2018年10月
Resistive switching at the high quality metal/insulator interface in Fe3O4/SiO2/α-FeSi2/Si stacking structure
Applied Physics Letters
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- 巻
- 113
- 号
- 開始ページ
- 141601
- 終了ページ
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- DOI
- 10.1063/1.5048827
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.1063/1.5048827