2019年6月1日
Preparation of high-quality thick AlN layer on nanopatterned sapphire substrates with sputter-deposited annealed AlN film by hydride vapor-phase epitaxy
Japanese Journal of Applied Physics
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- 巻
- 58
- 号
- SC
- 開始ページ
- SC1003
- 終了ページ
- SC1003
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- DOI
- 10.7567/1347-4065/ab0ad4
- 出版者・発行元
- IOP Publishing
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.7567/1347-4065/ab0ad4
- ISSN : 0021-4922
- eISSN : 1347-4065