附田正則

J-GLOBALへ         更新日: 17/10/31 21:49
 
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研究者氏名
附田正則
eメール
tsukudagrik.jp
所属
北九州市環境エレクトロニクス研究所
職名
主任研究員
学位
博士(工学)(九州工業大学)

研究分野

 
 

経歴

 
2015年10月
 - 
現在
北九州市環境エレクトロニクス研究所
 
2015年4月
 - 
2015年9月
北九州市
 
2014年10月
 - 
2015年3月
アジア成長研究所
 
2010年3月
 - 
2014年9月
公益財団法人 国際東アジア研究センター
 
1991年4月
 - 
2010年2月
株式会社 東芝
 

学歴

 
2010年10月
 - 
2013年6月
国立大学法人 九州工業大学  
 

受賞

 
2005年4月
電気学会 The 2005 International Power Electronics Conference(IPEC-Niigata) Prize Paper Award Demonstration of High Output Power Density (30 W/cc) Converter using 600 V SiC-SBD and Low Impedance Gate Driver
 

論文

 
Akihiko Watanabe,Masanori Tsukuda,Ichiro Omura
Microelectronics Reliability   55(9-10) 2032-2035   2015年   [査読有り]
Masanori Tsukuda,M. Koga,K. Nakashima,Ichiro Omura
Microelectronics Reliability   64 479-483   2016年   [査読有り]
Masanori Tsukuda,K. Nakashima,S. Tabata,Kazunori Hasegawa,Ichiro Omura
Microelectronics Reliability   76 517-521   2017年   [査読有り]
Masanori Tsukuda,H. Tomonaga,S. Okoda,R. Noda,K. Tashiro,Ichiro Omura
Microelectronics Reliability   55(9-10) 1363-1368   2015年   [査読有り]
Seiya Abe,Kazunori Hasegawa,Masanori Tsukuda,K. Wada,Ichiro Omura,Tamotsu Ninomiya
Microelectronics Reliability   76 465-469   2017年   [査読有り]
H. Tomonaga,Masanori Tsukuda,S. Okoda,R. Noda,K. Tashiro,Ichiro Omura
Microelectronics Reliability   55(9-10) 1357-1362   2015年   [査読有り]
Akihiko Watanabe,Masanori Tsukuda,Ichiro Omura
Microelectronics Reliability   53(9-11) 1692-1696   2013年9月   [査読有り]
Kazunori Hasegawa,Kenichi Yamamoto,Hidetaro Yoshida,Kota Hamada,Masanori Tsukuda,Ichiro Omura
Microelectronics Reliability   54(9-10) 1897-1900   2014年   [査読有り]
Junpei Takaishi,Syohei Harada,Masanori Tsukuda,Ichiro Omura
Microelectronics Reliability   54(9-10) 1891-1896   2014年   [査読有り]
High-throughput DBC-assembled IGBT screening for power module
Masanori Tsukuda, Seiichi Okoda, Ryuzo Noda, Katsuji Tashiro, Ichiro Omura
International Conference on Integrated Power Electronics Systems   25-30   2014年2月   [査読有り]
Masanori Tsukuda,Keiichiro Kawakami,Kenichi Takahama,Ichiro Omura
Microelectronics Reliability   51(9-11) 1972-1975   2011年   [査読有り]
Yuya Kasho,Hidetoshi Hirai,Masanori Tsukuda,Ichiro Omura
Microelectronics Reliability   51(9-11) 1689-1692   2011年9月   [査読有り]
Real Time Monitoring System for Internal Process to Failure of High Power IGBT
Watanabe, M. Tsukuda, I. Omura
Solid State Devices and Materials   1692-1696   2013年9月   [査読有り]
Sub-micron Junction Termination for 1200V Class Devices toward CMOS Process Compatibility
K. Seto, J. Takaishi, H. Imaki, M. Tanaka, M. Tsukuda, I. Omura
The 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   281-284   2013年5月   [査読有り]
High Speed Turn-on Gate Driving for 4.5kV IEGT without Increase in PiN Diode Recovery Current
Y. Miki, M. Mukunoki, T. Matsuyoshi, M. Tsukuda, I. Omura
The International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   347-350   2013年5月   [査読有り]
Universal trench edge termination design
K. Seto, R. Kamibaba, M. Tsukuda, I. Omura
The International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   161-164   2012年6月   [査読有り]
Scattering parameter approach to power MOSFET design for EMI”, Proc. of ISPSD
M. Tsukuda, K. Kawakami, I. Omura
The International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   181-184   2012年6月   [査読有り]
Design for EMI” approach on power PiN diode reverse recovery
M. Tsukuda, K. Kawakami, K. Takahama, I. Omura
Microelectronics Reliability   51(9-11) 1972-1975   2011年7月   [査読有り]
Dynamic Punch-Through Design of High-Voltage Diode for Suppression of Waveform Oscillation and Switching Loss
Masanori Tsukuda, Yoko Sakiyama, Hideaki Ninomiya, Masakazu Yamaguchi
The International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   128-131   2009年6月   [査読有り]
Critical IGBT Design Regarding EMI and Switching Losses
Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Yoko Sakiyama, Masakazu Yamaguchi, Ken’ichi Matsushita, Tsuneo Ogura
The International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   185-188   2008年5月   [査読有り]
High Power Density Converter using SiC-SBD
Ichiro Omura, Masanori Tsukuda, Wataru Saito, Tomokazu Domon
The Fourth Power Conversion Conference   575-580   2007年4月   [招待有り]
Demonstration of High Output Power Density (50 W/cc) Converter using 600 V SJ-MOSFET and SiC-SBD
Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Wataru Saito, Tomokazu Domon
International Conference on Integrated Power Electronics Systems   1-4   2006年6月   [査読有り]
Demonstration of High Output Power Density (30 W/cc) Converter using 600 V SiC-SBD and Low Impedance Gate Driver
Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Tomokazu Domon, Wataru Saito, Tsuneo Ogura
The International Power Electronics Conference   1184-1189   2005年4月   [査読有り]
New Anode Design Concept of 600V Thin Wafer PT-IGBT with Very low Dose P-buffer and Transparent P-emitter
Tomoko Matsudai, Masanori Tsukuda, Shinichi Umekawa, Masahiro Tanaka, Akio Nakagawa
IEE Proc.-Circuits Devices Syst.   151(3) 255-258   2004年6月   [査読有り]
A 600V Deep-Implanted Gate Vertical JFET
5. Makoto Mizukami, Osamu Takikawa, M. Murooka, Seiji Imai, Kozo, Kinoshita, Tetsuo Hatakeyama, M. Tsukuda, W. Saito, I. Omura, Takashi Shinohe
Materials Science Forum Silicon Carbide and Related Materials   457-460 457-460   2003年   [査読有り]
Internal degradation monitoring of power devices during power cycling test
Akihiko Watanabe, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura
International Conference on Integrated Power Electronics Systems   213-217   2014年2月   [査読有り]
Bonding wire current measurement with tiny film current sensors
H. Hirai, Y. Kasho, M. Tsukuda, I. Omura
The International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   287-290   2012年6月   [査読有り]
4.5 kV High-Speed and Rugged Planar Diode with Novel Carrier Distribution Control
Ken-ichi Matsushita, Takashi Shinohe, Masanori Tsukuda, Yoshihiro Minami, Jun-ichi Miwa, Satoshi Yanagisawa, Hiromichi Ohashi
The International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   191-194   1998年6月   [査読有り]

Misc

 
Masanori Tsukuda, Masanori Tsukuda, Akiyoshi Baba, Yuji Shiba, Ichiro Omura
Solid-State Electronics   129 22-28   2017年3月
© 2016 Elsevier LtdA novel diode with a unique trench shape is predicted by TCAD simulation to have high performance. The novel 600 V vertical PiN diode with hole pockets by the Bosch deep trench process shows a better trade-off curve between reve...
崔 通, 宮崎 耕太郎, 安部 征哉, 附田 正則, 大村 一郎, 小原 秀嶺, 和田 圭二, 高宮 真, 桜井 貴康
電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan   2016(63) 19-24   2016年11月
Koutaro Miyazaki, Seiya Abe, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Keiji Wada, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai
Conference Proceedings - IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition - APEC   2016-May 1640-1645   2016年5月
© 2016 IEEE.A general-purpose clocked gate driver (CGD) IC to generate an arbitrary gate waveform is proposed to provide a universal platform for fine-grained gate waveform optimization handling various power transistors. The fabricated IC with 0....
崔通, 宮崎耕太郎, 安部征哉, 附田正則, 大村一郎, 小原秀嶺, 和田圭二, 高宮真, 桜井貴康
電気学会電子デバイス研究会資料   EDD-16(63-77) 19‐24   2016年11月
Masanori Tsukuda, Akiyoshi Baba, Yuji Shiba, Ichiro Omura
Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   2016-July 295-298   2016年7月
© 2016 IEEE.The performance of a novel diode with characteristic trench shape is predicted by TCAD simulation. A novel 600 V vertical PiN diode with hole pockets by the Bosch deep trench process is proposed for a better trade-off curve between rev...

講演・口頭発表等

 
松吉 峻, 附田 正則, 平井 秀敏
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報   2013年1月24日   
松吉峻, 附田正則, 平井秀敏, 大村一郎
電子情報通信学会技術研究報告   2013年1月17日   
川神 圭一朗, 附田 正則, 高濱 健一, 大村 一郎
電気学会研究会資料. SPC, 半導体電力変換研究会   2011年10月27日   
附田正則, 崎山陽子, 二宮英彰, 山口正一
電気学会電子材料研究会資料   2009年10月29日   
附田 正則, 大村 一郎, 崎山 陽子, 山口 正一, 松下 憲一, 小倉 常雄
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   2008年10月16日   
Critical N-base design in IGBT is discussed with Electro-Magnetic Interference (EMI) and switching losses during turn-off. The newly proposed criteria for oscillation and avalanche induced loss were given by a simple equation model and the validit...

所属学協会

 
 

競争的資金等の研究課題

 
エネルギー社会に対応した高機能パワーデバイスの高信頼性を確保する超小型電流センサ及び製造ライン向け検査装置の開発
経済産業省: 戦略的基盤技術高度化支援事業
研究期間: 2012年 - 2015年3月

特許

 
大村 一郎, 瀬戸 康太, 附田 正則
大村 一郎, 瀬戸 康太, 附田 正則
大村 一郎, 加生 裕也, 平井 秀敏, 附田 正則
大村 一郎, 加生 裕也, 平井 秀敏, 附田 正則
大村 一郎, 附田 正則, 三木 大和, 椋木 誠, 高尾 健志, 吉沢 大輔