渡邉 孝信
ワタナベ タカノブ (Takanobu Watanabe)
更新日: 02/17
基本情報
- 所属
- 早稲田大学 理工学術院 基幹理工学部 教授
- 学位
-
Doctor of Engineering(Waseda University)
- 研究者番号
- 00367153
- J-GLOBAL ID
- 200901076371506831
- researchmap会員ID
- 5000098175
- 外部リンク
経歴
8-
2012年4月 - 現在
-
2007年4月 - 2012年3月
-
2005年4月 - 2007年3月
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2003年10月 - 2007年3月
-
2003年4月 - 2005年2月
-
2000年4月 - 2003年3月
-
1999年4月 - 2000年3月
-
1997年4月 - 1999年3月
学歴
3-
1997年4月 - 1999年3月
-
1995年4月 - 1997年3月
-
1991年4月 - 1995年3月
受賞
4-
2018年2月
-
2016年2月
-
2000年11月
-
1999年2月
論文
132-
IEEE Transactions on Electron Devices 1-7 2024年
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Japanese Journal of Applied Physics 62(SC) SC1066-SC1066 2023年2月14日
-
Japanese Journal of Applied Physics 62(SC) SC1058-SC1058 2023年2月9日
-
Applied Physics Letters 121(8) 082105-082105 2022年8月22日
-
Japanese Journal of Applied Physics 61(8) 085502-085502 2022年8月1日
-
ACS Applied Materials and Interfaces 14(5) 7392-7404 2022年2月9日
-
AIP Advances 11(11) 115225-115225 2021年11月1日
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AIP Advances 11(7) 075017-075017 2021年7月1日 査読有り最終著者
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Japanese Journal of Applied Physics 60(SB) SBBF07-SBBF07 2021年5月1日 査読有り最終著者
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Journal of Materials Chemistry A 9(20) 12188-12195 2021年 査読有り
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Science and Technology of Advanced Materials 22(1) 272-279 2021年 査読有り
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Diamond and Related Materials 111 108207-108207 2021年1月 査読有り
-
ECS Meeting Abstracts MA2020-02(22) 1634-1634 2020年11月23日 査読有り
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2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2020年9月23日
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ECS Transactions 98(5) 533-546 2020年9月23日 査読有り
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ACS Applied Materials & Interfaces 12(30) 34441-34450 2020年7月29日 査読有り
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AIP Advances 10(7) 075015-075015 2020年7月1日 査読有り
MISC
11-
IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 22-23 2017年7月31日
-
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(472) 61-66 2017年2月24日
-
電気学会研究会資料. DEI 2016(92) 17-22 2016年12月19日
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応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st ROMBUNNO.20A-D9-2 2014年3月3日
-
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(281) 45-50 2011年11月10日
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(87) 3-8 2009年6月12日
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 108(80) 35-39 2008年6月2日
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電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術 107(295) 1-4 2007年10月23日
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計算力学講演会講演論文集 2005(18) 451-452 2005年11月17日
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粉砕 (46) 37-44 2002年
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2000 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS 216-217 2000年 査読有り
講演・口頭発表等
43-
物質・材料研究機構 24回GREENシンポジウム, 2023年3月21日 招待有り
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日本機械学会 M&M 2022 材料力学カンファレンス 2022年9月26日 招待有り
-
シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 2020年11月19日 招待有り
-
The 13th PACRIM conference 2019年10月29日 招待有り
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235th ECS Meeting, G01: Silicon Compatible Emerging Materials 2019年5月29日 招待有り
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化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会第30回シンポジウム 2019年3月5日 招待有り
-
ENEX2019 エネルギーハーベスティングセミナー 2019年2月1日 招待有り
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5th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN2019) 2019年1月30日 招待有り
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JST-CREST「微小エネルギーを利用した革新的な環境発電技術の創出」領域公開シンポジウム 2018年11月7日
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電気学会 電子・情報・システム部門大会 2018年9月7日 招待有り
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応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第207回研究集会「シリコン表面および酸化膜界面特性の新世代への探求」 2018年5月25日 招待有り
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学際・国際的高度人材育成ライフイノベーションマテリアル創製共同研究プロジェクト(6大学連携プロジェクト)第2回公開討論会 2018年3月30日 招待有り
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第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月18日 招待有り
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早稲田大学ナノテクノロジーフォーラム第4回分科会ワークショップ(グリーンエレクトロニクス分野)「革新的エナジー・ハーベスティングに向けた材料・デバイス技術」 2018年3月8日
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232nd ECS MEETING 2017年10月4日 招待有り
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2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017) 2017年9月19日 招待有り
-
フォノンエンジニアリング研究グループ・JST「微小エネ」領域合同研究会 2017年7月14日 招待有り
-
The 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK2017) 2017年6月29日 招待有り
共同研究・競争的資金等の研究課題
15-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月
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総務省 戦略的情報通信研究開発推進事業(SCOPE)平成30年度 独創的な人向け特別枠「異能vation」プログラム「破壊的な挑戦部門」 2018年10月 - 2019年9月
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科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 CREST 2015年12月 - 2019年3月
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科学研究費助成事業(早稲田大学) 科学研究費助成事業(基盤研究(B)) 基盤研究(B) 2015年4月 - 2018年3月
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2015年4月 - 2017年3月
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科学研究費助成事業(早稲田大学) 科学研究費助成事業(挑戦的萌芽研究) 挑戦的萌芽研究 2014年4月 - 2017年3月
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2015年4月
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科学研究費助成事業(大阪大学) 科学研究費助成事業(基盤研究(C)) 基盤研究(C) 2010年 - 2012年
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科学研究費助成事業(早稲田大学) 科学研究費助成事業(若手研究(A)) 若手研究(A) 2007年4月 - 2011年3月
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科学研究費助成事業(早稲田大学) 科学研究費助成事業(基盤研究(B)) 基盤研究(B) 2008年 - 2010年
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科学研究費助成事業(日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所) 科学研究費助成事業(基盤研究(B)) 基盤研究(B) 2006年 - 2008年
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科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 さきがけ 2003年10月 - 2007年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 特別研究員奨励費 2000年 - 2002年
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科学研究費助成事業(大阪大学) 科学研究費助成事業(特定領域研究) 特定領域研究
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科学研究費助成事業(早稲田大学) 科学研究費助成事業(基盤研究(B)) 基盤研究(B)