへの応用

MIYOSHI Makoto, KURAOKA Yoshitaka, ASAI Keiichiro, SHIBATA Tomohiko, TANAKA Mitsuhiro, EGAWA Takashi

極微デバイス機能システム研究センター報告書 25(4) 1231-1235 2007年
AlNテンプレート上のAlGaN/GaN Schottkyダイオードの改善された逆阻止特性

MIYOSHI M., KURAOKA Y., ASAI K., SHIBATA T., TANAKA M., EGAWA T.

極微デバイス機能システム研究センター報告書 43(17) 953-954 2007年
Impact of strain on free-exciton resonance energies in wurtzite AlN

Hirokatsu Ikeda, Takahiro Okamura, Kodai Matsukawa, Takayuki Sota, Mariko Sugawara, Takuya Hoshi, Pablo Cantu, Rajat Sharma, John F. Kaeding, Stacia Keller …

Journal of Applied Physics 102(12) 2007年
High temperature growth of AlN film by LP-HVPE

K. Tsujisawa, S. Kishino, Y. H. Liu, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Shibata, M. Tanaka

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 4(7) 2252-2255 2007年
Structural and optical properties of Si-doped AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE

Da Bing Li, Takuya Katsuno, Masakazu Aoki, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Tomohiko Shibata

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 4(7) 2494-2497 2007年
Si-doped GaN/AIN quantum dot superlattices for optoelectronics at telecommunication wavelengths

F. Guillot, M. Tchernycheva, L. Nevou, L. Doyennette, E. Monroy, F. H. Julien, Le Si Dang, T. Remmele, M. Albrecht, T. Shibata …

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 203(7) 1754-1758 2006年5月
Fabrication of thick AlN film by low pressure hydride vapor phase epitaxy

Yu Huai Liu, Tomoaki Tanabe, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Tomohiko Shibata, Mutsuhiro Tanaka

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 3 1479-1482 2006年
N-type conductivity control of AlGaN with high Al mole fraction

Takuya Katsuno, Yuhuai Liu, Dabing Li, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Tomohiko Shibata, Mitsuhiro Tanaka

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 3 1435-1438 2006年
Si-doped GaN/AlN quantum dot superlattices for optoelectronics at telecommunication wavelengths

F. Guillot, E. Bellet-Amalric, E. Monroy, M. Tchernycheva, L. Nevou, L. Doyennette, F. H. Julien, Le Si Dang, T. Remmele, M. Albrecht …

Journal of Applied Physics 100(4) 2006年
Nanostructural characterization and two-dimensional electron-gas properties in high-mobility AlGaN/AlN/GaN heterostructures grown on epitaxial AlN/sapphire templates

Makoto Miyoshi, Takashi Egawa, Hiroyasu Ishikawa, Kei Ichiro Asai, Tomohiko Shibata, Mitsuhiro Tanaka, Osamu Oda

Journal of Applied Physics 98(6) 2005年9月15日

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MISC

105

p型GaNコンタクト層に形成した高反射型フォトニック結晶によるAlGaN深紫外LEDの外部量子効率改善

鹿嶋行雄, 渡邊康弘, 柴田智彦, 前田哲利, 松浦恵里子, 岩井武, 小久保光典, 田代貴晴, 古田寛治, 上村隆一郎 …

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 3587-3587 2018年3月5日
AlNテンプレートを用いた300nm帯高効率深紫外LEDの諸特性

大鹿嘉和, 柴田智彦

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 57th 3512-3512 2010年
AlN薄膜の時間分解フォトルミネッセンス

尾沼猛儀, 羽豆耕治, 柴田智彦, 小坂圭, 浅井圭一郎, 角谷茂明, 田中光浩, 宗田孝之, 秩父重英

応用物理学会学術講演会講演予稿集 70th(1) 2009年
AlN価電子帯オーダリングの歪依存性

池田大勝, 岡村隆弘, 松川紘大, 小山享宏, 小山享宏, 星拓也, 菅原茉莉子, 尾沼猛儀, 尾沼猛儀, CANTU P. …

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th(1) 2007年
AlNテンプレート上へのGaN系ショットキーダイオードの作製ならびに水素ガスセンサーへの応用

倉岡義孝, 三好実人, 三好実人, 浅井圭一郎, 柴田智彦, 田中光浩, 江川孝志

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th(3) 2007年
AlNテンプレートを用いたAlGaN系深紫外LED

角谷茂明, 角谷茂明, 小坂圭, 三好実人, 三好実人, 柴田智彦, 田中光浩, ZHU Y., 江川孝志

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th(1) 2007年
AlN,GaNにおける貫通転位密度と点欠陥密度の関係

秩父重英, 秩父重英, 小山享宏, 小山享宏, 菅原茉莉子, 星拓也, CANTU P., KAEDING J. F., SHARMA R., 小坂圭 …

応用物理学会学術講演会講演予稿集 68th(1) 2007年
高品質AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN膜の高温成長

岸野伸哉, 辻澤健一, 三宅秀人, 平松和政, 柴田智彦, 角谷茂明, 田中光浩

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th(1) 2007年
AlNテンプレート上へのGaN系ショットキーダイオードの作製ならびに水素ガスセンサーへの応用

三好実人, 倉岡義孝, 浅井圭一郎, 柴田智彦, 田中光浩, 江川孝志

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集 20th 78-78 2007年
MOVPE成長AlN薄膜の発光特性

尾沼猛儀, 小山享宏, 小山享宏, 小坂圭, 浅井圭一郎, 角谷茂明, 柴田智彦, 田中光浩, 宗田孝之, 上殿明良 …

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th(1) 2007年
AlGaN/AlNにおける貫通転位の挙動に対する内部応力の効果

横手達徳, 桑野範之, 三宅秀人, 平松和政, 柴田智彦

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th(1) 2007年
高電子移動度AlGaN/AlN/GaN構造を用いた横型ショットキーバリアダイオードの作製

三好実人, 三好実人, 倉岡義孝, 浅井圭一郎, 柴田智彦, 田中光浩, 江川孝志

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th(3) 2007年
貫通転位の伸展形状変化に及ぼすAlGaN/AlN界面の効果

釘山裕太, 横手達徳, 桑野範之, 三宅秀人, 平松和政, 柴田智彦

日本金属学会・日本鉄鋼協会九州支部合同学術講演会講演概要集 2006 2006年
減圧HVPE法によるAlN膜の高温成長

辻沢健一, LIU Y., 三宅秀人, 平松和政, 柴田智彦, 田中光浩

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 53rd(1) 2006年
AlGaN/AlN界面における貫通転位の形状変化

横手達徳, 桑野範之, 三宅秀人, 平松和政, 柴田智彦

応用物理学会学術講演会講演予稿集 67th(1) 2006年
原子ステップを有するAlN膜のHVPE法による成長

LIU Y., TSUJISAWA K., MIYAKE H., HIRAMATSU K., SHIBATA T., TANAKA M.

応用物理学会学術講演会講演予稿集 66th(1) 2005年
凹凸AlNテンプレート上に成長させたAlGaNの転位密度低減機構

原口雅也, 桑野範之, 石賀章, 三宅秀人, 平松和政, 柴田智彦

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 52nd(1) 2005年
熱間等方圧加圧(HIP)装置を用いたNaフラックス法によるGaN単結晶育成

東原周平, 市村幹也, 岩井真, 今井克宏, 今枝美能留, 角谷茂明, 柴田智彦, 森勇介, 佐々木孝友

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 52nd(1) 2005年
凹凸AlNエピタキシャル基板を用いたAlGaNの成長と評価

増田規宏, 石賀章, LIU Y., 三宅秀人, 平松和政, 柴田智彦, 田中光浩, 原口雅也, 桑野範之

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 52nd(1) 2005年
高Alモル分率AlGaNのn型伝導性制御

勝野琢弥, 大西孝, LIU Y., 柴田智彦, 三宅秀人, 平松和政, 田中光浩

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 52nd(1) 2005年

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所属学協会

- 現在

応用物理学会

産業財産権

243

特開2022-084473 導電性AlNエピタキシャル膜付き基板及びその製造方法

奥村宏典, 柴田智彦, 渡邊康弘
特許第6940664号深紫外発光素子およびその製造方法

柴田智彦
特許第6865784号深紫外発光素子

柴田智彦, 宮地岳広
特許第6803411号深紫外発光素子およびその製造方法

柴田智彦
特開2020-170875 深紫外発光素子およびその製造方法

柴田智彦
特開2019-192908 深紫外発光素子

柴田智彦, 宮地岳広
WO2018-151157 深紫外発光素子およびその製造方法

柴田智彦
特開2016-149410 電子デバイス用エピタキシャル基板および高電子移動度トランジスタならびにそれらの製造方法

柴田智彦
特許第5898347号発光素子の製造方法

柴田智彦, 浅井圭一郎, 角谷茂明
特開2015-170776 窒化物半導体積層体および電界効果トランジスタ

永久哲三, 吐田真一, 柴田智彦
特開2015-111698 発光素子の製造方法

柴田智彦, 浅井圭一郎, 角谷茂明
特開2015-070091 III族窒化物半導体基板

生田哲也, 柴田智彦
特許第5665676号 III族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法

生田哲也, 柴田智彦
特許第5665745号電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法

生田哲也, 日野大輔, 坂本陵, 柴田智彦
特許第5641173号光半導体素子及びその製造方法

平山秀樹, 柴田智彦
特許第5622499号電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法

生田哲也, 清水成, 柴田智彦
特開2014-132607 III族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法

生田哲也, 柴田智彦
特許第5576771号 III族窒化物エピタキシャル積層基板

生田哲也, 清水成, 柴田智彦
特許第5546301号電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法

生田哲也, 清水成, 柴田智彦
特許第5543866号 III族窒化物エピタキシャル基板

生田哲也, 日野大輔, 柴田智彦

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