鮫島俊之 (Sameshima Toshiyuki) - マイポータル

基本情報

所属: 東京農工大学工学研究院先端電気電子部門教授
: (兼任)工学部電気電子工学科
: (兼任)大学院工学府電気電子工学専攻

学位: 工学博士(静岡大学)
理学修士(静岡大学)

J-GLOBAL ID: 201801017172364738
researchmap会員ID: 7000025094

外部リンク: http://www.tuat.ac.jp/~sameken/

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

2004年9月

-, 東京農工大学大学院共生科学技術研究院教授
1995年2月 - 2004年8月

-, 東京農工大学工学部電子情報工学科助教授
1994年7月 - 1995年2月

-, ドイツマックスプランク研究所客員研究員
1994年5月 - 1994年6月

-, ソニー（株）中央研究所主任研究員
1993年1月 - 1994年4月

-, ソニー（株）中央研究所研究統括課長
1980年4月 - 1992年12月

-, ソニー（株）中央研究所研究員に採用

学歴

- 1980年

静岡大学, 理学研究科, 物理学専攻
- 1978年

名古屋大学, 理学部, 物理学科

受賞

1991年

高柳研究奨励賞

論文

202

Complete Absorption of 2.45 GHz Microwaves by MultipleConductive-Layered System and Application in Heating Technology

Toshiyuki Sameshima, Tomoyoshi Miyazaki, Masahiko Hasumi, Wakana Kubo, Tomo Ueno

IEICE ELECTRONICS EXPRESS 22(2) 6-6 2025年1月25日
Passivation of cut edges of crystalline silicon by heat treatment in liquid water

Masahiko Hasumi, Toshiyuki Sameshima, Tomohisa Mizuno

Japanese Journal of Applied Physics 62(SK) SK1022-SK1022 2023年4月27日
Development of Microwave-Induced Rapid Heating System Using Wireless Carbon Heating Tubes

Tomoyoshi Miyazaki, Ryota Seki, Takuma Uehara, Takuji Arima, Masahiko Hasumi, Go Kobayashi, Izumi Serizawa, Toshiyuki Sameshima

Proceedings of AM-FPD 2020 - 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials 7-10 2020年9月
SiC quantum dot formation in SiO2 layer using double hot-Si+/C+-ion implantation technique

Tomohisa Mizuno, Rikito Kanazawa, Takashi Aoki, Toshiyuki Sameshima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 2020年4月査読有り
Argon Precursor Ion Implantation Used to Activate Boron Atoms in Silicon at Low Temperatures

Toshiyuki Sameshima, Tomokazu Nagao, Erika Sekiguchi, Masahiko Hasumi

IEEE ACCESS 8 72598-72606 2020年
MICROWAVE RAPID HEATING SYSTEM USING CARBON HEATING TUBE

TOSHIYUKI SAMESHIMA, T. Kikuchi, T. Uehara, T. Arima, M. Hasumi, T. Miyazaki, G. Kobayashi, I. Serizawa3

Proceedings 17th International Conference on Microwave and High Frequency Heating 2019年9月9日
SiC nano-dot formation in bulk-Si substrate using hot-C+-ion implantation process

Tomohisa Mizuno, Masaki Yamamoto, Shinji Nakada, Sho Irie, Takashi Aoki, Toshiyuki Sameshima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58(8) 2019年8月査読有り
Phosphorus Followed by Hydrogen Two-Step Ion Implantation Used for Forming Low Resistivity Doped Silicon at 300°C

T. Nagao, Y. Inouchi, J. Tatemichi, T. Sugawara, M. Hasumi, T. Sameshima

AM-FPD 2019 - 26th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings 2019年7月1日
Carbon Heating Tube Rapid Heating System for Fabricating Silicon Solar Cells

Tomoyoshi Miyazaki, Go Kobayashi, Izumi Serizawa, Toshitaka Kikuchi, Takuma Uehara, Takuji Arima, Masahiko Hasumi, Toshiyuki Sameshima

AM-FPD 2019 - 26th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings 2019年7月
SiC nanodot formation in amorphous-Si and poly-Si substrates using a hot-C+-ion implantation technique

Tomohisa Mizuno, Rikito Kanazawa, Takashi Aoki, Toshiyuki Sameshima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 2019年4月査読有り
Carbon Heating Tube Used for Rapid Heating System

Toshiyuki Sameshima, Tomoyoshi Miyazaki, Go Kobayashi, Takuji Arima, Toshitaka Kikuchi, Takuma Uehara, Takashi Sugawara, Masahiko Hasumi, Izumi Serizawa

IEEE ACCESS 7 23798-23805 2019年
Si Surface Orientation Dependence of SiC Nano-Dot Formation in Hot-C+-Ion Implanted Bulk-Si Substrate

Tomohisa Mizuno, Masaki Yamamoto, Takashi Aoki, Toshiyuki Sameshima

2019 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW) 115-116 2019年査読有り
Reduction in connecting resistivity and optical reflection loss at intermediate layer for mechanically stacked multijunction solar cells

Masahiko Hasumi, Yoshihiro Ogawa, Kousuke Oshinari, Jun-ichi Shirakashi, Wakana Kubo, Toshiyuki Sameshima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57(10) 102301 2018年10月査読有り
Carbon Heating Tube Used for Rapid Heating System for Semiconductor Annealing

Tomoyoshi Miyazaki, Go Kobayashi, Takashi Sugawara, Toshitaka Kikuchi, Masahiko Hasumi, Toshiyuki Sameshima

AM-FPD 2018 - 25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings 2018年8月15日
Surface Passivation of Crystalline Silicon by Heat Treatment in Liquid Water and its Application to Improve the Interface Properties of Metal-Oxide-Semiconductor Structures

Toshiyuki Sameshima, Masahiko Hasumi, Yoshito Hirokawa, Taichi Watanabe, Maui Hino, Gen Kojitani, Tomohisa Mizuno

AM-FPD 2018 - 25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings 2018年8月15日
Reduction in optical reflection at intermediateadhesive layer for mechanically stacked multijunction solar cells

T. Sameshima, Y. Ogawa, M. Hasumi

Advanced Materials Proceedings 3(5) 361-365 2018年5月査読有り
Activation of dopant in silicon by ion implantation under heating sample at 200 °C

T. Sameshima, K. Yasuta, M. Hasumi, T. Nagao, Y. Inouchi

Appl. Phys. A 124 228-1-6 2018年2月査読有り
Two-Step Ion Implantation used for Activating Boron Atoms in Silicon at 300 degrees C

Toshiyuki Sameshima, Takuma Uehara, Takashi Sugawara, Masahiko Hasumi, Tomokazu Nagao, Keisuke Yasuta, Yutaka Inouchi, Junichi Tatemichi

2018 22ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON ION IMPLANTATION TECHNOLOGY (IIT 2018) 46-49 2018年
Activation behavior of polycrystalline silicon films by phosphorus ion implantation at 200°C

T. Sugawara, N. Tanaka, S. Kimura, M. Hasumi, T. Nagao, Y. Inouchi, T. Sameshima

AM-FPD 2017 - 24th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings 270-271 2017年8月8日
Material structure of two-/three-dimensional Si–C layers fabricated by hot-C+-ion implantation into Si-on-insulator substrate

Tomohisa Mizuno, Yuhsuke Omata, Yoshiki Nagamine, Takashi Aoki, Toshiyuki Sameshima

Jpn. J.Appl. Phys. 56(4) 04CB03 2017年4月査読有り

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MISC

無電極ランプを熱源とした加熱装置によるリンイオン注入300mm径シリコン基板の活性化

宮崎智由, 宮崎智由, 鮫島俊之, 齋藤宗平, 小野寺航, 上原琢磨, 有馬卓司, 蓮見真彦, 小林剛, 芹澤和泉 …

電子情報通信学会論文誌 C(Web) J106-C(1) 2023年
2016年度神奈川大学総合理学研究所共同研究助成論文二次元SiGe及びSiCを用いた赤外/可視域EL素子の研究

水野智久, 青木孝, 鮫島俊之

Science journal of Kanagawa University = 神奈川大学理学誌 28(1) 31-36 2017年
Electrical and structural properties of poly-SiGe film formed by pulsed-laser annealing

H Watakabe, T Sameshima, H Kanno, T Sadoh, M Miyao

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 95(11) 6457-6461 2004年6月

書籍等出版物

薄膜トランジスタ

薄膜材料デバイス研究会編 (担当:共著)

コロナ社 2008年11月
低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発 -システムオンパネルをめざして-

監修, 浦岡行治 (担当:共著)

シーエムシー出版 2007年2月 (ISBN: 9784882316787)
レーザーハンドブック

レーザー学会 (担当:共著)

オーム社 2005年4月 (ISBN: 4274200353)
THIN FILM TRANSISTORS

YUE KUDO (担当:共著)

Kluwer Academic Publishers 2003年12月 (ISBN: 1402075065)
レーザー研究第31巻第1号

鮫島俊之 (担当:共著)

（社）レーザー学会 2003年1月

講演・口頭発表等

450

Heating equipment with carbon heating used to activate silicon and fabricate its solar cells

Toshitaka Kikuchi, Takashi Sugawara, Takuma Uehara, Tomoyoshi Miyazaki、Go Kobayashi, Masahiko Hasumi, Toshiyuki Sameshima

第79回応用物理学会学術講演会 2018年9月19日応用物理学会
Two-Step Ion Implantation used for Activating Boron Atoms in Silicon at 300°C

T. Sameshima, T. Uehara, T. Sugawara, M. Hasumi, T. Nagao, K. Yasuta, Y. Inouchi, J. Tatemichi

22nd International Conference on Ion Implantation Technology 2018年9月17日
Carbon Heating Tube Used for Rapid Heating System for Semiconductor Annealing

T. Miyazaki, G. Kobayashi, T. Sugawara, T. Kikuchi, M. Hasumi, T. Sameshima

Active Matrix Flat Panel Displays 2018年7月6日 Active Matrix Flat Panel Displays
Two-Step Ion Implantation used for Activating Boron Atoms in Silicon at 300°C

T. Nagao, T. Uehara, K. Yasuta, Y. Inouchi, J. Tatemichi, M. Hasumi, T. Sameshima

Active Matrix Flat Panel Displays 2018年7月6日 Active Matrix Flat Panel Displays
Surface Passivation of Crystalline Silicon by Heat Treatment in Liquid Water and Its Application to Improve the Interface Properties of Metal-Oxide-Semiconductor Structures

Toshiyuki Sameshima, Masahiko Hasumi, Yoshito Hirokawa, Taichi Watanabe, Maui Hino, Gen Kojitani, Tomohisa Mizuno

Active Matrix Flat Panel Displays 2018年7月5日 Active Matrix Flat Panel Displays
Photo-induced minority carrier annihilation for silicon samples with metal insulator semiconductor structure

K. Ota, T. Sameshima, G. Kojitani, M. Hino, T. Watanabe, M. Hasumi, T. Mizuno, M. Amara

Grand Renewable Energy 2018 2018年6月21日 JAPAN
Reduction in connecting resistivity of intermediate adhesive layer for mechanically stacked multi-junction solar cells

T. Sameshima, K. Oshinari, G. Kojitani, M. Hino, T. Watanabe, M. Kondo, M. Yagi, M. Hasumi, W. Kubo, J. Shirakashi, M. Amara

Grand Renewable Energy 2018 2018年6月21日 JAPAN
Transparent and conductive layers used for reducing optical reflection loss for fabricating mechanically stacked multi-junction solar cells

M. Hasumi, Y. Ogawa, K. Oshinari, G. Kojitani, M. Hino, T. Watanabe, T. Sameshima, T. Mizuno

Grand Renewable Energy 2018 2018年6月21日 JAPAN
Reduction in Connecting Resistivity of Intermediate Adhesive Layer by SF6 Plasma Treatment for Mechanical Stacking Multi Junction Solar Cells

Kosuke Oshinari, Masaki Kondo, Mamiko Yagi, Masahiko Hasumi, Wakana Kubo, Junichi Shirakashi, Toshiyuki Sameshima, Mohamed Amara

第65回応用物理学関係連合講演会 2018年3月20日応用物理学会
Ar+ ion implantation used to reduce temperature for activating B atoms implanted in silicon

Keisuke Yasuta, Takuma Uehara, Masahiko Hasumi, Tomokazu Nagao, Yutaka Inouchi, Toshiyuki Sameshima

第65回応用物理学関係連合講演会 2018年3月19日応用物理学会
Transparent and Conductive layers used for Reducing Optical Reflection Loss for Fabricating Mechanically Stacked Multi-Junction Solar Cells

Yoshihiro Ogawa, Kosuke Oshinari, Masahiko Hasumi, Toshiyuki Sameshima, Tomohisa Mizuno

第65回応用物理学関係連合講演会 2018年3月19日応用物理学会
紫外線レーザーによるSi表面のパッシベーション

菅原崇, 廣川慶人, 鮫島俊之

一般社団法人レーザー学会学術講演会第38回年次大会 2018年1月25日応用物理学会
加熱水による半導体表面パシベーションの研究

廣川慶人, 鮫島俊之, 蓮見真彦, 水野智久

第2回IPDA研究会 2017年11月10日集積光デバイスと応用技術特別研究専門委員会
低温加熱下イオン注入によるシリコンの活性化

安田圭佑, 蓮見真彦, 永尾友一, 井内裕, 鮫島俊之

14th Thin Film Materials & Devices Meeting 2017年10月21日 Thin Film Materials & Devices Meeting
PN接合におけるバイアス電圧印可による光誘起少数キャリアライフタイムの挙動

太田康介, 鮫島俊之, 蓮見真彦, 水野智久

14th Thin Film Materials & Devices Meeting 2017年10月20日 Thin Film Materials & Devices Meeting
Improvement in Effective Optical Absorbency for the Bottom Cells of Mechanical Stacked Multi-Junction Solar Cells

M. Hasumi, Y. Ogawa, K. Oshinari, T. Sameshima

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials 2017年9月21日 JAPAN
Activation Behavior of Polycrystalline Silicon Films by Phosphorus Ion Implantation at 200°C

T. Sugawara, N. Tanaka, S. Kimura, M. Hasumi, T. Nagao, Y. Inouchi, T. Sameshima

Active Matrix Flat Panel Displays 2017年7月6日 Active Matrix Flat Panel Displays
Reduction in optical reflection at intermediate adhesive layer for mechanically stacked multi junction solar cells

T. Sameshima, Y. Ogawa, M. Hasumi

European Materials Research Society 2017年5月23日 European Materials Research Society
Activation of Silicon by Ion Implantation under Heating Sample at 200oC

T. Sameshima, K. Yasuta, M. Hasumi, T. Nagao, Y. Inouchi

European Materials Research Society 2017年5月23日 European Materials Research Society
Reduction of Optical Reflection Loss at Intermediate Adhesive Layer for Mechanically Stacked Multi-Junction Solar Cells

Y.gawa, M.Hasumi, T.Mizuno, T.Sameshima

第64回応用物理学関係連合講演会 2017年3月16日応用物理学会