渡邉 孝信

J-GLOBALへ         更新日: 18/11/09 19:43
 
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研究者氏名
渡邉 孝信
 
ワタナベ タカノブ
URL
https://www.watanabe-lab.jp/
所属
早稲田大学
部署
理工学術院 基幹理工学部
職名
教授
科研費研究者番号
00367153
ORCID ID
0000-0002-9421-8195

研究分野

 
 

経歴

 
2012年4月
 - 
現在
早稲田大学 理工学術院 教授
 
2007年4月
 - 
2012年3月
早稲田大学 理工学術院 准教授
 
2005年4月
 - 
2007年3月
早稲田大学 理工学術院 助教授
 
2003年10月
 - 
2007年3月
科学技術振興機構 さきがけ研究者
 
2003年4月
 - 
2005年2月
早稲田大学 理工学研究科 講師
 

学歴

 
1997年4月
 - 
1999年3月
早稲田大学 理工学研究科 電子・情報通信学専攻 博士後期課程
 
1995年4月
 - 
1997年3月
早稲田大学 理工学研究科 電子・情報通信学専攻 修士課程
 
1991年4月
 - 
1995年3月
早稲田大学 理工学部 電子通信学科
 

受賞

 
2018年2月
早稲田大学 リサーチアワード(国際発信力)
 
2016年2月
早稲田大学 ティーチングアワード
 
2000年11月
応用物理学会 第9回 応用物理学会講演奨励賞
 
1999年2月
井上科学振興財団 Inoue Research Award
 

論文

 
Motohiro Tomita, Shunsuke Oba, Yuya Himeda, Ryo Yamato, Keisuke Shima, Takehiro Kumada, Mao Xu, Hiroki Takezawa, Kohhei Mesaki, Kazuaki Tsuda, Shuichiro Hashimoto, Tianzhuo Zhan, Hui Zhang, Yoshinari Kamakura, Yuhhei Suzuki, Hiroshi Inokawa, Hiroya Ikeda, Takashi Matsukawa, Takeo Matsuki, Takanobu Watanabe
IEEE Transactions on Electron Devices      2018年9月
IEEE We propose a planar device architecture compatible with the CMOS process technology as the optimal current benchmark of a Si-nanowire (NW) thermoelectric (TE) power generator. The proposed device is driven by a temperature gradient that is fo...
Zhan Tianzhuo, Yamato Ryo, Hashimoto Shuichiro, Tomita Motohiro, Oba Shunsuke, Himeda Yuya, Mesaki Kohei, Takezawa Hiroki, Yokogawa Ryo, Xu Yibin, Matsukawa Takashi, Ogura Atsushi, Kamakura Yoshinari, Watanabe Takanobu
SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS   19(1) 443-453   2018年5月   [査読有り]
Hashimoto Shuichiro, Yokogawa Ryo, Oba Shunsuke, Asada Shuhei, Xu Taiyu, Tomita Motohiro, Ogura Atsushi, Matsukawa Takashi, Masahara Meishoku, Watanabe Takanobu
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   122(14)    2017年10月   [査読有り]
S. Hashimoto, S. Asada, T. Xu, S. Oba, Y. Himeda, R. Yamato, T. Matsukawa, T. Matsuki, T. Matsuki, T. Watanabe
Applied Physics Letters   111    2017年7月
© 2017 Author(s). We have found experimentally an anomalous thermoelectric characteristic of an n-type Si nanowire micro thermoelectric generator (μTEG). The μTEG is fabricated on a silicon-on-insulator wafer by electron beam lithography and dry e...
Tomofumi Zushi, Kenji Ohmori, Keisaku Yamada, and Takanobu Watanabe
Physical Review B   91(11) 115308   2015年3月   [査読有り]
Yokogawa Ryo, Hashimoto Shuichiro, Asada Shuhei, Tomita Motohiro, Watanabe Takanobu, Ogura Atsushi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56(6)    2017年6月   [査読有り]
Akito Suzuki, Takefumi Kamioka, Yoshinari Kamakura, Kenji Ohmori, Keisaku Yamada, and Takanobu Watanabe
IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2014) Extended Abstract   713-716   2014年12月   [査読有り]
Fei Jiayang, Kunugi Ryota, Watanabe Takanobu, Kita Koji
APPLIED PHYSICS LETTERS   110(16)    2017年4月   [査読有り]
Kunugi Ryota, Nakagawa Nobuhiro, Watanabe Takanobu
APPLIED PHYSICS EXPRESS   10(3)    2017年3月   [査読有り]
Hiroki Yamashita, Hiroki Kosugiyama, Yasuhiro Shikahama, Shuichiro Hashimoto, Kouhei Takei , Jing Sun, Takashi Matsukawa, Meishoku Masahara, and Takanobu Watanabe
Japanese Journal of Applied Physics   53(8) 085201   2014年8月   [査読有り]
2017 IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY AND MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM)   86-87   2017年   [査読有り]
Ryo Kuriyama, Masahiro Hashiguchi, Ryusuke Takahashi, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh, and Takanobu Watanabe
Japanese Journal of Applied Physics   53(8) 08LB02-27   2014年8月   [査読有り]
Nano-scale Evaluation of Electrical Tree Initiation in Silica/Epoxy Nano-composite Thin Film
2017 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ELECTRICAL INSULATING MATERIALS (ISEIM), VOLS 1 & 2   359-362   2017年   [査読有り]
Tomofumi Zushi, Kosuke Shimura, Masanori Tomita, Kenji Ohmori, Keisaku Yamada and Takanobu Watanabe
ECS Journal of Solid State Science and Technology   3(5) 149-154   2014年   [査読有り]
Shimura Kosuke, Kunugi Ryota, Ogura Atsushi, Satoh Shinichi, Fei Jiayang, Kita Koji, Watanabe Takanobu
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55(4)    2016年4月   [査読有り]
Nobuya Mori, Masanori Tomita, Hideki Minari, Takanobu Watanabe, and Nobuyoshi Koshida
Japanese Journal of Applied Physics   52(4) 04CJ04   2013年4月   [査読有り]
Takei Kohei, Hashimoto Shuichiro, Sun Jing, Zhang Xu, Asada Shuhei, Xu Taiyu, Matsukawa Takashi, Masahara Meishoku, Watanabe Takanobu
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55(4)    2016年4月   [査読有り]
Akito Suzuki, Takefumi Kamioka, Yoshinari Kamakura, and Takanobu Watanabe
Japan Society for Simulation Technology   2(1) 211-224   2015年   [査読有り]
Zhang Hui, Xu Taiyu, Hashimoto Shuichiro, Watanabe Takanobu
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   65(5) 2016-2023   2018年5月   [査読有り]
Takefumi Kamioka, Fumiya Isono, Takahiro Yoshida, Iwao Ohdomari, and Takanobu Watanabe
Physica State Solidi C   6(6) 1418-1422   2012年   [査読有り]
Tomita Motohiro, Ogasawara Masataka, Terada Takuya, Watanabe Takanobu
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57(4)    2018年4月   [査読有り]
Takanobu Watanabe
Journal of Computational Electronics   10(1-2) 2-10   2011年6月   [査読有り]
Watanabe Takanobu
SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR   80(1) 313-325   2017年   [査読有り]
Tomofumi Zushi, Yoshinari Kamakura, Kenji Taniguchi, Iwao Ohdomari, and Takanobu Watanabe
Japanese Journal of Applied Physics   50(1) 010102   2011年1月   [査読有り]
Shuichiro Hashimoto, Hiroki Kosugiyama, Kohei Takei, Sung Jing, Yuji Kawamura, Yasuhiro Shikahama, and Takanobu Watanabe
IEEE Xplore      2015年
R. Tosaka, H. Tamamoto, I. Ohdomari, and T. Watanabe
Langmuir   26(12) 9950-9955   2010年6月   [査読有り]
T. Zushi, I. Ohdomari, Y. Kamakura, K. Taniguchi, and T. Watanabe
Japanese Journal of Applied Physics   49(4) 04DN08   2010年   [査読有り]
T. Kamioka, K. Sato, Y. Kazama, I. Ohdomari and T. Watanabe
Japanese Journal of Applied Physics   49(1) 015702   2010年   [査読有り]
Wu Yan, Hasegawa Hiroyuki, Kakushima Kuniyuki, Ohmori Kenji, Watanabe Takanobu, Nishiyama Akira, Sugii Nobuyuki, Wakabayashi Hitoshi, Tsutsui Kazuo, Kataoka Yoshinori, Natori Kenji, Yamada Keisaku, Iwai Hiroshi
MICROELECTRONICS RELIABILITY   54(5) 899-904   2014年5月   [査読有り]
H. Yamamoto, T. Watanabe, and I. Ohdomari
Applied Physics Express   1(10) 105002   2008年10月   [査読有り]
2014 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD)   357-360   2014年   [査読有り]
T. Kamioka, K. Sato, Y. Kazama, T. Watanabe, and I. Ohdomari
Review of Scientific Instruments   79(7) 073707   2008年7月   [査読有り]
Hashimoto Shuichiro, Kosugiyama Hiroki, Takei Kohei, Sun Jing, Kawamura Yuji, Shikahama Yasuhiro, Ohmori Kenji, Watanabe Takanobu
2014 IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE (INEC)      2014年   [査読有り]
H. Yamamoto, T. Watanabe, and I. Ohdomari
Journal of Chemical Physics   128(16) 164710   2008年4月   [査読有り]
Wu Yan, Dou Chunmeng, Wei Feng, Kakushima Kuniyuki, Ohmori Kenji, Ahmet Parhat, Watanabe Takanobu, Tsutsui Kazuo, Nishiyama Akira, Sugii Nobuyuki, Natori Kenji, Yamada Keisaku, Kataoka Yoshinori, Hattori Takeo, Iwai Hiroshi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52(4)    2013年4月   [査読有り]
Takefumi Kamioka, Hiroya Imai, Yoshinari Kamakura, Kenji Ohmori, Kenji Shiraishi, Masanori Niwa, Keisaku Yamada, and Takanobu Watanabe
IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2012) Extended Abstract   399-402   2012年12月
Kamakura Yoshinari, Zushi Tomofumi, Watanabe Takanobu, Mori Nobuya, Taniguchi Kenji
TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS   470 14-+   2011年   [査読有り]
Kamakura Yoshinari, Mori Nubuya, Taniguchi Kenji, Zushi Tomofumi, Watanabe Takanobu
SISPAD 2010 - 15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES   89-92   2010年   [査読有り]
H. Ohta, T. Watanabe, and I. Ohdomari
Physical Review B   78(15) 155326   2008年10月   [査読有り]
Takefumi Kamioka, Fumiya Isono, Takanobu Watanabe, and Iwao Ohdomari
表面科学   33 153-158   2012年
T. Terunuma, T. Watanabe, T. Shinada, I.Ohdomari, Y. Kamakura, and K. Taniguchi
Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)   29-32   2008年
K. Nishiyama, T. Watanabe, T. Hoshino and I. Ohdomari
Chemical Physics Letters   453(4-6) 279-282   2008年3月   [査読有り]
A. Seike, T. Tange, Y. Sugiura, I. Tsuchida, H. Ohta, T. Watanabe, D. Kosemura, A. Ogura and I. Ohdomari
Applied Physics Letters   91 202117   2007年
T. Watanabe, and I. Ohdomari
Journal of Electrochemical Society   154(12) G260-G267   2007年   [査読有り]
K. Nishiyama, T. Watanabe, T. Hoshino and I. Ohdomari
Chemical Physics Letters   439(1-3) 148-150   2007年5月   [査読有り]
H. Ohta, T. Watanabe, and I. Ohdomari
Japanese Journal of Applied Physics   46(5B) 3277-3282   2007年5月   [査読有り]
T. Watanabe, K. Tatsumura, and I. Ohdomari
Physical Review Letters   96(19) 196102   2006年5月   [査読有り]
K. Nishiyama, T. Watanabe, T. Hoshino and I. Ohdomari
Japanese Journal of Applied Physics   45 1021-1025   2006年
H. Yamamoto, T. Watanabe, K. Nishiyama, K. Tatsumura, and I. Ohdomari
Journal de Physique IV   132 189-193   2006年
K. Nishiyama, T. Watanabe, T. Hoshino and I. Ohdomari
Japanese Journal of Applied Physics   44 8210-8215   2005年
K. Tatsumura, T. Shimura, E. Mishima, K. Kawamura, D. Yamasaki, H. Yamamoto, T. Watanabe, M. Umeno, and I. Ohdomari
Physical Review B   72 045205   2005年
M. Uchigasaki, T. Tomiki, K. Kamioka, E. Nakayama, T. Watanabe, and I. Ohdomari
Japanese Journal of Applied Physics   44 L313-L314   2005年
ダイナミックボンド型分子動力学法の開発
渡邉孝信
化学工業   56 65-71   2005年
T. Watanabe, K. Tatsumura, and I. Ohdomari
Applied Surface Science   237 125-133   2004年
T. Watanabe, D. Yamasaki, K. Tatsumura, and I. Ohdomari
Applied Surface Science   234 207-213   2004年
Residual order within thermally grown amorphous SiO2 on crystalline silicon
K. Tatsumura, T. Watanabe, D. Yamasaki, T. Shimura, M. Umeno, and I. Ohdomari
Physical Review B   69 085212   2004年
K. Tatsumura, T. Watanabe, D. Yamasaki, T. Shimura, M. Umeno, and I. Ohdomari
Japanese Journal of Applied Physics   43 492-497   2004年
K. Tatsumura, T. Watanabe, D. Yamasaki, T. Shimura, M. Umeno, and I. Ohdomari
Japanese Journal of Applied Physics   42 7250-7255   2003年
T. Hoshino, M. Hata, S. Neya, Y. Nishioka, T. Watanabe, K. Tatsumura, and I. Ohdomari
Japanese Journal of Applied Physics   42 6535-6542   2003年
T. Hoshino, M. Hata, S. Neya, Y. Nishioka, T. Watanabe, K. Tatsumura, and I. Ohdomari
Japanese Journal of Applied Physics   42 3560-3565   2003年
渡邉孝信,辰村光介,大泊 巌
表面科学/日本表面科学会   23 74-80   2002年
A. Kitada, T. Konishi and T. Watanabe
Chaos, Solitons and Fractals/Elsevier Science   13 363-366   2002年
Nucleation site of Cu on the H-terminated Si(111) surface
Physical Review B/American Physics Society   64    2001年
Initial Oxidation Process of Si(001) Simulated by Using a Parallel PC System
T. Watanabe, K. Tatsumura, A. Kajimoto, K. Ogura, Y. Inaba, and I. Ohdomari
Semiconductor Technology/The Electrochemical Society   1 242-246   2001年
T. Watanabe, and I. Ohdomari
Applied Surface Science/Elsevier Science   162-163 112-121   2000年
Y. Harada, K. Eriguchi, M. Niwa, T. Watanabe, and I. Ohdomari
Japanese Journal of Applied Physics/Japan Society of Applied Physics   39 4687-4691   2000年
Impact of Structural Strained Layer near SiO2/Si Interface on Activation Energy of Time-Dependent Dielectric Breakdown
Y. Harada, K. Eriguchi, M. Niwa, T. Watanabe, and I. Ohdomari
VLSI symposium Tech. Digest/Japan Society of Applied Physics   216-219   2000年
K. Shimada, T. Ishimaru, T. Watanabe, T. Yamawaki, M. Osuka, T. Hoshino, and I. Ohdomari
Physical Review B/American Physics Society   62 2546-2551   2000年
T. Watanabe, and I.Ohdomari
Thin Solid Films/Elsevier Science   343-344 370-373   1999年
T. Watanabe, H. Fujiwara, H. Noguchi, T. Hoshino, and I. Ohdomari
Japanese Journal of Applied Physics/Japan Society of Applied Physics   38 L366-L369   1999年
T. Ishimaru, T. Hoshino, H. Kawada, K. Shimada, T. Watanabe, I. Ohdomari
Physical Review B/American Physics Society   58 9863-9866   1998年
T.Watanabe, T. Handa, T. Hoshino, and I. Ohdomari
Applied Surface Science/Elsevier Science   130-132 6-12   1998年
T. Hoshino, N. Kamijo, H. Fujiwara, T. Watanabe, and I.Ohdomari
Surface Science/Elsevier Science   394 119-128   1997年
I. Ohdomari, T. Watanabe, K. Kumamoto, and T. Hoshino
Phase Transitions/Oversea Publishers Association   62 245-248   1997年
T. Watanabe, T. Hoshino, and I. Ohdomari
Surface Science/Elsevier Science   389 375-381   1997年
T. Watanabe, T. Hoshino, and I. Ohdomari
Applied Surface Science/Elsevier Science   117/118 67-71   1997年

Misc

 
Takanobu Watanabe
IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai   22-23   2017年7月
© 2017 IEEE. Energy harvester is a key device for realizing trillion sensors network society. Thermoelectric generator (TEG) is regarded as the ultimate energy harvester to provide semipermanent power from heat energies via Seebeck effect. The rec...

講演・口頭発表等

 
Si-CMOS高出力熱電発電デバイスの開発 [招待有り]
渡邉 孝信
電気学会 電子・情報・システム部門大会   2018年9月7日   
Deal-Groveモデル再考 [招待有り]
渡邉 孝信
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第207回研究集会「シリコン表面および酸化膜界面特性の新世代への探求」   2018年5月25日   
CMOSコンパチブルSiマイクロ熱電発電デバイス [招待有り]
渡邉 孝信
学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト(6大学連携プロジェクト)第2回公開討論会   2018年3月30日   
IV族混晶のマイクロ熱電発電デバイス応⽤ [招待有り]
渡邉 孝信
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月18日   
オン・シリコン熱電発電デバイスの開発
渡邉 孝信
早稲田大学ナノテクノロジーフォーラム第4回分科会ワークショップ(グリーンエレクトロニクス分野)「革新的エナジー・ハーベスティングに向けた材料・デバイス技術」   2018年3月8日   
Molecular Dynamics of Dipole Layer Formation at High-k/SiO2 Interface [招待有り]
渡邉 孝信
232nd ECS MEETING   2017年10月4日   
Formation Mechanisms of Gate Oxide Films [招待有り]
渡邉 孝信
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)   2017年9月19日   
熱電発電デバイスの微細化戦略 [招待有り]
渡邉 孝信
フォノンエンジニアリング研究グループ・JST「微小エネ」領域合同研究会   2017年7月14日   
Silicon-based Micro Thermoelectric Generator Fabricated by CMOS Compatible Process [招待有り]
渡邉 孝信
The 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK2017)   2017年6月29日   
A Scalable Si-based Micro Thermoelectric Generator, [招待有り]
渡邉 孝信
Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM2017)   2017年3月2日   
オン・シリコン熱電発電デバイスの開発 [招待有り]
渡邉 孝信
電気学会ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術専門員会「フォノンエンジニアリング」   2016年11月11日   
Atomistic Origin of Dipole Layer at High-k/SiO2 Interface [招待有り]
渡邉 孝信
13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-13)   2016年10月10日   
Molecular Dynamics Simulations on the Formation of Dielectric Thin Films and Interface Properties [招待有り]
渡邉 孝信
2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016)   2016年9月26日   
Statistical Simulation of Noise and Fluctuations in Nano-scale Silicon Transistors [招待有り]
渡邉 孝信
BIT’s 5th Annual World Congress of Advanced Materials-2016 (WCAM-2016)   2016年6月8日   
Impacts of RDF, RTN, and Shot Noise on Nanowire Transistor Performance Studied by Ensemble Monte Carlo / Molecular Dynamics Simulation [招待有り]
渡邉 孝信
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)   2015年9月29日   
EMC/MDシミュレーションによるナノワイヤトランジスタ特性の揺らぎ解析 [招待有り]
渡邉 孝信
電気学会 電子・情報・システム部門大会   2015年8月27日   
Molecular Dynamics Simulation of Dipole Layer Formation at High-k/SiO2 Interface
渡邉 孝信
226th Meeting of The Electrochemical Society   2014年10月6日   
Molecular dynamics simulation of gate dielectric thin films [招待有り]
渡邉 孝信
The 5th NIMS/MANA-Waseda University International Symposium   2014年3月24日   
分子動力学法による酸化膜被覆型Siナノワイヤのフォノン解析
2014年3月14日   
MD法で探る半導体と絶縁膜の界面構造 [招待有り]
渡邉 孝信
富士通計算化学ユーザーフォーラム2013   2013年11月29日   
Al2O3/SiO2界面の分子動力学シミュレーション [招待有り]
渡邉 孝信
CVD反応分科会 第21回シンポジウム   2013年11月19日   
Recent Progress in Molecular Dynamics Simulation of Semiconductor Interfaces [招待有り]
渡邉 孝信
2013 NIMS CONFERENCE   2013年7月3日   
Phonon Dispersion in <100> Si Nanowire Covered with SiO2 Film Calculated by Molecular Dynamics Simulation
渡邉 孝信
PRiME 2012, ECS 222nd Meeting, SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices 5   2012年10月10日   
ナノプロセス研究のための分子動力学計算技術 [招待有り]
渡邉 孝信
第8 回プラズマエレクトロニクス分科会新領域研究会   2011年10月26日   
Force Field Approaches for Modeling Oxide-Semiconductor Interfaces [招待有り]
渡邉 孝信
3rd Asian Consortium on Computational Material Science (ACCMS) Working Group Meeting   2011年4月2日   
Si 系トンネルFET のシミュレーション [招待有り]
渡邉 孝信
電気学会シリコンナノデバイス集積化技術調査専門委員会「急峻サブスレショルドデバイスの現状と将来展望」   2010年11月26日   
Molecular Dynamics Simulation of Thermal Properties of Nano-scale Silicon Structures Covered with Oxide Film [招待有り]
渡邉 孝信
The 3rd Advanced Materials Development and Integration of Novel Structured Metallic and Inorganic Materials (AMDI-3)   2010年11月7日   
Misfit Stress Relaxation Mechanism in GeO2/Ge Systems: A Classical Molecular Simulation Study
渡邉 孝信
ECS 218th meeting   2010年10月14日   
Deal-Groveモデルに代わるシリコン熱酸化速度理論,” 第29回表面科学学術講演会, タワーホール船堀, 東京, 2009年10月28日. 恩 [招待有り]
渡邉 孝信
第29回表面科学学術講演会   2009年10月28日   
分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング -SiO2/Siとの違い- [招待有り]
渡邉 孝信
2009年6月1日   
Atomistic Picture of Silicon Oxidation Process; Beyond the Deal-Grove Model [招待有り]
渡邉 孝信
International Conference on Computational & Experimental Engineering and Sciences (ICCES’09)   2009年4月10日   

担当経験のある科目

 
 

競争的資金等の研究課題

 
垂直離着陸型羽ばたき飛翔ロボットの自律飛行制御
総務省: 戦略的情報通信研究開発推進事業(SCOPE)平成30年度 独創的な人向け特別枠「異能vation」プログラム「破壊的な挑戦部門」
研究期間: 2018年10月 - 2019年9月    代表者: 渡邉 孝信
計算フォノニクスを駆使したオン・シリコン熱電デバイスの開発
科学技術振興機構: 戦略的創造研究推進事業 CREST
研究期間: 2015年12月 - 2019年3月    代表者: 渡邉 孝信
ダイナミックボンド型大規模分子動力学法の開発
科学技術振興機構: 戦略的創造研究推進事業 さきがけ
研究期間: 2003年10月 - 2007年3月    代表者: 渡邉 孝信
シリコンナノ構造酸化の窒素添加による制御
科学研究費助成事業(日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所): 科学研究費助成事業(基盤研究(B))
Deal-Grove理論に代わる新しいシリコン熱酸化速度理論の構築とその応用
科学研究費助成事業(早稲田大学): 科学研究費助成事業(若手研究(A))
研究期間: 2007年4月 - 2011年3月    代表者: 渡邉 孝信
ドーパントイオン照射によるナノスケール表面改質素過程のリアルタイムSTM観察
科学研究費助成事業(早稲田大学): 科学研究費助成事業(基盤研究(B))
代表者: 大泊 巌
極微細トランジスタ中における準弾道電子+準弾道フォノン系の統合シミュレーション
科学研究費助成事業(大阪大学): 科学研究費助成事業(特定領域研究)
代表者: 鎌倉 良成
ナノスケールデバイスの過渡的電気・熱連成シミュレーション技術の開発とその応用
科学研究費助成事業(大阪大学): 科学研究費助成事業(基盤研究(C))
代表者: 鎌倉 良成
立体構造半導体/酸化膜界面のハイスループットモデリング技術の開発
科学研究費助成事業(早稲田大学): 科学研究費助成事業(基盤研究(B))
計算科学を駆使したNiシリサイドナノワイヤ形成プロセスの完全制御
科学研究費助成事業(早稲田大学): 科学研究費助成事業(挑戦的萌芽研究)
研究期間: 2014年4月 - 2017年3月    代表者: 渡邉 孝信
異種酸化物界面の分極を予測するマテリアル・インフォマティクスの開拓
科学研究費助成事業(早稲田大学): 科学研究費助成事業(基盤研究(B))
研究期間: 2015年4月 - 2018年3月    代表者: 渡邉 孝信
電子機器ナノテクイノベーションに関する共同研究
研究期間: 2015年4月       代表者: 渡邉 孝信
二眼カメラを搭載したロボットに関し、ステレオ画像からの周辺情報取得技術の研究
研究期間: 2015年4月 - 2017年3月    代表者: 渡邉 孝信

特許

 
特許5857658 : 羽ばたきロボット
渡邉 孝信,澤根 慧,富永 峻平,金川 清.山本 英明