塚本史郎 (Shiro Tsukamoto) - マイポータル

基本情報

所属: Università degli Studi di Milano-Bicocca Joint Project Professor

学位: 博士(工学)(1993年3月東京大学)

J-GLOBAL ID: 201601009285736383
researchmap会員ID: B000269099

研究キーワード

研究分野

ナノテク・材料 / 結晶工学 / 半導体結晶工学

経歴

2021年4月 - 現在

Università degli Studi di Milano-Bicocca,, Dipartimento di Scienza dei Materiali,, Joint Project Professor
2021年4月 - 2024年3月

電気通信大学, 特任教授
2017年4月 - 2021年3月

阿南工業高等専門学校, 客員教授
2017年9月 - 2020年8月

Università degli Studi di Milano-Bicocca,, Dipartimento di Scienza dei Materiali,, Visiting Professor, Assegnista di ricerca (Research Fellow)
2007年4月 - 2017年3月

阿南工業高等専門学校, 日亜化学寄附講座, 特別研究教授
2013年5月 - 2013年9月

大阪大学, 産業科学研究所, 招へい教授（併任）
2011年4月 - 2012年3月

東京大学, 物性研究所, 客員教授（併任）
2003年1月 - 2007年3月

東京大学, 生産技術研究所, 客員助教授 → 特任助教授 → 特任准教授、産学官連携研究員
2001年4月 - 2002年12月

物質・材料研究機構, ナノデバイス(研究)グループ, 主任研究員
1993年4月 - 2001年3月

科学技術庁, 金属材料技術研究所, 研究員 → 主任研究官
1988年8月 - 1989年12月

ミシガン大学, 工学部電気工学科, 研究助手（リサーチアシスタント)
1986年4月 - 1987年3月

科学技術庁, 金属材料技術研究所, 研修実習生（外部卒業研究）

学歴

1990年4月 - 1993年3月

東京大学, 大学院工学系研究科博士課程, 電子工学専攻
1988年9月 - 1989年12月

ミシガン大学, 大学院工学系研究科修士課程, 電気工学専攻
1983年4月 - 1987年3月

東京理科大学, 工学部第一部, 電気工学科
1979年4月 - 1982年3月

神奈川県立上鶴間高等学校

論文

145

Droplet free self-assembling of high density nanoholes on GaAs(100) via thermal drilling

Federico Cesura, Stefano Vichi, Artur Tuktamyshev, Sergio Bietti, Alexey Fedorov, Stefano Sanguinetti, Kanji Iizuka, Shiro Tsukamoto

Journal of Crystal Growth 630 127588-127588 2024年3月査読有り最終著者
First-principles calculations of Mn incorporation into GaAs(110)

Motoi Hirayama, Sho Kishigami, Takumi Goto, Shiro Tsukamoto

Surface Science 729 122230-122230 2023年3月査読有り最終著者
Flat metamorphic InAlAs buffer layer on GaAs(111)A misoriented substrates by growth kinetics control

Artur Tuktamyshev, Stefano Vichi, Federico Cesura, Alexey Fedorov, Sergio Bietti, Daniel Chrastina, Shiro Tsukamoto, Stefano Sanguinetti

Journal of Crystal Growth 600 2022年12月査読有り
Vapour Liquid Solid Growth Effects on InGaN Epilayers Composition Uniformity in Presence of Metal Droplets

Mani Azadmand, Stefano Vichi, Federico Guido Cesura, Sergio Bietti, Daniel Chrastina, Emiliano Bonera, Giovanni Maria Vanacore, Shiro Tsukamoto, Stefano Sanguinetti

NANOMATERIALS 12(21) 2022年11月査読有り
Telecom-wavelength InAs QDs with low fine structure splitting grown by droplet epitaxy on GaAs(111)A vicinal substrates

A. Tuktamyshev, A. Fedorov, S. Bietti, S. Vichi, K. D. Zeuner, K. D. Jöns, D. Chrastina, S. Tsukamoto, V. Zwiller, M. Gurioli …

Applied Physics Letters 118(13) 133102-133102 2021年3月29日査読有り
Nucleation of Ga droplets self-assembly on GaAs(111)A substrates

Artur Tuktamyshev, Alexey Fedorov, Sergio Bietti, Stefano Vichi, Riccardo Tambone, Shiro Tsukamoto, Stefano Sanguinetti

SCIENTIFIC REPORTS 11(1) 6833-6833 2021年3月査読有り
Solid-State Dewetting Dynamics of Amorphous Ge Thin Films on Silicon Dioxide Substrates

Dimosthenis Toliopoulos, Alexey Fedorov, Sergio Bietti, Monica Bollani, Emiliano Bonera, Andrea Ballabio, Giovanni Isella, Mohammed Bouabdellaoui, Marco Abbarchi, Shiro Tsukamoto …

NANOMATERIALS 10(12) 2020年12月査読有り
Intermittent growth for InAs quantum dot on GaAs(001)

Takashi Toujyou, Tomoya Konishi, Motoi Hirayama, Koichi Yamaguchi, Shiro Tsukamoto

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 551 125891-125891 2020年12月査読有り最終著者
Reentrant Behavior of the Density vs. Temperature of Indium Islands on GaAs(111)A

Artur Tuktamyshev, Alexey Fedorov, Sergio Bietti, Shiro Tsukamoto, Roberto Bergamaschini, Francesco Montalenti, Stefano Sanguinetti

NANOMATERIALS 10(8) 1512-1512 2020年8月査読有り
Droplet epitaxy quantum dot based infrared photodetectors

Stefano Vichi, Sergio Bietti, Arastoo Khalili, Matteo Costanzo, Federica Cappelluti, Luca Esposito, Claudio Somaschini, Alexey Fedorov, Shiro Tsukamoto, Patrick Rauter …

NANOTECHNOLOGY 31(24) 245203-245203 2020年3月査読有り
Temperature Activated Dimensionality Crossover in the Nucleation of Quantum Dots by Droplet Epitaxy on GaAs(111)A Vicinal Substrates

Artur Tuktamyshev, Alexey Fedorov, Sergio Bietti, Shiro Tsukamoto, Stefano Sanguinetti

SCIENTIFIC REPORTS 9(1) 14520-14520 2019年10月査読有り
Raman spectroscopy of epitaxial InGaN/Si in the central composition range

Mani Azadmand, Emiliano Bonera, Daniel Chrastina, Sergio Bietti, Shiro Tsukamoto, Richard Notzel, Stefano Sanguinetti

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 2019年6月査読有り
Droplet Controlled Growth Dynamics in Molecular Beam Epitaxy of Nitride Semiconductors

Mani Azadmand, Luca Barabani, Sergio Bietti, Daniel Chrastina, Emiliano Bonera, Maurizio Acciarri, Alexey Fedorov, Shiro Tsukamoto, Richard Notzel, Stefano Sanguinetti

SCIENTIFIC REPORTS 8(1) 11278-11278 2018年7月査読有り
Atomistic behaviour of (n x 3)- reconstructed areas of InAs-GaAs(001) surface at the growth condition

Tomoya Konishi, Shiro Tsukamoto, Tomonoroi Ito, Toru Akiyama, Ryo Kaida

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 477 104-109 2017年11月査読有り
Hopkins-Skellam index and origin of spatial regularity in InAs quantum dot formation on GaAs(001)

Tomoya Konishi, Gavin R. Bell, Shiro Tsukamoto

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117(14) 2015年4月査読有り最終著者
In situ STM observations of step structures in a trench around an InAs QD at 300 1°C

T. Toujyou, T. Otsu, D. Wakamatsu, M. Kurisaka, T. Konishi, S. Tsukamoto

Journal of Crystal Growth 378 44-46 2013年9月査読有り最終著者
Incorporation of Mn atoms into the GaAs(110) surface

Motoi Hirayama, Shiro Tsukamoto

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 378 50-52 2013年9月査読有り最終著者
S-termination effects for the catalytic activities of Pd on GaN(0001) surfaces

T. Konishi, Y. Ueta, M. Hirayama, N. Nishiwaki, S. Tsukamoto

APPLIED SURFACE SCIENCE 258(21) 8334-8337 2012年8月査読有り最終著者
Initial stages of MnAs heteroepitaxy and nanoisland growth on GaAs(110) and (001) surfaces

Motoi Hirayama, Gavin R. Bell, Shiro Tsukamoto

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 29(4) 2011年7月査読有り最終著者
In situ STM observation during InAs growth in nano holes at 300 °c

Takashi Toujyou, Shiro Tsukamoto

Surface Science 605(13-14) 1320-1323 2011年7月査読有り最終著者

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MISC

145

Metal Droplet Effects on the Composition of Ternary Nitrides

Mani Azadmand, Stefano Vichi, Sergio Bietti, Daniel Chrastina, Emiliano Bonera, Maurizio Acciarri, Alexey Fedorov, Shiro Tsukamoto, Richard Nötzel, Stefano Sanguinetti

2019年7月16日
Droplet Controlled Growth Dynamics in Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy of In(Ga)N Materials

Mani Azadmand, Luca Barabani, Sergio Bietti, Daniel Chrastina, Emiliano Bonera, Maurizio Acciarri, Alexey Fedorov, Shiro Tsukamoto, Richard Nötzel, Stefano Sanguinetti

2017年11月29日
STMBE断続供給法によるInAs量子ドット形成過程観察に関する研究

東條孝志, 塚本史郎

東京大学総合技術研究会予稿集平成29年度(CD-ROM) 2017年
III-V族半導体量子ドット成長のその場観察と成長メカニズム

塚本史郎

化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM) 48th 2016年
MBE成長中InAs-GaAs(001)表面における(n×3)再構成領域の変化

小西智也, 塚本史郎, 伊藤智徳, 秋山亨, 海田諒

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th 2016年
半導体結晶成長機構のその場観察(特集序文,<特集>半導体結晶成長機構のその場観察)

塚本史郎

日本結晶成長学会誌 42(3) 173-173 2015年10月
In断続供給によるInAs量子ドット形成のSTMBE観察

東條孝志, 東條孝志, 山口浩一, 塚本史郎

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd 2015年
InGaAs表面再構成分布と量子ドット規則化生成の数理解析

小西智也, BELL Gavin R., 塚本史郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th 2015年
In断続供給によるInAs量子ドット形成過程のSTMBE観察

東條孝志, 東條孝志, 山口浩一, 塚本史郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th 2015年
InAs-GaAs(001)表面再構成における組成ゆらぎと量子ドットの非古典的核形成 (特集半導体結晶成長機構のその場観察)

小西智也, Bell Gavin R., 塚本史郎

日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 42(3) 174-179 2015年
7pAK-1 化合物半導体MBE成長のその場STM観察(招待講演,7pAK 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))

塚本史郎

日本物理学会講演概要集 69(2) 634-634 2014年8月22日
STMBE法によるGaAs(001)上InAs3D島構造成長その場観察

東條孝志, 東條孝志, 山口浩一, 塚本史郎

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st 2014年
InAsウェッティング層上ステップ構造近傍での量子ドット形成STMBE観察

東條孝志, 東條孝志, 山口浩一, 塚本史郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th 2014年
STMBE法によるGaAs(001)面上InAs二次元島成長その場観察

東條孝志, 寺岡輝記, 塚本史郎

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th 2013年
量子ドット発生直前のInAsウェッティング層における表面超構造ドメインの解析手法

小西智也, TAYLOR Greg, BELL Gavin, 塚本史郎

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 59th 2012年
GaAs(110)表面上へのMn原子の取り込み

平山基, 塚本史郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 73rd 2012年
STMBEを利用したInAs量子ドット作製後アニール温度効果その場観察

東條孝志, 塚本史郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 73rd 2012年
GaAs基板上へのMnAs成長初期過程

平山基, BELL Gavin R., BELL Gavin R., 塚本史郎

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 58th 2011年
GaN基板を用いた高リサイクルPd固定触媒の開発

平山基, 植田有紀子, 小西智也, 塚本史郎

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 58th 2011年
STMBE法による位置制御した単一InAs量子ドットの作製

東條孝志, 吉田正裕, 秋山英文, 塚本史郎, 塚本史郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd 2011年

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書籍等出版物

量子ドットエレクトロニクスの最前線

塚本史郎 (担当:分担執筆, 範囲:第3章解析・構造評価第2節 STMBEによるInAs量子ドット成長表面の原子レベルその場STM観察)

エヌ・ティー・エス 2011年3月
Handbook of Self Assmebled Semiconductor Nanostructures Novel Devices in Photonics and Electronics

塚本史郎 (担当:分担執筆, 範囲:8. GaSb/GaAs quantum nanostructures by molecular beam epitaxy)

Elsevier 2008年

講演・口頭発表等

287

Study of initial metal cluster size on compound semiconductor surfaces

S. Tsukamoto

The 10th International Symposium on Materials Science and Surface Technology (MSST 2021) 2022年2月21日招待有り
Droplet epitaxy from beginning to present, pursuing initial cluster size

S. Tsukamoto

21st International Conference in Molecular Beam Epitaxy 2021年9月8日招待有り
Investigation on Compound Semiconductor Crystal growth mechanism by STMBE which performs true in-situ STM imaging during MBE growth

S. Tsukamoto

7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2019) 2019年9月招待有り
Formation mechanism of InAs quantum dots on GaAs(001) investigated by STMBE which performs true in-situ STM imaging during MBE growth

S. Tsukamoto

The Winter School on “Quantum Dots: from growth to fundamental properties” 2019年2月招待有り
S-terminatied semiconductor surfaces for green chemistry

S. Tsukamoto

6th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2017) 2017年9月招待有り
Pd-catalysts on S-terminated GaAs and GaN substrates for green chemistry

S. Tsukamoto

Micro/Bio/Nanofluidics Unit Seminar, The Okinawa Institute of Science and Technology 2017年1月17日招待有り
化合物半導体を用いた研究最前線 -量子ドット発生メカニズムから担持型Pd触媒合成反応まで-

塚本史郎

長岡技術科学大学応用物理学特別セミナー 2016年12月9日招待有り
Crystal growth mechanism of InAs quantum dots on GaAs(001) investigated by STMBE method

S. Tsukamoto

Applied Physics Seminar, Tel Aviv University, Israel 2016年11月30日招待有り
Crystal growth mechanism investigated by STMBE method

S. Tsukamoto

Material Sciences Seminar, The Hebrew University of Jerusalem, Israel 2016年11月23日招待有り
STMBE断続供給法によるGaAs(001)面上InAs量子ドットの特異な形成過程観察

東條孝志, 勝野弘康, 山口浩一, 塚本史郎

第12回量子ナノ材料セミナー 2016年11月21日招待有り
Crystal growth mechanism of compound semiconductor quantum dots

S. Tsukamoto

International Conference CoMFoS16: Mathematical Analysis of Continuum Mechanics and Industrial Applications II 2016年10月26日招待有り
Spatial point process and Hopkins-Skellam index of InAs quantum dot formation on GaAs(001)

T. Konishi, G. Gavin, S. Tsukamoto

International Conference CoMFoS16: Mathematical Analysis of Continuum Mechanics and Industrial Applications II 2016年10月26日招待有り
III‐V族半導体量子ドット成長のその場観察と成長メカニズム

塚本史郎

化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM) 2016年9月6日招待有り
Atomistic Evolution of (n×3)-reconstructed Areas of InAs-GaAs(001) Surface during MBE Growth

T. Konishi, S. Tsukamoto, T. Ito, T. Akiyama, R. Kaida

19th International Conference on Molecular-Beam Epitaxy (MBE2016) 2016年9月
MBE成長中InAs‐GaAs(001)表面における(n×3)再構成領域の変化

小西智也, 塚本史郎, 伊藤智徳, 秋山亨, 海田諒

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2016年9月1日
Size evolution of (nx3) reconstructed areas on growing InAs-GaAs(001) surface

T. Konishi, S. Tsukamoto, T. Ito, T. Akiyama, R. Kaida

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016年8月
STMBE - 三元混晶III-III’-V型化合物半導体薄膜成長の謎に迫る -

塚本史郎

立命館グローバル・イノベーション研究機構名西セミナー 2016年2月招待有り
STMBE（分子線エピタキシィー成長中走査型トンネル顕微鏡観察）による化合物半導体ナノ構造結晶形成過程の解析

塚本史郎

大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所セミナー 2015年11月招待有り
半導体結晶成長機構のその場観察 InAs‐GaAs(001)表面再構成における組成ゆらぎと量子ドットの非古典的核形成

小西智也, BELL Gavin R, 塚本史郎

日本結晶成長学会誌(CD-ROM) 2015年10月
Mathematical Analysis of Reconstruction Morphology - Regularity of InAs Quantum Dot Formation -

T. Konishi, G. Bell, S. Tsukamoto

5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2015) 2015年9月

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所属学協会

産業財産権

特許第5297519号半導体装置の製造方法

荒川泰彦, ギマールドゥニ, 塚本史郎, 江部広治, 菅原充
特許第5291472号固定型遷移金属触媒及びその製造方法並びにその使用方法

塚本史郎, 西脇永敏, 小西智也, 小池晴夫, 杉岡智教, 奥山彰
特許第5095260号半導体発光装置の製造方法

荒川泰彦, ギマールドゥニ, 塚本史郎, 江部広治, 菅原充
特開2012-124500 半導体装置の製造方法

荒川泰彦, ギマールドゥニ, 塚本史郎, 江部広治, 菅原充
特許第4704857号基板結合型金属触媒、及びその製造方法

西田篤司, 有澤光弘, 塚本史郎, 下田正彦
特開2010-158614 固定型遷移金属触媒及びその製造方法並びにその使用方法

塚本史郎, 西脇永敏, 小西智也, 小池晴夫, 杉岡智教, 奥山彰
特開2007-335848 半導体装置の製造方法

荒川泰彦, ギマールドゥニ, 塚本史郎, 江部広治, 菅原充
特許第3929867号基板結合型遷移金属触媒、及びその製造方法

西田篤司, 有澤光弘, 塚本史郎, 下田正彦
特開2007-054790 基板結合型金属触媒、及びその製造方法

西田篤司, 有澤光弘, 塚本史郎, 下田正彦
特開2005-270918 金属触媒及びその製造方法

西田篤司, 有澤光弘, 塚本史郎, 下田正彦
特許第3692407号半導体量子ドット素子の製造方法

楊涛, 館林潤, 塚本史郎, 荒川泰彦
特開2005-079182 半導体量子ドット素子及びその製造方法

楊涛, 館林潤, 塚本史郎, 荒川泰彦
特開2004-130258 基板結合型遷移金属触媒、及びその製造方法

西田篤司, 有澤光弘, 塚本史郎, 下田正彦
特許第3527941号半導体スーパーアトムとその結合体の作製方法

小口信行, 塚本史郎
特許第3188913号結晶成長観察装置

塚本史郎, 小口信行
特開2001-053014 半導体スーパーアトムとその結合体の作製方法

小口信行, 塚本史郎
特開平11-171692 結晶成長観察装置

塚本史郎, 小口信行

塚本史郎

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研究分野

経歴

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論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

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