我々はボトムアッププロセスを用いて常温動作単電子デバイスを作製することを目指している。単電子デバイスの作製ではトンネル抵抗が距離の指数関数に比例するためサブナノメートルスケールでの構造の制御が必要である。これまでに我々はAuナノ粒子を中間電極とする二重トンネル接合を走査型プローブ顕微鏡内に形成し、走査トンネル分光による電流電圧特性において常温下で安定したクーロンブロッケード特性を観察してきた。今Π共役系保護基を有するAuナノ粒子を用いて、クーロンブロッケード特性のSet point current依存性を測定した。その結果、二重トンネル接合におけるAuコアとAu基板間のトンネル抵抗値は2.8GΩと見積もられた。